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英飛凌榮膺陽光電源2025年度“全球戰(zhàn)略伙伴”殊榮

近日，在陽光電源2026全球合作伙伴大會(huì)上，全球功率系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力、豐富的產(chǎn)品組合以及深度的產(chǎn)業(yè)協(xié)同榮膺陽光電源2025年度“全球戰(zhàn)略伙伴”殊榮。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Dr. Peter Wawer、英飛凌科技高級(jí)副總裁兼工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)首席營銷官Andreas Weisl、英飛凌科技執(zhí)行副總裁Dominik Bilo、英飛凌科技高級(jí)副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝出席了本次活動(dòng)。英飛凌科技榮膺陽光電源2025年度“全球戰(zhàn)略伙伴獎(jiǎng)”陽光電源高度認(rèn)
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英飛凌推出首款帶光耦仿真器輸入的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出EiceDRIVER? 1ED301xMC12I產(chǎn)品系列，這是一系列支持光耦仿真器輸入的高性能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該系列器件與現(xiàn)有光耦仿真器和光耦合器引腳兼容，具備高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）、強(qiáng)大的輸出級(jí)，以及比現(xiàn)有解決方案更精準(zhǔn)的時(shí)序特性。這使得工程師能夠無縫遷移到碳化硅（SiC）技術(shù)，而無需對(duì)現(xiàn)有的光電控制方案進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品系列非常適合對(duì)高速、可靠且支持SiC的柵極驅(qū)動(dòng)器有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景，例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電
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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長

●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長率高達(dá)44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機(jī)器人、量子計(jì)算等新興市場(chǎng)氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動(dòng)功率電子行業(yè)迎來一場(chǎng)重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場(chǎng)景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。英
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英飛凌收購艾邁斯歐司朗混合信號(hào)傳感器產(chǎn)品線

英飛凌科技（Infineon Technologies）正進(jìn)一步加碼傳感器業(yè)務(wù)，宣布計(jì)劃以 5.7億歐元收購 ams OSRAM 集團(tuán)的非光學(xué)模擬/混合信號(hào)傳感器產(chǎn)品組合。此項(xiàng)交易將顯著拓展英飛凌在汽車、工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)的布局，并為其“系統(tǒng)級(jí)解決方案”戰(zhàn)略注入新的深度。對(duì)于《eeNews Europe》的讀者而言，這一舉措揭示了傳感器領(lǐng)域的創(chuàng)新與整合趨勢(shì)，并預(yù)示其對(duì)軟件定義汽車、工業(yè)自動(dòng)化以及新興物理人工智能（Physical AI）等應(yīng)用場(chǎng)景中系統(tǒng)級(jí)集成可能帶來的深遠(yuǎn)影響。
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英飛凌CoolSiC MOSFET獲選用于豐田bZ4X純電動(dòng)車

英飛凌（Infineon）宣布，其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體已被豐田（Toyota）新一代純電動(dòng)車 bZ4X 采用。具體而言，英飛凌的 CoolSiC? MOSFET 將用于該車型的車載充電機(jī)（OBC）。對(duì)于《eeNews Europe》的讀者而言，這一消息具有重要參考價(jià)值：它表明碳化硅的應(yīng)用正加速從主驅(qū)逆變器擴(kuò)展至電動(dòng)汽車中其他關(guān)鍵的電力轉(zhuǎn)換模塊。同時(shí)，這也凸顯了汽車制造商正越來越多地采用寬禁帶（WBG），以實(shí)現(xiàn)更快充電速度和更長續(xù)航里程等可量化的電動(dòng)出行優(yōu)勢(shì)。碳
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英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動(dòng)車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對(duì)于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而言，這一消息清晰體現(xiàn)出碳化硅的應(yīng)用正加速突破牽引逆變器領(lǐng)域，延伸至汽車核心的功率轉(zhuǎn)換模塊；同時(shí)也凸顯出車企正愈發(fā)廣泛地采用寬禁帶半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車快充提速、續(xù)航提升等可量化的性能優(yōu)化。碳化硅深度融入豐田電動(dòng)汽車功率電子系統(tǒng)據(jù)官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
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英飛凌擬調(diào)漲電源芯片價(jià)格，或影響電子供應(yīng)鏈

據(jù)Tom's Hardware報(bào)道，受AI技術(shù)熱潮推動(dòng)，全球?qū)β书_關(guān)和IC的需求激增，英飛凌（Infineon）計(jì)劃于2026年4月1日起調(diào)漲部分電源芯片價(jià)格。這一消息若屬實(shí)，可能會(huì)對(duì)整體電子供應(yīng)鏈成本產(chǎn)生連鎖反應(yīng)。據(jù)悉，社群平臺(tái)近期流傳的一封英飛凌致客戶的信函顯示，公司行銷長Andreas Urschitz在信中提到，為滿足AI產(chǎn)業(yè)及其他領(lǐng)域的需求，英飛凌需提前擴(kuò)充產(chǎn)能。由于成本持續(xù)攀升，公司已無法自行消化，因此決定調(diào)整價(jià)格。信中明確指出，新價(jià)格將適用于2026年4月1日及之后的新訂單，以及預(yù)
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英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)IC，加速SiC方案設(shè)計(jì)

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級(jí)的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現(xiàn)有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對(duì)于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業(yè)與能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師而言，這一產(chǎn)品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設(shè)計(jì)控制板即可快速升級(jí)至更高效率SiC方案的路徑。同時(shí)，這也凸顯了當(dāng)前柵極驅(qū)動(dòng)器性能正不斷演
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英飛凌出售泰國工廠，優(yōu)化全球制造布局

據(jù)英飛凌科技透露，其已完成位于泰國曼谷/暖武里府的后端制造工廠的出售，買方為馬來西亞太平洋工業(yè)有限公司（MPI）。此次交易于2月4日完成，MPI接管了曼谷/暖武里府的后端工廠，并與英飛凌簽署了一份長期供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，MPI將保留所有生產(chǎn)相關(guān)員工，確保員工隊(duì)伍的連續(xù)性以及現(xiàn)有項(xiàng)目的穩(wěn)定性。英飛凌強(qiáng)調(diào)，此舉并非退出泰國市場(chǎng)，而是對(duì)其區(qū)域戰(zhàn)略的補(bǔ)充。2025年1月，英飛凌在曼谷以南的北欖府啟動(dòng)了新的后端晶圓廠建設(shè)，進(jìn)一步強(qiáng)化其在泰國半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的地位。英飛凌通過將現(xiàn)有工廠出售給值得信賴的OSAT合作伙伴
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英飛凌收購艾邁斯歐司朗非光學(xué)模擬/混合信號(hào)傳感器業(yè)務(wù)

●? ?此次計(jì)劃的收購將擴(kuò)展英飛凌的傳感器業(yè)務(wù)，并增強(qiáng)其適用于汽車、工業(yè)和醫(yī)療健康市場(chǎng)的系統(tǒng)級(jí)解決方案●? ?被收購業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將產(chǎn)生約2.3億歐元的營收；此次收購的交易金額為5.7億歐元；預(yù)計(jì)交易完成后將立即增厚每股收益●? ?約230名員工將加入英飛凌的傳感器單元與射頻業(yè)務(wù)英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck英飛凌科技股份公司近日宣布收購艾邁斯歐司朗集團(tuán)（SIX：AMS）的非光學(xué)模擬/混合信號(hào)傳感器產(chǎn)品組合，進(jìn)一步擴(kuò)展其傳感器業(yè)務(wù)。
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英飛凌發(fā)布2026財(cái)年第一季度運(yùn)營成果: 2026財(cái)年順利開局

●? ?2026財(cái)年第一季度：營收為36.62億歐元，利潤為6.55億歐元，利潤率?17.9%。●? ?2026財(cái)年第二季度展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.15，預(yù)計(jì)營收約為38億歐元。在此基礎(chǔ)上，利潤率預(yù)計(jì)在14%~19%之間。●? ?2026財(cái)年展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.15，預(yù)計(jì)營收較上一財(cái)年將實(shí)現(xiàn)溫和增長。調(diào)整后的毛利率預(yù)計(jì)在40%-43%之間，利潤率為17%~19%。計(jì)劃投資約27億歐元（此前為22億歐元），以進(jìn)一步
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英飛凌與達(dá)美攜手實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心垂直供電

英飛凌深化了與臺(tái)達(dá)電子的現(xiàn)有合作，聯(lián)合研發(fā)新一代垂直供電（VPD）模塊，旨在為數(shù)據(jù)中心的 AI 芯片提供更高效的供電支持。雙方表示，此次合作融合了英飛凌高性能硅基 MOSFET、嵌入式封裝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及臺(tái)達(dá)在功率模塊設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域的深厚積淀。臺(tái)達(dá)為新款模塊采用了英飛凌 90A OptiMOS 集成功率級(jí)解決方案，模塊專為垂直供電設(shè)計(jì)，替代傳統(tǒng)的橫向供電模式，以此減少印刷電路板上的功率損耗及相應(yīng)的熱量產(chǎn)生。英飛凌電源與傳感器系統(tǒng)事業(yè)部總裁 Adam White 表示，此次合作主要面向超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商
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英飛凌推出新一代USB 2.0外設(shè)控制器EZ-USB? FX2G3

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代USB 2.0外設(shè)控制器EZ-USB? FX2G3，該產(chǎn)品可為USB設(shè)備帶來卓越的性能、強(qiáng)大的安全性與先進(jìn)的能效。這款新型控制器基于備受信賴的EZ-USB? FX2LP平臺(tái)，能夠?yàn)樾枰獰o縫、安全連接的行業(yè)提供高度適配的解決方案。高效、安全的數(shù)據(jù)傳輸需求正驅(qū)動(dòng)各行業(yè)創(chuàng)新升級(jí)，而USB技術(shù)在實(shí)現(xiàn)這種連接方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。EZ-USB? FX2G3控制器包含串行通信模塊（SCB）、可提高
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柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對(duì)于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當(dāng)保證設(shè)計(jì)靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無需大量設(shè)計(jì)工作和設(shè)計(jì)布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會(huì)認(rèn)為
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碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻越小，產(chǎn)品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會(huì)影響可靠性”01多元化的性能評(píng)價(jià)更全面Rsp并非唯一評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)雖然Rsp越小
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