北京時間4月8日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾在PC處理器市場保持著對AMD的絕對領先優(yōu)勢，但在NOR閃存領域英特爾卻被AMD壓過一頭。為了改變這一現(xiàn)狀，同時也延續(xù)自身在NOR閃存市場的增長勢頭，英特爾將于近日推出新型StrataFlash嵌入式閃存。　　

　　英特爾發(fā)言人瑪莉-雷格蘭德(Mary Ragland)表示，StrataFlash嵌入式閃存將有多種不同的型號，容量由64MB直到1GB，足以滿足數(shù)碼相機、手機和網(wǎng)絡路由器等多種消費電子產(chǎn)品的需求。她說：“這是近年來StrataFlash產(chǎn)品系列的第一款新品，它的出現(xiàn)可以從很大程度上緩解廠商對于高性能大容量閃存的需求。”英特爾將于本季度推出容量為64MB到512MB的StrataFlash嵌入式閃存，1GB容量的產(chǎn)品要到下半年才能上市。

　　在關閉電源后閃存中存儲的數(shù)據(jù)并不會消失，因此它也就成為了消費電子產(chǎn)品中存儲數(shù)據(jù)的最佳介質。目前的閃存產(chǎn)品主要有兩種類型——NAND和NOR，在NAND閃存市場，三星電子一直獨秀，而NOR閃存市場則呈現(xiàn)出英特爾和AMD兩強爭霸的局面。市場研究公司iSuppli公布的最新數(shù)據(jù)顯示，AMD通過和富士通成立的合資企業(yè)，2004年在NOR閃存市場占據(jù)了25.9%的市場份額，而英特爾以微小的差距排在第二位，其市場份額為24.5%。

　　盡管2004年整體略遜，但第三季度和第四季度英特爾在市場份額上都超過了AMD。有分析人士將英特爾的成功歸結于產(chǎn)品價格便宜，英特爾副總裁達林-比勒貝克(Darin Billerbeck)并不完全贊同這種說法。他說：“我并不認為我們依靠低價格取勝，我們也從來發(fā)動過價格攻勢。”他同時透露，由于去年第四季度高容量產(chǎn)品的銷量大幅度增長，英特爾閃存的平均售價還略有提升。

　　2004年全球閃存市場的總產(chǎn)值達到了166億美元，比2003年的116.4億美元有大幅度的增長。iSuppli預計，2005年全球閃存市場的總產(chǎn)值將增長5%，達到175億美元。到2008年，全球將有80%的手機中采用NOR閃存。

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