- 英飛凌科技股份公司連續七年高居全球功率半導體和模塊市場榜首。盡管面臨困難的經濟環境，英飛凌在2009年仍然提高了市場份額。據IMS Research*最新報告，全球功率半導體市場規?？s減21.5%，由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場規模縮減，但英飛凌的市場份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(歐洲、中東和非洲)繼續保持著領先地位，市場份額上升1.3個百分點，達到24.3%;在北美和南美地區，其市場份額上升0.4個百分點，達到11.5%。
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英飛凌 功率半導體
- 根據市調機構IMSResearch的最新報告顯示，盡管2009年遭遇全球景氣低潮，英飛凌(Infineon)仍全力達成鞏固市場地位，并提升市占率之目標，亦即2009年全球功率半導體市場出現萎縮--從140億美元縮減為110億美元，降幅達21.5%，但英飛凌的市占率仍逆勢成長10.7%。
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英飛凌 功率半導體
- 英飛凌科技股份公司連續七年高居全球功率半導體和模塊市場榜首。盡管面臨困難的經濟環境，英飛凌在2009年仍然提高了市場份額。據IMS Research*最新報告，全球功率半導體市場規模縮減21.5%，由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場規模縮減，但英飛凌的市場份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(歐洲、中東和非洲)繼續保持著領先地位，市場份額上升1.3個百分點，達到24.3%;在北美和南美地區，其市場份額上升0.4個百分點，達到11.5%。
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英飛凌 功率半導體 太陽能
- 【 導讀：在新能源領域的大多數功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國相比，中國在該領域還相對落后，盡管國內也有一些企業和科研機構在進行研發，但產業化進程緩慢，技術上也落后于國外?！?
今年6月，功率半導體業界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行，國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導體在新能源領域的應用成為本屆展會的熱點，而中國功率器件產業的未來發展
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- 功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為2833億美元，增長率達到23.2%.
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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- 兩家半導體大鱷且MCU全球市場排名前兩位的瑞薩科技和NEC電子的合并，一直受到業內的重點關注。其合并的原因?合并后形成的航母級企業的整合效果?將對業界產生怎樣的影響?
問：瑞薩與NEC電子合并后的新名稱?哪些因素促使瑞薩與NEC電子進行這次合并?屬于哪種類型的合并?
答：瑞薩與NEC電子合并后，于2010年4月1日，以瑞薩電子株式會社的新公司名稱正式開始商業運營，并且得到來自大股東NEC、日立制作所和三菱電機的總額約2000億日元(約合20億美元)的增資，財務實力大幅增強。
NEC電
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- 華潤上華科技有限公司(簡稱“華潤上華”)與電子科技大學(簡稱“電子科大”)共建DMOS聯合實驗室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學舉行。華潤上華副總經理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協議上簽字，華潤上華董事長陳正宇博士、電子科大校長汪勁松教授出席了簽字儀式，并就合作的未來進行了深度交流和展望。
在華潤上華與電子科技大學微電子與固體電子學院張波教授團隊多年的合作基礎上，雙方將充分利用該聯合實驗室平臺，發揮各自的優勢展開深入密切的
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- 2010年2月25日，株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)宣布推出包括BCR16CM-16LH在內的新型800V三端雙向可控硅產品，其所具有的業內最佳高換向性*特點和150°C結溫(Tj)，使其成為洗衣機和真空吸塵器等家電內AC電機驅動應用的理想之選。該產品樣品將于2010年4月起在日本發售。
新型三端雙向可控硅是用于控制AC電路內電源開關的功率半導體器件，具有如下主要特性：
(1) 提高換向性，減少元件總量
新型三端雙向可控硅具有800V的額定電壓，實現了業內最高的換向性。其臨
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- Microsemi公司今天宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應用功率電子學會議和展覽會 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產品，并在2個技術交流會上進行演講。
Microsem所展示的主要產品(展臺 #122)：
· 應用于太陽能逆變器的一組超薄功率模塊。
· 以太網驅動(PoE)芯片集和模塊，其中包括Microsem公司第四代的I
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- 世界各地計算機數量眾多，耗能量也相當龐大，而支撐互聯網運作的數據中心就是一大耗能實例。在一個典型的數據中心設施中，其實只有不到一半的功耗是用在計算功能上的。所以數據中心運營商千方百計尋找機會來提高功率轉換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉換級的數目。
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- 過去，人們常把集成電路比作電子系統的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據這些信息指令產生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統“供血”的“心臟&rdq
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- 英飛凌科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的生產工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統系統的需求。從現在開始到2012年，公司將投資近1,700萬歐元用于建造廠房和購買制造設備。英飛凌今天與匈牙利經濟部的代表簽訂了協議，根據該協議，匈牙利經濟部將為該項目融資140萬歐元。
Cegléd工廠主要生產標準功率模塊，這種功率模塊是風輪機和光伏系統太陽能逆變器以及機車驅動裝置、有軌電車、制造工廠、扶梯和電梯使用
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- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。
新器件的封裝電流額定值達到195A，比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導通電阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外，7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達到240A的卓越水平，使它成為市場上
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- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出用于節能調光熒光燈鎮流器應用的IRS2530D和IRS2158D 600V控制IC。
IRS2530D DIM8?是一種采用緊湊型8管腳尺寸半橋式驅動器的獨特線性調光鎮流器控制IC。新器件提供了一種以多級和三路緊湊型熒光燈（簡稱CFL）應用取代低效白熾燈泡的競爭解決方案。IRS2530D只需要幾個小型外部元件，顯著地簡化和縮小了電路設計，同時可實現緊湊型熒光燈及線性鎮流器多達10％
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功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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