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三星電子今天宣布，已經開始在全球范圍內首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產2Gb DDR3內存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內存顆粒在云計算和虛擬化等服務器應用中電壓1.35V，頻率最高可達1866MH......
近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業務支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05......
全球半導體產業走入50奈米制程后，浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)出現大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機種上，交期幾乎拉到快12個月，使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時;存儲器......
據韓國ET NEWS報導，過去1年2個月期間呈現上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業的凈利也將減少，但對臺灣企業打擊可能更大。 ......
據了解，日商爾必達已決定來臺設立研發中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業者進一步合作。 據悉，爾必達與臺灣創新存儲器公司......
2010年存儲器市場最夯產品非NOR Flash莫屬，從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲，盡管各家NOR Flash廠對于第3季價格都是持續看漲，但產業供需結構卻是暗潮洶涌，其中，旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產能，飛索(......
全球半導體市場需求成長已優于2008年秋季金融危機爆發前的水平，2010年5月半導體銷售額續創新高。就地區別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐......
Maxim推出安全管理器MAX36051。器件具有128字節無痕跡存儲器，可安全存儲敏感數據，待機模式下消耗極低的電池電流(1.5µA)。內部篡改監視電路和篡改檢測輸入連接至外部傳感器，為終端用戶提供極高......
核心提示：SSD是摒棄傳統磁介質，采用電子存儲介質進行數據存儲和讀取的一種技術，突破了傳統機械硬盤的性能瓶頸，擁有極高的存儲性能，被認為是存儲技術發展的未來新星。 PCIe接口的極速固態硬盤 Matador P......
近期臺灣創新存儲器公司(TIMC)獲得經濟部補助，聯合茂德、晶豪打算從NAND Flash產業重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰火。力晶董事長黃崇仁6日表......
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