據韓國至頂網(ZDNET Korea)2月4日報道,三星電子旗下晶圓代工業務擬對部分制程價格進行調整,主要涉及4nm與8nm工藝,預計漲幅約在10%左右。業內人士透露,這兩項工藝已進入成熟階段,良率趨于穩定,且被認為接近“實際產能極限”。其中,注重性能的客戶更傾向于選擇4nm工藝,而對價格敏感的客戶則偏向8nm工藝。具體漲幅可能因客戶類型和工藝不同而有所差異。通過此次價格調整,三星電子晶圓代工部門有望為自身工藝研發提供資金支持,同時提升中長期盈利能力。與此同時,臺積電此前已多次上調工藝價格,主要原因是AI
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三星電子 4nm 8nm
1月最后一個交易日存儲價格突然受到AI需求可能緊縮的影響出現暴跌,雖然這波行情可能屬于短期震蕩,但這還是為很多存儲廠商亮麗的年報蒙上一層陰影
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據報道,智能手機市場在人工智能創新推動下連續兩年增長,但今年卻面臨增長放緩的局面。存儲芯片等零部件價格大幅上漲,導致三星電子和蘋果公司宣布新款旗艦產品——Galaxy S26和iPhone 18系列的價格將上調。 三星電子為應對成本壓力,在其新款中端機型Galaxy A57中首次采用華星光電的OLED顯示屏。Galaxy A系列定位中端市場,主要面向對價格敏感的消費者,尤其在美國、印度、東南亞和拉丁美洲等地區具有重要市場地位。 行業分析師認為,三星電子通過垂直整合戰略,在成本控制方面具
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業內消息人士周二表示,三星電子為寶馬集團生產的電動汽車提供了先進的汽車處理器,這標志著這家韓國科技巨頭汽車零部件組合擴展的突破。據消息人士透露,三星電子為寶馬新款iX3電動車提供了Exynos Auto V720芯片,成為這家德國汽車制造商軟件定義車輛項目的關鍵半導體合作伙伴。全新iX3是一款基于寶馬先進電動平臺Neue Klasse打造的中型電動運動型多功能車。該車型于9月發布,計劃于2026年下半年在韓國上市。消息人士稱,三星電子預計還將為其他下一代寶馬電動車以及傳統車型供應Exynos芯片。消息人士
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根據ZDNet 的報道,三星電子正在開發系統級面板(SoP)這一先進的半導體封裝技術。報道指出,如果 SoP 技術快速發展,三星可能會在特斯拉下一代 Dojo 封裝供應鏈中占據一席之地。目前,特斯拉計劃將其“AI6”芯片的 Dojo 封裝由三星晶圓廠制造并由英特爾進行封裝,報道顯示。報道中解釋說,SoP 將半導體集成在一個超大型面板上,能夠實現比傳統封裝更大的模塊。SoP 不是使用印刷電路板(PCB)或芯片與電路板之間的薄層硅中介層,而是將多個半導體直接安裝在矩形面板上,芯片之間的連接通過每個芯
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Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業務表現不佳,該業務占整體利潤的 50-60%。由于持續的技術問題,高帶寬內存(HBM)和其他高容量、高附加值內存產品未能從蓬勃發展的人工智能(AI)領域獲益。代工(合同芯片制造)和系統 LSI 業務也因未能爭取到主要客戶而繼續虧損。然而,隨著 Nvidia 的 HBM 大規模生產批準的可能性在第三季度增加,以及上半年積累的內存庫存得到清理,人們對業績反彈的預期正在增長。根據行業消息,7 月 8 日三星電子的設備解決方案(DS)部
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三星電子在今年第二季度錄得的營業利潤明顯低于市場預期,引發了對其高帶寬內存 (HBM) 業務失敗的擔憂,這被視為這一缺口背后的最大原因,以及代工業務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷,但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績,而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是,三星電子自第四代 HBM (HBM3) 以來,所有代 HBM 產品都未能取得顯著成果,導致 SK 海力士和美光占據市場領先地位。根據國內證券公司的分析,三星電子的內存部門錄得約 3 萬億韓元的營業利
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據最新消息,三星電子已制定明確的技術路線圖,計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝(1d nm)后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。在規劃下一代DRAM工藝時,三星電子曾面臨兩種選擇:1e nm工藝和VCT DRAM技術。經過深入研究和對比,三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm,VCT技術在性能和效率方面表現更優。為加快研發進度,三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發團隊,集中力量推進1d nm工藝的開發。VCT DRAM技術是一種新型存儲
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三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元(約1萬億韓元),在大都市地區建立極紫外(EUV)研究中心,致力于打造面向未來的半導體制造設備以保持三星在先進工藝制程技術的領先性。針對這次合作,ASML特別與韓國土地住宅公社(LH)簽訂了在京畿道華城購買6個地塊(約 19,000 平方米)的合同以建設研發中心。不過最近這項計劃可能出現了一些變動, ASML最近出售了其中的兩塊地塊,并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊,但ASML似乎沒有計劃在剩余的空間里與三星建立研發中心。 ASML 是
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三星電子 ASML EUV
根據韓國媒體Pulse的報道,復雜國際形勢下,三星已經開始與全球主要客戶進行價格調整的談判,三星計劃對DRAM和NAND閃存產品進行3%至5%的提價。報道指出,在過去的幾個月里,存儲器芯片的需求因為客戶的儲備行為而急劇上升,這使得三星開始重新考慮其定價策略。此前,該公司由于市場供應過剩和需求疲軟,長期維持穩定價格。然而,隨著國際形勢以及存儲市場變化,加上競爭對手宣布提價,三星也開始加入漲價陣營。根據TrendForce集邦咨詢預測,DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%,而NAND閃存的價格也將隨著需求
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三星電子 存儲器
據韓國媒體 etnews 最新報道,三星電子在智能穿戴設備領域又有新動作,除了正在推進的頭顯產品 Project Moohan 外,公司還在秘密研發一款代號為“??”(海岸)的智能眼鏡。據悉,這款智能眼鏡預計將于今年年底正式發布,為市場帶來新的驚喜。雖然具體規格尚未公布,但據透露,三星在這款智能眼鏡的人體工學設計上投入了大量精力,力求為用戶提供極致的佩戴舒適度。值得一提的是,這款智能眼鏡并未配備傳統的遙控器或按鈕,而是可能采用了更為先進的手勢交互技術。etnews 推測,眼鏡上可能會集成攝像頭和傳感器,以
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三星電子 智能穿戴 智能眼鏡
除了 ArF 空白掩膜,三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。
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據韓媒報道,三星電子近日正在為旗下自研處理器Exynos 2600投入大量資源,以確保其按時量產,且已在試產中獲得初步成功,其2nm工藝(SF2)的良率達到了高于預期的30%。這一工藝被預期在今年下半年進行量產,并且這一良品率還有望進一步提升。報道中稱,SF2是三星晶圓代工部門計劃在2025年下半年推出的最新制程技術,采用第三代GAA技術。與SF3制程技術相較,SF2性能有望提高12%,能效提高25%,而芯片面積微縮5%。有消息稱,Exynos 2600預計將用在計劃于2026年第一季發表的Galaxy
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三星電子 SF2 芯片制程
12 月 3 日消息,據韓媒 Business Korea 昨日報道,三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能(AI)的低功耗存儲器標準化。報道提到,兩家公司已經確定,有必要建立聯盟,以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱,三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段,正在進行向聯合電子設備工程委員會(JEDEC)注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規格。▲ 圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
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●? ?采用是德科技的超寬帶測試解決方案,并搭載三星的?U100?芯片組進行測試●? ?可確保超寬帶設備的穩定性和安全性是德科技助力三星電子成功驗證FiRa? 2.0安全測距測試用例是德科技(Keysight Technologies, Inc.)成功助力三星電子,在其Exynos Connect U100芯片組上驗證了FiRa? 2.0安全測試用例。此次驗證得益于是德科技提供的超寬帶?(UWB)測試解決方案,該方案符合物理層一致性測試
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