半導體C-V測量基礎
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圖5. 利用吉時利4200-SCS進行參數提取的實例表現了半導體的摻雜特征(左邊的藍線)，它與1/C2 與Vg的關系呈倒數關系(紅線)。右圖給出了摻雜分布，即每立方厘米的載流子數與襯底深度的函數關系。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/96649.htm通常，人們都希望工程技術人員和研究人員在幾乎沒有任何儀器使用經驗或培訓的情況下就能夠進行C-V測量。具有直觀用戶界面和簡單易用特征的測試系統使得這一點成為現實。其中包括簡單的測試配置、序列控制和數據分析。否則，用戶在掌握系統方面就要比采集和使用數據花費更多的時間。對測試系統其它考慮因素包括：
· 緊密集成的源-測量單元、數字示波器和C-V表
· 方便集成其他外部儀器
· 基于探針的高分辨率和高精度測量(直流偏壓低至毫伏級，電容測量低至飛法級)
· 測試配置和庫易于修改
· 提供檢測/故障診斷工具幫助用戶確定系統是否正常工作
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