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三星Galaxy S20系列手機(jī)全陣容真機(jī)照曝光：后攝配置不同
- 繼早前三星手機(jī)官方放出最新的Galaxy S20系列手機(jī)官方預(yù)熱視頻后，有關(guān)三星Galaxy S20全系的真機(jī)實(shí)拍照片也在網(wǎng)上流傳開來。從網(wǎng)傳真機(jī)照片來看，三星Galaxy S20系列手機(jī)攝像頭模塊的凸起程度各不相同，這似乎也暗示了三星Galaxy S20系列不同手機(jī)的攝像頭配置是有差異的。其中三星Galaxy S20 Ultra上的相機(jī)凸起非常明顯。根據(jù)現(xiàn)有爆料，預(yù)計(jì)三星Galaxy S20系列包括三款手機(jī)：Galaxy S20，S20+和S20 Ultra，分別采用的是6.2英寸、6.7英寸、6.9英
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價值200億美元 臺積電4月份揭秘3nm工藝：與三星關(guān)鍵決戰(zhàn)開始
- 在上周的說法會上,臺積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元,其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增,包括7nm、5nm及3nm。這次說法會上臺積電沒有公布3nm工藝的情況,因?yàn)樗麄?月份會有專門的發(fā)布會,會公開3nm工藝的詳情。臺積電的3nm工藝技術(shù)最終選擇什么路線,對半導(dǎo)體行業(yè)來說很重要,因?yàn)槟壳澳軌蛏钊氲?nm節(jié)點(diǎn)的就剩下臺積電和三星了,其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝,明確會放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。具體來說,三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP,后者的性能更好,不
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內(nèi)存現(xiàn)貨價狂飆 1月份以來DDR4內(nèi)存漲價17%
- 以前降價的時候一個季度也不過10%-15%的降價,最近這一個月來,內(nèi)存價格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過了2/3,內(nèi)存價格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價格信息來看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆粒現(xiàn)貨價全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價的動機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場
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2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析
- 張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000） 摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%，這個數(shù)字在年成長動輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會減少。 關(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光 觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場供需格局以及價格走勢，在歷經(jīng)近5個季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季 度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
- 關(guān)鍵字： 202002 內(nèi)存 DRAM 三星 SK海力士 美光
南亞科宣布10nm級內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)
- 全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光
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三星：內(nèi)存芯片市場開始出現(xiàn)恢復(fù)跡象 售價上漲不可能避免
- 對于三星來說，本周他們給出的去年第四季度財(cái)報(bào)預(yù)期時指出，公司的利潤可能會跌幅超50%以上，主要是內(nèi)存等芯片價格下滑所致，不過他們看起來并不擔(dān)心。星電子副董事長Kim Ki-nam接受媒體采訪時表示，內(nèi)存芯片市場開始出現(xiàn)改善跡象，這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動時間。這位三星電子副董事長在拉斯維加斯舉行的CES展會上對媒體表示：“有跡象表明市場正在復(fù)蘇。但是現(xiàn)在還很難預(yù)測市場復(fù)蘇了多少，也很難預(yù)測哪些因素將會起作用。”據(jù)悉，三星的第二座內(nèi)存芯片生產(chǎn)工廠即將建成，其面積相
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三星6nm工藝量產(chǎn)出貨 3nm GAE工藝上半年問世
- 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會完成3nm GAE工藝的開發(fā)。在進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體工藝制造越來越困難，但需求還在不斷提升，這就導(dǎo)致臺積電、三星把不同的工藝改進(jìn)下就推出新工藝了，而三星的6nm工藝實(shí)際上也就是7nm工藝的改進(jìn)版，在7nm EUV基礎(chǔ)上應(yīng)用三星獨(dú)特的Smart Scaling方案，可以大大縮小芯
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)
- 本周三，三星電子對外確認(rèn)，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認(rèn)為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲芯片制造上，會否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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