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三星電子計劃上調(diào)4nm與8nm工藝價格，漲幅約10%
- 據(jù)韓國至頂網(wǎng)（ZDNET Korea）2月4日報道，三星電子旗下晶圓代工業(yè)務(wù)擬對部分制程價格進(jìn)行調(diào)整，主要涉及4nm與8nm工藝，預(yù)計漲幅約在10%左右。業(yè)內(nèi)人士透露，這兩項(xiàng)工藝已進(jìn)入成熟階段，良率趨于穩(wěn)定，且被認(rèn)為接近“實(shí)際產(chǎn)能極限”。其中，注重性能的客戶更傾向于選擇4nm工藝，而對價格敏感的客戶則偏向8nm工藝。具體漲幅可能因客戶類型和工藝不同而有所差異。通過此次價格調(diào)整，三星電子晶圓代工部門有望為自身工藝研發(fā)提供資金支持，同時提升中長期盈利能力。與此同時，臺積電此前已多次上調(diào)工藝價格，主要原因是AI
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三星電子Galaxy A57首次采用華星光電OLED屏
- 據(jù)報道，智能手機(jī)市場在人工智能創(chuàng)新推動下連續(xù)兩年增長，但今年卻面臨增長放緩的局面。存儲芯片等零部件價格大幅上漲，導(dǎo)致三星電子和蘋果公司宣布新款旗艦產(chǎn)品——Galaxy S26和iPhone 18系列的價格將上調(diào)。 三星電子為應(yīng)對成本壓力，在其新款中端機(jī)型Galaxy A57中首次采用華星光電的OLED顯示屏。Galaxy A系列定位中端市場，主要面向?qū)r格敏感的消費(fèi)者，尤其在美國、印度、東南亞和拉丁美洲等地區(qū)具有重要市場地位。 行業(yè)分析師認(rèn)為，三星電子通過垂直整合戰(zhàn)略，在成本控制方面具
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三星電子為寶馬電動汽車提供汽車處理器
- 業(yè)內(nèi)消息人士周二表示，三星電子為寶馬集團(tuán)生產(chǎn)的電動汽車提供了先進(jìn)的汽車處理器，這標(biāo)志著這家韓國科技巨頭汽車零部件組合擴(kuò)展的突破。據(jù)消息人士透露，三星電子為寶馬新款iX3電動車提供了Exynos Auto V720芯片，成為這家德國汽車制造商軟件定義車輛項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體合作伙伴。全新iX3是一款基于寶馬先進(jìn)電動平臺Neue Klasse打造的中型電動運(yùn)動型多功能車。該車型于9月發(fā)布，計劃于2026年下半年在韓國上市。消息人士稱，三星電子預(yù)計還將為其他下一代寶馬電動車以及傳統(tǒng)車型供應(yīng)Exynos芯片。消息人士
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三星據(jù)報道在超大面板上推動 SoP 封裝，挑戰(zhàn)臺積電和英特爾
- 根據(jù)ZDNet 的報道，三星電子正在開發(fā)系統(tǒng)級面板（SoP）這一先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)。報道指出，如果 SoP 技術(shù)快速發(fā)展，三星可能會在特斯拉下一代 Dojo 封裝供應(yīng)鏈中占據(jù)一席之地。目前，特斯拉計劃將其“AI6”芯片的 Dojo 封裝由三星晶圓廠制造并由英特爾進(jìn)行封裝，報道顯示。報道中解釋說，SoP 將半導(dǎo)體集成在一個超大型面板上，能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)封裝更大的模塊。SoP 不是使用印刷電路板（PCB）或芯片與電路板之間的薄層硅中介層，而是將多個半導(dǎo)體直接安裝在矩形面板上，芯片之間的連接通過每個芯
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三星旨在通過新一代 DRAM 和 HBM4 實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體回歸
- Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)不佳，該業(yè)務(wù)占整體利潤的 50-60%。由于持續(xù)的技術(shù)問題，高帶寬內(nèi)存（HBM）和其他高容量、高附加值內(nèi)存產(chǎn)品未能從蓬勃發(fā)展的人工智能（AI）領(lǐng)域獲益。代工（合同芯片制造）和系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)也因未能爭取到主要客戶而繼續(xù)虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規(guī)模生產(chǎn)批準(zhǔn)的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內(nèi)存庫存得到清理，人們對業(yè)績反彈的預(yù)期正在增長。根據(jù)行業(yè)消息，7 月 8 日三星電子的設(shè)備解決方案（DS）部
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三星電子的半導(dǎo)體困境：HBM苦苦掙扎，競爭對手表現(xiàn)出色
- 三星電子在今年第二季度錄得的營業(yè)利潤明顯低于市場預(yù)期，引發(fā)了對其高帶寬內(nèi)存 （HBM） 業(yè)務(wù)失敗的擔(dān)憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務(wù)的潛在復(fù)蘇。盡管存儲半導(dǎo)體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領(lǐng)下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果，導(dǎo)致 SK 海力士和美光占據(jù)市場領(lǐng)先地位。根據(jù)國內(nèi)證券公司的分析，三星電子的內(nèi)存部門錄得約 3 萬億韓元的營業(yè)利
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三星電子將引入VCT技術(shù)，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲
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地都賣了，三星電子與ASML半導(dǎo)體研發(fā)合作還能繼續(xù)嗎？
- 三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區(qū)建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導(dǎo)體制造設(shè)備以保持三星在先進(jìn)工藝制程技術(shù)的領(lǐng)先性。針對這次合作，ASML特別與韓國土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購買6個地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設(shè)研發(fā)中心。不過最近這項(xiàng)計劃可能出現(xiàn)了一些變動， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊，但ASML似乎沒有計劃在剩余的空間里與三星建立研發(fā)中心。 ASML 是
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三星電子計劃上調(diào)存儲器價格
- 根據(jù)韓國媒體Pulse的報道，復(fù)雜國際形勢下，三星已經(jīng)開始與全球主要客戶進(jìn)行價格調(diào)整的談判，三星計劃對DRAM和NAND閃存產(chǎn)品進(jìn)行3%至5%的提價。報道指出，在過去的幾個月里，存儲器芯片的需求因?yàn)榭蛻舻膬湫袨槎眲∩仙@使得三星開始重新考慮其定價策略。此前，該公司由于市場供應(yīng)過剩和需求疲軟，長期維持穩(wěn)定價格。然而，隨著國際形勢以及存儲市場變化，加上競爭對手宣布提價，三星也開始加入漲價陣營。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%，而NAND閃存的價格也將隨著需求
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韓媒：三星智能眼鏡“海岸”項(xiàng)目正開發(fā)中，或于年底面世
- 據(jù)韓國媒體 etnews 最新報道，三星電子在智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域又有新動作，除了正在推進(jìn)的頭顯產(chǎn)品 Project Moohan 外，公司還在秘密研發(fā)一款代號為“??”（海岸）的智能眼鏡。據(jù)悉，這款智能眼鏡預(yù)計將于今年年底正式發(fā)布，為市場帶來新的驚喜。雖然具體規(guī)格尚未公布，但據(jù)透露，三星在這款智能眼鏡的人體工學(xué)設(shè)計上投入了大量精力，力求為用戶提供極致的佩戴舒適度。值得一提的是，這款智能眼鏡并未配備傳統(tǒng)的遙控器或按鈕，而是可能采用了更為先進(jìn)的手勢交互技術(shù)。etnews 推測，眼鏡上可能會集成攝像頭和傳感器，以
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傳三星2nm SF2工藝初始良率達(dá)30%
- 據(jù)韓媒報道，三星電子近日正在為旗下自研處理器Exynos 2600投入大量資源，以確保其按時量產(chǎn)，且已在試產(chǎn)中獲得初步成功，其2nm工藝（SF2）的良率達(dá)到了高于預(yù)期的30%。這一工藝被預(yù)期在今年下半年進(jìn)行量產(chǎn)，并且這一良品率還有望進(jìn)一步提升。報道中稱，SF2是三星晶圓代工部門計劃在2025年下半年推出的最新制程技術(shù)，采用第三代GAA技術(shù)。與SF3制程技術(shù)相較，SF2性能有望提高12%，能效提高25%，而芯片面積微縮5%。有消息稱，Exynos 2600預(yù)計將用在計劃于2026年第一季發(fā)表的Galaxy
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消息稱三星和 SK 海力士達(dá)成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存
- 12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標(biāo)準(zhǔn)化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）注冊標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個需要標(biāo)準(zhǔn)化項(xiàng)目的適當(dāng)規(guī)格。▲ 圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲和計
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