美光(Micron)、東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)旗下16納米和15納米制程不但放量，生產藍圖也朝128Gb容量TLC型NAND Flash芯片規劃，帶動整個大容量固態硬碟(SSD)商機大爆發。

　　美光宣示，16納米制程的TLC型NAND Flash芯片正式進入量產，將是2015年消費性產品的主力零組件;再者，東芝和新帝的15納米制程在生產初期頻傳出良率不佳，也傳出新帝因此遭到蘋果(Apple)從供應商中剔除，但經過1~2季努力，15納米制程已上軌道，目前已先在自家產品中采用，預計第3季可大量供應給客戶做生產。

　　美光、東芝、新帝的16納米和15納米制程NAND Flash芯片規劃，都以128Gb容量TLC型NAND Flash芯片，取代過去的64Gb芯片，這也象征大容量SSD時代來臨。

　　美光16納米制程的TLC型NAND Flash芯片已獲得多家合作伙伴導入和技術支援，包括創見、慧榮和希捷(Seagate)。

　　美光儲存事業部行銷總監Kevin Kilbuck表示，16納米TLC型NAND Flash技術可滿足市場對于可靠的高容量儲存裝置持續提升的需求，將是2015年消費性應用的最佳解決方案，2016年將朝生產3D NAND型的TLC芯片邁進。

　　據美光藍圖規劃，目前美光生產的NAND Flash芯片中，采用16納米制程技術的比重超過50%，包含SLC/MLC/TLC型NAND Flash芯片，預計 2015年第4季將量產3D NAND技術，新加坡廠將是3D NAND生產基地，日前也投資40億美元強化技術。

　　美光指出，新TLC型NAND是使用16納米制程技術，可用在隨身碟、SSD等產品上，取得價格和效能的平衡，從2015年開始，對于TLC型NAND需求會大步提升，光是10億位元的NAND存儲器，總出貨量就約占快閃存儲器產品市場的50%。

　　東芝和新帝陣營中，是從19納米制程轉到15納米制程NAND Flash技術上，在轉進15納米制程過程中，傳出良率不佳問題，由于新帝后來被蘋果剔除于供應鏈之外，傳出與15納米制程良率問題有關。但此問題陸續獲得解決，15納米制程已經陸續用于東芝和新帝自己的產品中，預計第3季會在市場上大量供貨。