1月14日晚間，紫光國微發布了一份交易預案，計劃通過發行股份及支付現金的方式，向南昌建恩、北京廣盟、天津瑞芯、建投華科等14名交易方收購瑞能半導100%股權，并向不超過35名特定投資者發行股份募集配套資金。公告顯示，此次股份發行定價為61.75元/股，不低于定價基準日前20個交易日上市公司股票交易均價的80%。不過，由于審計和評估工作尚未完成，標的資產的交易價格尚未確定。瑞能半導是一家專注于功率半導體器件研發、生產和銷售的企業，業務覆蓋芯片設計、晶圓制造、封裝設計及模塊封裝測試等環節。公司產品包括晶閘管、
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紫光國微 瑞能半導體 功率半導體
近日，西安建筑科技大學機電工程學院新能源電氣材料與儲能技術培育團隊提出了一種創新的“分子有序設計”策略。利用這種方法，該團隊開發了一種新型環氧樹脂封裝材料，該材料結合了超高導熱性和卓越的絕緣性能。該研究發表在《先進功能材料》上，為在極端條件下運行的功率器件的可靠性挑戰提供了一種新的解決方案。隨著功率半導體器件的不斷變得更小、更強大，其封裝材料面臨著越來越嚴格的熱能和電力管理要求。傳統的環氧樹脂難以同時實現高導熱性和高絕緣性，這成為工業進步的關鍵瓶頸。研究團隊巧妙地選擇有機分子作為“模板”，在環氧樹脂體系內
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功率半導體 封裝材料
全球功率半導體技術的領軍者英飛凌科技重磅亮相上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia 2025），現場展示了一系列創新產品和技術解決方案，特別是在最受關注的AI服務器電源新架構和汽車功率器件領域的先進產品和解決方案成為全場矚目的焦點。此次展會，英飛凌不僅展示了其在綠色能源、電動化出行、AI算力電源等關鍵領域的最新突破，更以實際行動詮釋了其在推動能源轉型與智能化發展方面的技術引領作用。PCIM Asia 2025英飛凌展臺800V SiC主驅逆變器系統：系統級解決方案驅動未來電動出行首先，
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英飛凌 PCIM Asia 功率半導體
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構的高效電源轉換和分配，推動下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基礎設施發展。隨著GPU驅動的AI工作負載日益密集，數據中心功耗攀升至數百兆瓦級別，現代數據中心亟需兼具能效優化與可擴展性的電源架構。GaN FET開關為代表的寬禁帶半導體，憑借其更快的開關速度、更低的能量損耗，及卓越的熱管理性能，正迅速成為關鍵解決方案。此外，GaN功率器件將推動機架內800V直流母線的發展，在通過DC/DC降壓轉換器支持48V組件復用的同時
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瑞薩 功率半導體 AI數據中心
碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優于傳統硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現在，韓國也加大了力度——Maeil 商業報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據報道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產設施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產 8 英寸碳化硅功率半導體。如《韓國先驅報》所強調，釜山廣域市政府將項目的完成視為一個關鍵里程碑，旨在提升國內8英寸碳化硅功率半導體的生產并
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碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
近年來，新能源汽車、光伏、風電等產業持續擴張，疊加寬禁帶半導體材料等新技術逐步落地，推動功率半導體成為市場關注的重點領域。富士經濟曾在今年 4 月的報告中寫道：功率半導體市場在 2024 年受到庫存積壓的打擊。需求預計將從 2024 年下半年開始復蘇，庫存預計將在 2025 年下半年恢復正常。那么如今的功率半導體復蘇情況如何了？隨著國產功率半導體頭部公司業績的相繼披露，該市場的走向逐漸明晰。功率半導體公司，誰是優等生？上述十家功率半導體公司中，表現最為亮眼的莫過于士蘭微。該公司上半年營業收入為 63.36
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功率半導體
日本在功率半導體領域長期占據一定優勢，但面對中國企業的快速追趕和價格競爭，行業競爭力面臨嚴峻挑戰。 《日經亞洲》20日報導，中國企業在硅和碳化硅基板制造方面逐漸建立完整生產能力，利用低廉能源成本和龐大市場快速成長，其垂直整合模式也對日本企業構成挑戰。 盡管形勢艱難，東芝、羅姆、三菱電機等日本廠商卻遲遲未能形成統一戰線。業內專家指出，日本與中國企業在硅芯片上的技術差距可能只有一到兩年，在碳化硅上也不超過三年。 日本企業高估了本土電動汽車市場的發展以及自身的全球競爭力，必須加速整合以提高成本競爭力。功率器件是
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功率半導體
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統Si器件已逼近材料極限，成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關速度、高結溫下同時承受高壓大電流等特性，可顯著提升轉換效率、功率密度并降低系統成本，特別適用于車載逆變器、電動汽車充電樁、光伏、UPS、儲能及工業電源等場景。當前國內外 SiC產業鏈加速成熟，主流廠商已推出多款 SiC產品，成本持續下降，應用正呈爆發式增長。圖1 雙脈沖測試電路功率半導體測試需求與挑戰功率半
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車載電驅 RIGOL 功率半導體測試 功率半導體
BelGaN 在比利時的氮化鎵功率半導體工廠去年關閉。據 eeNews Europe 的報道，有報道稱三個財團有興趣收購該設施，主要用于光子應用。報道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報告稱，關閉預計將使地方當局花費超過110萬歐元，并補充說，歐洲全球化和調整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報道中提到的競標者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
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氮化鎵 功率半導體 晶圓代工
引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩健性，有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
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碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實物圖+電路符號圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
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雙脈沖測試將在電力電子的未來中發揮關鍵作用。電源設計人員和系統工程師依靠它來評估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導體在動態條件下的開關特性。通過評估開關期間的功率損耗和其他指標，這些測試使工程師能夠優化最新電源轉換器、逆變器和其他電源電路的效率和可靠性。推動采用雙脈沖測試的是它能夠在設計過程的早期評估最壞情況下工作條件下的電力電子設備。這有助于降低將來出現不可預見問題的風險。然而，由于 SiC MOSFET 的開關速度更快，GaN 功率 FET 的頻率更高，因此基于氮化
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動態測試 WBG 功率半導體
Kulicke and Soffa Industries Inc.（“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”）宣布推出Asterion-PW超聲波針焊接機，通過快速精確的超聲波針焊接解決方案擴大其在功率元件應用領域的領先地位。這種先進的解決方案為Pin互連能力設定了新的標準，重新定義了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽車和鐵路等應用中，越來越多的常用功率模塊元件使用超聲波焊接來實現Pin針和DBC的互連以滿足信號傳輸和機械固定的要求。功率模塊市場是增長最快的半導
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Kulicke & Soffa 功率半導體 Asterion-PW
隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產品介紹、Cascode背景知識和并聯設計。簡介大電流操作通常需要直接并聯功率半導體器件。出于成本或布局的考慮，并聯分立器件通常是優選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實際上也是通過并聯芯片實現的。本文總結了適用于所
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JFET Cascode 功率半導體
2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵（GaN）功率器件的領先創新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現有投資者 Parkwalk、英國企業發展基金（BGF）、劍橋創新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。 &nbs
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CGD 功率半導體
功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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