coolsic mosfet 650v g2 文章
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- 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能
1 LM
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控制器 -LM5046 全橋移 驅動器 MOSFET 集成
- 隨著個人計算機行業向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
- 關鍵字：
MOSFET 高精度 設計技巧
- 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。
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IR MOSFET
- 為了減輕對環境的影響，最新的電子設備急需高效率化，并且對其中配備的電機、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢（軟件控制）。因此，電子設計工程師除了需要微處理器/DSP的知識之外，關于功率器件的驅動知識也是必不可少。
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新日本無線 MOSFET 驅動器NJW4800
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。
- 關鍵字：
IR MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。
新推出的器件系列采用多種標準封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個器件型號，其中包括通態電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準。
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英飛凌 汽車電源 MOSFET
- 2011 年 9 月 13 日— Intersil公司（納斯達克全球交易代碼：ISIL）今天推出業內首款雙6A峰值電流驅動能力的雙通道MOSFET驅動器---ISL89367。此款獨特器件為設計人員提供了高速驅動多個并聯大電流功率MOSFET的集成解決方案，非常適合用于開關電源、電機驅動器和D類放大器等應用。
- 關鍵字：
Intersil MOSFET
- 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。
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英飛凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
- 隨著家用電器、視聽產品的普及，辦公自動化的廣泛應用和網絡化的不斷發展，越來越多的產品具有了待機功能，以隨時...
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待機功耗 MOSFET
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也...
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MOSFET MOSFET驅動電路
- 首先要進行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道M...
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PMOS 開關管 MOSFET 二極管
- 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出用于汽車系統自安嶄新的可調節輸出非同步升壓控制器。
NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內部穩壓器為門驅動器提供電荷，它在休眠模式下的靜態電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開關頻率特性，提供兩種分別可設定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
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安森美半導體 MOSFET 非同步升壓控制器 NCV8871
- 恩智浦半導體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。
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NXP MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
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Vishay MOSFET
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