意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性和安全系數。MDmeshTM K5產品是世界首款兼備超結技術優點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。

　　新產品瞄準計算機服務器及工業自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自動化等工業自動化應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超結MOSFET技術的出色動態開關性能使其成為工業應用的最佳選擇。

　　意法半導體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項技術提升至一個全新的水平，單位面積同態電阻(Rds(on))和柵電荷量(Qg)均創市場最低，并擁有業界最佳的FoM(質量因數)[1]。新產品是時下主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振(quasi-resonant)有源鉗位反激式轉換器以及LLC[2]半橋式轉換器，均需要寬輸入電壓、高能效(高達96%)以及輸出功率近200W的電源。

　　該系列先推出的兩款產品是STW12N150K5和STW21N150K5，其最大漏源電流分別達到7A和14A，柵電荷量僅為47nC(STW12N150K5)或通態電阻僅為0.9Ω(STW21N150K5)。兩款產品均已量產，采用TO-247封裝。