磁盤式存儲技術還有十年風光：閃存硬盤前景不容樂觀
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相變內存技術(phase change random access memory (PCRAM)):
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/99277.htm
據文章的作者解釋，PCRAM相變內存技術基于相變化材料的相變屬性。對這種材料適當加熱后，相變化材料的形態將在結晶和非結晶兩種相上發生變化，從而衍生出不同的電阻值，這樣便可以用于記錄“1”“0”兩種數值。這種技術的存儲單元體積小，每個存儲單元能存儲多位數據，因此存儲密度以及容量成本方面均比磁盤式硬盤優越，不過這種技術的劣勢在于功耗較大。目前，Intel與Microelectronics的合資公司Numonyx已經將基于這種技術的產品推向了市場，因此在實際應用方面相變內存技術比STTRAM技術要優越許多。
自旋極化內存技術(spin transfer torque random access memory (STTRAM)).
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