- 據路透社報道，三星將在近期宣布大幅度提高今年的芯片業務投資支出。而韓國當地媒體透露說，投資金額將達到20萬億韓元(177億美元)。
三星預計在新晶圓廠動工儀式上宣布這項投資計劃，該數字是原來規劃的兩倍還多。不過業界擔心，設備制造商可能很難為三星的這項大規模投資提供充足的設備支持，這就使得他們可能將之前打算向其它晶圓廠提供的設備轉向三星。
由于近幾年的全球芯片業務投資都低于平均水平，這使得市場的芯片供應非常吃緊。目前各大芯片制造商都在尋求增加投資支出、建立先進的生產工廠以擴大產能。
三
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三星 芯片
- 三星集團(Samsung Group)預計至2020年前將投資約23兆韓元(約203.32億美元)，發展汽車及太陽能電池、Bio制藥、醫療器材等5個親環境及健康相關未來產業。此外，三星也將開放雇用約4.5萬名員工，將成為景氣恢復的催生劑，受到各界矚目。
由三星集團會長李健熙于首爾市龍山區漢南洞的承志園中，所主持召開的新產業促進相關社長團會議中，三星表示為培育太陽能及汽車用電池、LED、Bio制藥、醫療器材等親環境、健康增進等新興產業，將投資共約23兆韓元的金額。
三星表示，將由結晶系太陽能
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三星 LED 太陽能
- 2010年第1季全球NAND Flash產業市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產業的產值規模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
NAND Flash產業2009年率先落底反彈，但2010年表現空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 對電視品牌或者面板廠商來說，LED背光TV無疑是今年產品開發的優先重點;為了成就LED TV跳躍式的出貨成長目標，廠商們都積極尋找穩定的LED芯片來源，將采購與備料重心聚焦在LED與光條上;然而WitsView認為，此時供應狀況相對被忽視的導光板與原材料PMMA，卻很有可能才是今年LED TV材料短缺問題上最嚴重的一環。
導光板原材聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的形式分成板材與粒子兩種，一般來說前者主要透過裁切用于尺寸較大的Monitor與TV導光板上，而后者則是透過射出成型的制程，運用在對厚度要
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Samsung LED
- DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產值持續攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩居全球DRAM龍頭寶座。
集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產業傳統淡季，不過，在電腦系統廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續走揚。
根據統計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現貨季均價也上漲14%;DDR2產品方面，第1季合約季均價上漲5%，現貨季均價則持平表現。
而在產品價格走揚，加上各
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三星 DRAM DDR3
- 三星計劃于今年晚些時候推出相變內存卡(PCM)，旨在取代當前手機等電子產品所使用的閃存技術。
相變內存由相變材料制成，通過加熱材料形式來存儲數據。與閃存存儲相比，相變內存存儲數據時更加省電，預計可延長電池續航時間20%。
在速度方面，相變內存的優勢更加明顯，其存取數據的速度比閃存快9倍。三星表示，相變內存模塊預計于今年晚些時候下線，最初的容量為512MB。三星預計，對于多種電子產品，相變內存最終取代當前的閃存技術。
值得一提的是，相變內存存儲數據時所需溫度在150至600攝氏度之間，
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三星 PCM
- 頂級內存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務器廠商對DDR3內存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內存芯片的產能。三星表示其40nm制程DDR3內存芯片產品的耗電量將比60nm制程產品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內存芯片產品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內存條。
三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當與
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三星 內存芯片 40nm DDR3
- 據外電報道，全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)計劃2年內為公司半導體部門投入高達19.3兆韓元(約合173.1億美元) 的投資。
《韓國經濟 (Korea Economic Daily)》引述芯片生產設備供貨商消息指出，三星計劃今年半導體事業投資 8.3兆韓元，明年再加碼投資11兆韓元;并已經開始訂購新的生產設備。
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Samsung 內存芯片
- 根據集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續漲5%，現貨季均價持平，持續維持在高檔價格。
由于計算機系統廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉進至DDR3，使買方亦努力拉
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Samsung DRAM DDR3
- 日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產品規格之戰，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務器內存模塊后，日系內存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產，未來也將用此芯片生產32GB內存模塊，應用于服務器、大型數據中心或其他大型系統等，DRAM大廠在產品規格之戰，逐漸由主流規格2Gb，延伸至4Gb容量。
爾必達22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產，且響應近期科技產業吹起的環保
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Samsung DRAM 40納米
- 今年一月份曾經傳出三星計劃投建5.5代線OLED面板廠的消息，近日，三星表示他們確實在計劃5.5代線OLED面板廠，并表示該面板廠將在2011年1月投產。
三星稱，新面板廠所生產的基板大小為1,300 x 1,500mm，初期將主要集中在用于移動工具的小型OLED面板。不過該基板同樣可用于顯示器OLED面板和中小型OLED電視。
三星也表示他們還會生產筆記本使用的OLED面板，此前傳聞稱，蘋果已經開始研發第二代 iPad并將配備OLED面板，不知這兩者是否有所關聯。外界分析稱，5.5代線的
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三星 OLED 面板
- 存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現停電意外，海力士宣稱僅發生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統支應，并未造成任何損失，存儲器業者則傳出這次海力士實際停電時間是下午1~3點，長達2小時之久，盡管停電事件對于實際產出影響有限，然因目前DRAM市場供給嚴重吃緊，若韓系大廠再減少一些產能，恐怕將對PC廠出貨造成沖擊。
海力士位于韓國京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時間出面
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Samsung 存儲器 DRAM
- 據從三星內部泄露出來的一份文件顯示三星正在開發一系列新款ARM處理器，并計劃將這些ARM處理器應用到將來上市的上網本產品中去。這份文件的編制日期 是去年11月份，文章的開頭部分鼓吹稱由Intel和微軟控制的Windows平臺最終將被由三星和谷歌Chrome兩者所組成的Ubuntun平臺所取 代。
文件的開頭部分列出了一款代號為S5PV210(代號Taurus)的芯片產品，這是一款單核Coretex-A8處理器，運行頻率為1GHz，據文件顯示，這款處理器目前正處在送樣階段，有望于今年三季度量產。
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- 三星和LG曾經在去年的國際平板顯示器大會上展示了透明OLED顯示屏，三星還展示過透明 AMOLED筆記本。近日，韓國另外一家廠商NeoView Kolon也展出了自家的透明OLED屏。和三星面向手機應用不同，NeoView Kolon的透明屏針對于車載前置顯示。新展出的顯示屏為2.4寸，采用點陣式顯示模式，最大透明度62%，亮度100流明，可顯1600萬色，厚度1.2mm，分辨率240 X 320像素。
主要用于車載顯示，NeoView Kolon尚未披露顯示屏的上市時間和售價。
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三星 AMOLED
- 按Information Network總裁Robert Casterllano的說法,2009年存儲器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個半導體設備市場下降超過40%以上, 而與銅互連直接相關連的設備僅下降8.7%。
在2006未Micron技術公司首先在DRAM產品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進。之后所有的存儲器制造商, 以三星為首都對于存儲器生產線進行升級改造, 導入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設備和材料的市場。公司認為此種趨勢將影響半導體設備市
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