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華爾街提前狂歡!拆分傳言下英特爾股價暴漲
- 周二(2月18日)美股早盤,美國芯片制造商英特爾的股價一度漲超11%,最高報每股26.25美元,為2024年11月12日以來的最高水平。月初至今,英特爾已經(jīng)累漲逾33%,上一次月漲幅超過30%還是在2023年3月份。據(jù)媒體上周六(2月15日)報道,知情人士透露,英特爾可能被“一分為二”,分別由其競爭對手臺積電和博通接手,目前相關(guān)公司正就潛在收購案進行評估。知情人士稱,臺積電已考慮控制部分或全部英特爾的工廠,也可能通過投資者聯(lián)盟或其他架構(gòu)來進行;博通則考慮收購英特爾為計算機和服務(wù)器設(shè)計半導(dǎo)體的產(chǎn)品業(yè)務(wù)。報道
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傳OpenAI未來數(shù)月完成首款自研芯片設(shè)計 計劃由臺積電代工
- 2月11日消息,OpenAI正積極推進其減少對英偉達芯片依賴的計劃,并致力于通過開發(fā)首款自研人工智能芯片來實現(xiàn)這一目標。據(jù)知情人士透露,OpenAI將在未來幾個月內(nèi)完成首款自研芯片的設(shè)計,并計劃將其交由臺積電進行“流片”,即將設(shè)計好的芯片送至工廠進行試生產(chǎn)。OpenAI和臺積電均未對此評論。這一進展表明,OpenAI有望實現(xiàn)其2026年在臺積電大規(guī)模生產(chǎn)自研芯片的目標。通常,每次流片過程的費用高達數(shù)千萬美元,且需要大約六個月的時間才能生產(chǎn)出成品芯片,除非OpenAI支付額外費用以加速生產(chǎn)進程。值得注意的是
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怕機密外泄 臺積電拒絕幫三星代工Exynos
- 三星3納米GAA制程良率偏低,傳聞可能委托臺積電代工新一代 Exynos處理器。不過爆料達人透露,臺積電已回絕三星的提案,原因是臺積電擔(dān)憂機密制程信息外泄。爆料人士@Jukanlosreve透過X社交平臺透露,2024年底曾有風(fēng)聲傳出,三星有意將最新Exynos處理器交由臺積電代工。然而,最新消息顯示,臺積電已駁回三星的提議,換句話說,Exynos處理器將不會交給臺積電代工。Jukanlosreve推測,臺積電拒絕幫三星代工的原因,可能是基于保護其機密制程信息的考慮,擔(dān)心將技術(shù)流入競爭對手手中。工商時報報
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臺積電否認助英特爾解決代工問題
- 外媒Wccftech報道,傳言說臺積電幫忙英特爾解決代工問題,臺積電立即否認; 來源是臺積電美國董事長Rick Cassidy接受財經(jīng)媒體CNBC采訪時表示,臺積電每周都會與英特爾會面,幫忙解決英特爾先進制程問題。臺積電聲明澄清,除了討論IC設(shè)計,不會以任何方式協(xié)助英特爾,Rick Cassidy之言是誤會,臺積電沒有以任何方式參與英特爾美國業(yè)務(wù)。 臺積電對與競爭對手的關(guān)系非常重視,不會掉以輕心。美國半導(dǎo)體市場是臺積電和英特爾等下個競爭焦點,雖英特爾是美國芯片法案更大受惠者,但目前尚未達成目標,
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三星大規(guī)模人事調(diào)整,代工、存儲等部門負責(zé)人變更
- 11月27日,三星電子宣布了2025屆總裁級別人事變動,以增強未來的競爭力,主要變動包括制度、部門管理、人員職務(wù)等層面方面。制度和部門管理變化主要包括,存儲業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)變?yōu)镃EO直接領(lǐng)導(dǎo)制度;更換代工業(yè)務(wù)負責(zé)人,重組業(yè)務(wù)線;在Foundry部門設(shè)立總裁級CTO職位;在DS部門設(shè)立總裁級管理戰(zhàn)略職位;任命DS業(yè)務(wù)負責(zé)人為CEO,建立各事業(yè)部CEO業(yè)務(wù)責(zé)任制;成立DX事業(yè)部負責(zé)人領(lǐng)導(dǎo)的質(zhì)量創(chuàng)新委員會,推動質(zhì)量領(lǐng)域的根本性創(chuàng)新。具體的人員職務(wù)調(diào)整則如下:全永鉉(Young Hyun Jun),原三星電子副社長兼半導(dǎo)體
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高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料:單核破 4000 分,多核提升超 20%
- 11 月 12 日消息,消息源 Jukanlosreve 昨日(11 月 11 日)在 X 平臺發(fā)布推文,曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分,多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息,高通第二代驍龍 8 至尊版芯片(高通驍龍 8Gen 5)將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展(Scalable Matrix Extensio
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三星陷入良率困境,晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%
- 根據(jù)韓國三星證券初步的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示,三星3nm GAA制程的良率約為20%,比可達成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進入5nm制程時,三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因為無法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單,高通的訂單全給了臺積電,同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿足客戶需求,三星并不堅持使用自家代工廠,即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片,放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域,臺積電拿
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英特爾計劃再調(diào)整資本支出:剝離部分不必要業(yè)務(wù)
- 英特爾正在經(jīng)歷其最艱難的時期,今年第二季度的財報表現(xiàn)糟糕,市值已經(jīng)跌破1000億美元。相比之下,目前,英偉達市值已接近3萬億美元。為了扭轉(zhuǎn)不利的處境,在二季度的財報中,英特爾宣布將暫停股息支付、精簡運營、大幅削減支出和員工數(shù)量:2024年非美國通用會計準則下的研發(fā)、營銷、一般和行政支出將削減至約200億美元,2025年減至約175億美元,預(yù)計2026年將繼續(xù)削減,作為削減支出計劃一部分的裁員,預(yù)計將裁減超過15%的員工,其中的大部分將在今年年底前完成。外媒援引知情人士的透露報道稱,已宣布裁員、削減支出的英
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英特爾陷入惡性循環(huán),能否絕處逢生?
- 英特爾在2024年第二季度財報中呈現(xiàn)出全面虧損的態(tài)勢,實現(xiàn)營收128.33億美元(低于市場預(yù)期的129.4億美元),同比下降1%;凈利潤為-16.54億美元(遠不及市場預(yù)期的-5.4億美元),2023年同期凈利潤14.73億美元,同比轉(zhuǎn)虧;毛利率35.4%,遠低于市場預(yù)期(42.1%),而上一季度的毛利率為41%,也低于2023年同期的35.8%。AI PC產(chǎn)品的增加、Intel 4和3芯片晶圓從俄勒岡州工廠過渡至愛爾蘭工廠的成本,以及其他非核心業(yè)務(wù)的費用等因素是導(dǎo)致毛利率暴跌的主要原因,營收的微降和毛利
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英特爾代工合作伙伴為EMIB先進封裝技術(shù)提供參考流程
- 在摩爾定律的旅程中,先進封裝技術(shù)正發(fā)揮著越來越重要的作用,通過堆疊技術(shù)的創(chuàng)新,可以在單個設(shè)備中集成更多的晶體管。目前的大多數(shù)芯片都采用了異構(gòu)架構(gòu)設(shè)計,先進封裝技術(shù)也讓設(shè)備中采用不同制程技術(shù)、來自不同廠商、執(zhí)行不同功能的芯粒能夠在一起妥善工作,從而提高性能并降低功耗。EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)是英特爾的一種2.5D先進封裝技術(shù),支持把不同的芯片放在同一塊平面上相互連接。傳統(tǒng)的2.5D封裝是在芯片和基板間的硅中介層上進行布線,EMIB則是通過一個嵌入基板內(nèi)部的單獨芯片完成互連。作為一種高成本效益的方法,
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降低對臺積電的依賴!高通考慮臺積電三星雙代工模式
- 6月14日消息,高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時表示,公司正在認真評估臺積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。據(jù)悉,高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場,這顆芯片完全交由臺積電代工,采用臺積電N3E節(jié)點,這是臺積電第二代3nm制程。因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺積電3nm工藝,出于對臺積電產(chǎn)能有限的考慮,高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計劃采用雙代工模式,但是三星3nm產(chǎn)能擴張計劃趨于保守,加上良品率并不穩(wěn)定,最終高通選擇延后執(zhí)行該計劃。不過高通并未放棄雙代工
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三星公布芯片制造技術(shù)路線圖,增強AI芯片代工競爭力
- 據(jù)彭博社報道,當?shù)貢r間6月13日,三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術(shù)路線圖,以增強其在AI人工智能芯片代工市場的競爭力。三星預(yù)測,到2028年,其人工智能相關(guān)客戶名單將擴大五倍,收入將增長九倍。報道指出,三星電子公布了對未來人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。在其公布的技術(shù)路線圖中,一項重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)。據(jù)三星介紹,該技術(shù)與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比,在功率、性能和面積上均有所提升,同時還能顯著降低電壓降。三星還強調(diào)了其在邏輯、內(nèi)存和先進封裝方面的綜合能力。三星認為,這將有助于公司贏
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X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺,增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴展SOA,提高運行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比,此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達50%,為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案,基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊,支持-40°C
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代工介紹
代工的意義及發(fā)展形勢 代工,即代為生產(chǎn)。也就是由初始設(shè)備制造商 (=original equipment manufacturer),即OEM來生產(chǎn),而再貼上其他公司的品牌來銷售。所以也稱為貼牌生產(chǎn)。
代工現(xiàn)象,在中國比較普遍,代工可以理解是國際大分工環(huán)境下,生產(chǎn)與銷售分開的大潮流。但是相對而言代工方雖然免卻了對銷售的諸多環(huán)節(jié)的注意力分散,可以專注訂單下的生產(chǎn),但是不能分享到品牌的價值。
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