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英飛凌二氧化碳減排目標(biāo)獲科學(xué)碳目標(biāo)倡議組織認(rèn)證

●? ?英飛凌的范圍1和范圍2目標(biāo)達(dá)到SBTi對(duì)近期減排目標(biāo)的最高標(biāo)準(zhǔn)●? ?英飛凌通過制定有力的范圍3目標(biāo)進(jìn)一步減少供應(yīng)鏈排放量●? ?英飛凌通過與100多家供應(yīng)商積極合作，進(jìn)一步減排英飛凌科技管理委員會(huì)成員兼首席數(shù)字化轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展官Elke Reichart全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近期在低碳化方面取得新進(jìn)展：其溫室氣體減排目標(biāo)獲得科學(xué)碳目標(biāo)倡議組織（SBTi）的認(rèn)證。獲批的目標(biāo)包括公司自身的排放量（范圍&n
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英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破

在全國兩會(huì)聚焦新能源汽車充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS?和TRENCHSTOP??IGBT，?CoolSiC??MOSFET和EiceDRIVER?驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網(wǎng)互動(dòng)解決方案的技術(shù)升級(jí)，顯著提升充換電設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性，為充電
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英飛凌贏得Rivian牽引逆變器功率模塊訂單

美國汽車制造商 Rivian 已與英飛凌簽約，為其“R2”汽車平臺(tái)提供牽引逆變器功率模塊、微控制器和功率 IC，預(yù)計(jì)將于 2026 年開始供貨。這些功率模塊將采用英飛凌的 HybridPack Drive G2 格式（如圖），包括硅和碳化硅組件。除此之外，Rivian 還選擇了英飛凌成熟的 TC3x MCU，而不是其新的 TC4x 系列——這兩者都有其專有的 TriCore CPU，而不是 x86、Arm 或 RISC-V。目前，英飛凌只有四個(gè) G2 HybridPACK 驅(qū)動(dòng)模塊，都是三相橋：
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英飛凌啟動(dòng)公司25周年傳播項(xiàng)目

為慶祝公司25周年，英飛凌科技股份公司近日啟動(dòng)了一項(xiàng)全球整合傳播活動(dòng)，旨在彰顯半導(dǎo)體技術(shù)的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)價(jià)值，以及英飛凌在推動(dòng)低碳化和數(shù)字化方面做出的貢獻(xiàn)。這場傳播活動(dòng)的核心主旨是：英飛凌的產(chǎn)品和解決方案對(duì)我們每個(gè)人的日常生活都至關(guān)重要?；顒?dòng)內(nèi)容將圍繞“Matters to me”這一主題展開一系列的情感講述。英飛凌25周年“Matters to me”品牌標(biāo)識(shí)英飛凌科技管理委員會(huì)成員兼首席營銷官Andreas Urschitz表示：“2000年3月13日，英飛凌上市，為我們成為全球領(lǐng)先的科技企業(yè)邁出了關(guān)鍵勇
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英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺(tái)DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強(qiáng)大，對(duì)板級(jí)電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對(duì)于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司近日宣布，其采用緊湊型5x6 mm2?雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS??6 80V?功率?MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI服務(wù)器平臺(tái)的?IBC級(jí)。應(yīng)用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約?0.4%，相當(dāng)于每kW負(fù)載節(jié)
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英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調(diào)電源方案

這是一個(gè)用于測試 2.5 kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的平臺(tái)。它旨在評(píng)估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢。例如提高效率和信號(hào)質(zhì)量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅(qū)動(dòng)器和碳化硅二極管在內(nèi)的完整 Infineon 解決方案。文件中提供了關(guān)于如何使用該評(píng)估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現(xiàn)以及四腳封裝的優(yōu)勢的信息，目標(biāo)讀者是經(jīng)驗(yàn)豐富的電源電子工程師和技術(shù)人員。 ? 評(píng)估板的目的與組成 ? 此評(píng)估板旨在評(píng)估TO-247 4針 CoolMOS
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英飛凌推出用于高壓應(yīng)用的EasyPACK? CoolGaN?功率模塊，進(jìn)一步擴(kuò)大其氮化鎵功率產(chǎn)品組合

隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動(dòng)汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預(yù)計(jì)全球?qū)﹄娏Φ男枨髮?huì)快速增長。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進(jìn)一步擴(kuò)大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺(tái)，專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動(dòng)汽車充電樁等大功率應(yīng)用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設(shè)計(jì)進(jìn)程，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
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英飛凌與美的簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議：聚焦技術(shù)創(chuàng)新與智能綠色生活

近期，英飛凌科技與美的集團(tuán)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過深度整合各自優(yōu)勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應(yīng)等多維度加深合作，共同為消費(fèi)者提供綠色、安全、高效的產(chǎn)品與服務(wù)。英飛凌科技高級(jí)副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝，美的集團(tuán)副總裁兼首席可持續(xù)發(fā)展官李國林代表雙方正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。英飛凌科技高級(jí)副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝(圖右)與美的集團(tuán)副總裁兼首席可持續(xù)發(fā)展官李國林(圖左)長期以來，英飛凌與美的集團(tuán)緊密合作，技術(shù)協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級(jí)，合作領(lǐng)域不斷拓展，從最初聚
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EMC與成本雙優(yōu)解車載燈光域控制器集成方案落地

TLD7002-16ES網(wǎng)關(guān)應(yīng)用示例在現(xiàn)代汽車中，眾多電子控制單元（ECU）負(fù)責(zé)控制各種功能，如發(fā)動(dòng)機(jī)管理、傳動(dòng)控制、制動(dòng)系統(tǒng)和信息娛樂系統(tǒng)。每個(gè)ECU通常都配備有自己的MCU，這增加了汽車電氣架構(gòu)的總體復(fù)雜性和成本。車燈的情況也是如此，前后左右的車燈通常都有各自獨(dú)立的ECU。尤其在一些車燈包含成百上千個(gè)像素，或者燈是由多塊分散的印刷電路板（PCB）組成時(shí)，以市場現(xiàn)存大量量產(chǎn)的LED驅(qū)動(dòng)解決方案而言，每個(gè)燈板都需要使用一片MCU來作為控制的轉(zhuǎn)發(fā)點(diǎn)來提升系統(tǒng)的可靠性，通訊速度以及電磁兼容（EMC）性能。本文
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英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss）和 2.3 mΩ （1200 V BDss）的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開關(guān)

氮化鎵（GaN）單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對(duì)背（B2B）拓?fù)浼?jí)聯(lián)兩個(gè)器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設(shè)備的平行組，以使返回到使用單向開關(guān)獲得的值?？梢詧?zhí)行此類四季度操作的單片設(shè)備可以通過用單個(gè)設(shè)備替換四個(gè)活
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英飛凌發(fā)布2025財(cái)年第二季運(yùn)營成果

●? ?2025財(cái)年第二季度：營收為?35.91?億歐元，利潤為6.01?億歐元，利潤率16.7%●? ?2025財(cái)年第三季度展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.125，預(yù)計(jì)營收將達(dá)到?37?億歐元。在此基礎(chǔ)上，利潤率預(yù)計(jì)為14%~16%左右●? ?2025財(cái)年展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.125（之前假設(shè)為1:1.05），預(yù)計(jì)營收較上一年將略有下降。這包括了對(duì)關(guān)稅政策潛在影響的估算。調(diào)整后的毛
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關(guān)稅削減，英飛凌德累斯頓晶圓廠終獲10億歐元資金

英飛凌科技股份公司已獲得德國聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)事務(wù)部（German Federal Ministry for Economic Affairs）的最終批準(zhǔn)，為其位于德累斯頓的智能發(fā)電廠提供資金。與此同時(shí)，該公司預(yù)計(jì)，由于美國對(duì)汽車征收關(guān)稅，到 2025 年銷量將減少 10%。該晶圓廠的 10 億歐元資金將推動(dòng)該公司對(duì)智能功率器件生產(chǎn)的 50 億歐元投資。這是歐盟芯片法案和 IPCEI ME/CT 創(chuàng)新計(jì)劃（微電子和通信技術(shù)方面歐洲共同利益的重要項(xiàng)目）資助的一部分，該計(jì)劃于 2 月通過德國政府獲得批準(zhǔn)?！拔覀兊闹悄茈?/li>
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英飛凌2EP EiceDRIVER? Power系列全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品全員到齊，收藏這篇就夠了！

英飛凌憑借其高性能功率開關(guān)器件和EiceDRIVER?列的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器而聞名，每個(gè)功率開關(guān)都需要驅(qū)動(dòng)器，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器的選擇，英飛凌共有441個(gè)不同的型號(hào)（截止2025年1月16日），分別屬于非隔離型、電平位移型和采用無磁芯變壓器的隔離型。《好物下載丨《英飛凌柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)選型指南》——92頁產(chǎn)品信息和技術(shù)資料》為了實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都需要電源。對(duì)于電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器，電源通常是由自舉電路提供。對(duì)于隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，需要一個(gè)同樣具有隔離功能的隔離電源供電。接下來，你將了解到我們的&
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英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn)，加速電動(dòng)汽車普及與工業(yè)效率提升

英飛凌科技股份公司作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領(lǐng)行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能及高功率牽引逆變器等?，F(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及在硅基電荷補(bǔ)償器件（CoolMOS?）領(lǐng)域的創(chuàng)新優(yōu)勢，推出了SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)。ID-PAK封裝MDIP-04-01英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter W
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