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據(jù)《韓國時(shí)報(bào)》報(bào)道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。 這項(xiàng)開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩......
兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計(jì)投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾......
DRAM景氣逐漸觸底反彈，相關(guān)業(yè)者預(yù)估2010年第2季DRAM每顆報(bào)價(jià)有機(jī)會(huì)落在2.2~2.5美元，不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利，DRAM封測廠也有機(jī)會(huì)調(diào)漲代工價(jià)格，模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回......
12月11日訊，據(jù)國外媒體報(bào)道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財(cái)年結(jié)束時(shí)實(shí)現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。 爾必達(dá)內(nèi)存......
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過時(shí)，而且......
12月上旬的存儲(chǔ)器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價(jià)格則反應(yīng)市場需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb......
日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺(tái)，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會(huì)，說明雙方合作代工細(xì)節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達(dá)20......
臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對(duì)電腦存儲(chǔ)芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。 由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡，南亞科技及臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱：......
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值......
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