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MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經常是成對出現，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET 為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同......
MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電......
貼片壓敏電阻和TVS二極管可作為過電壓保護部件使用。這些產品的結構和制造方法完全不同，但作為靜電保護器件卻具有相似的性質。由此，雖然在電路上都可以使用，但也存在不能使用貼片壓敏電阻的情況。的確，由于其歷史背景，產品目錄和......
今天咱們來聊聊為啥mos管開關得快點兒，還有怎么才能快點開關。mos管驅動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅動芯片驅動，我們就以這個驅動設計為主。說起mos管關斷，通常電壓會比開通時高，所以關斷的損失也會比開通......
01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管......
**1. 關于MOS管的極限參數說明：**在以上圖中，我們需要持續關注的參數主要有：a. **ID（持續漏極電流）**：該參數含義是mos可以持續承受的電流值，在設計中，產品的實際通過電流值應遠小于該值，至少應小于1/3......
一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET......
美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商，推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測電阻系列。Bourns 全新電流測量設備專為在電力電子設計中節省能源，同時最大化傳感性能。該系列具有低溫......
2023年12月12日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商，推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測電阻系列。Bourns 全新電流測量設備專為在電力電子設計中節省能源，同時最......
IT之家 12 月 11 日消息，據中國科學院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項研究成果入選第 14 屆氮化物半導體國際會議 ICNS-......
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