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EEPW首頁 >> 主題列表 >> coolsic mosfet 650v g2

coolsic mosfet 650v g2 文章 最新資訊

集成高壓MOSFET可實現PFC的HiperPFS控制器芯片

  • 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款 ...
  • 關鍵字： 集成高壓  MOSFET  PFC  控制器芯片  

新型MOSFET滿足高速開關等三大關鍵性能

  • 現在人們關注“平板電視”和“太陽能電池”，這兩個領域都注重環保理念，需要進行低損耗、高效率的產品開發。 ...
  • 關鍵字： MOSFET  高速開關  

Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  Si8802DB  

估算熱插拔MOSFET的瞬態溫升—第1部分

  • 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
  • 關鍵字： MOSFET  瞬態溫升  

Vishay Siliconix發布新款E系列MOSFET器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優值系數。 　　 ? 　　與前一代S系列器件相比，新的
  • 關鍵字： Vishay Siliconix  MOSFET  

滿足開關電源要求的功率MOSFET

  • 近年來，電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大（某些電源系統輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設計中采用...
  • 關鍵字： 開關電源  MOSFET  

Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產品獎

  • 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅動器

  • 閉鎖繼電器在給線圈一個短電壓脈沖時，會改變自己的狀態。由于這些繼電器不需要連續的線圈電流來保持狀態...
  • 關鍵字： MOSFET  繼電器  驅動器  

基于TLE6210和L9349設計的ABS驅動電路

  • ABS作為如今汽車上必備的安全電子設備，其功能越來越受到人們的重視。ABS系統通過電磁閥和回油泵來完成對...
  • 關鍵字： 驅動電路  ABSTLE6210  MOSFET  

兩種常見的MOSFET驅動電路設計

  • 由分立器件組成的驅動電路((如圖所示)，驅動電路工作原理如下：　　A.當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關閉，電容C4上的電壓(約14V)經過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導通。在導通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
  • 關鍵字： 電路設計  驅動  MOSFET  常見  

安森美半導體持續擴充下一代計算產品平臺方案

  • Sept. 21, 2011 – 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產品系列。
  • 關鍵字： 安森美  半導體  MOSFET  

Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC

  • 美國加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設計靈活性，既可提升效率（最高效率可超過97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達750 kHz）來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  HiperLCS器件  

電動自行車控制器MOSFET驅動電路的設計

  • 電動自行車具有環保節能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
  • 關鍵字： 電路  設計  驅動  MOSFET  自行車  控制器  電動  

節省汽車燃料的有效途徑：“啟動/停止”系統

  • 許多汽車制造商設計了一種節省汽車燃料的巧妙方法，就是運用了被稱為“啟動/停止”系統的新概念。該系統...
  • 關鍵字： MOSFET  引擎  離合器  

低VCEsat雙極結晶體管和MOSFET的比較

  • 新型低VCEsat BJT技術為傳統的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優勢的產品。　　便攜式產品(如手機、數碼照相機、
  • 關鍵字： 比較  MOSFET  晶體管  雙極結  VCEsat  
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