基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業提供先進電子器件的供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，攜手研發車規氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯系，此次進一步合作的目標是共同開發GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。隨著客運車輛日益電氣化，市場對功率半導體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉換。高壓功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)與創新型封裝技術相結合，可以滿
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Nexperia KYOCERA 氮化鎵 功率模塊
近日，陽光電源推出支持高達250 kW裝機容量的SG250HX系列組串式光伏逆變器，該產品最先在2019年歐洲國際太陽能技術博覽會（Intersolar Europe）上亮相。該逆變器搭載了英飛凌科技股份公司采用最新TRENCHSTOP?和CoolSiC?芯片技術打造的定制化EasyPACK? 3B功率模塊。陽光電源的SG250HX系列組串式逆變器能支持1500 V DC和800 V AC的高電壓，最高效率可達99%。陽光電源歐洲區技術總監Stefan Froboese表示：“陽光電源致力于不斷進行技術創
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功率模塊 太陽能
中國北京，2019年7月16日–各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上，發表題為“一種用于工業和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文，并介紹公司在該領域的最新研究開發成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業應用方面，越來越多的人則
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CISSOID 碳化硅 功率模塊 高溫柵極驅動器
從目前世界的能源結構來看，以資源有限、污染嚴重的石化能源為主的能源結構，將逐步轉變為以資源無限、清潔乾凈的可再生能源為主的能源結構。太陽能、風能、水能、海洋能、生物質能、地熱能、燃料電池等可再生能源作為新興的綠色能源，以其永不枯竭、無污染、不受地域資源限制等優點，正得到迅速的推廣應用。隨著綠色環保概念在全球市場的確立與推進，電力電子元件的應用范圍已從傳統的工業控制和4C產業(電腦、通信、消費類電子產品和汽車)，擴展到新能源(風電、太陽能)、軌道交通、智能電網等新興領域。節能和可替代能源的探索已成為當今行業
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節能 功率模塊
隨著電子設備的尺寸越來越小，電源設計人員在設計電源時必須考慮熱限值的問題。如果一個較小的電源無法在特定的應用環境(包括環境溫度)下以高負載運行，那么它就等同于沒有用處。 降額曲線中就有一種常見的熱限值，該熱限值可以在大多數的功率模塊數據表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環境溫度下可拉電流或功率的大小，同時仍然保持功率模塊在其溫度規格范圍內(通常低于125°C)。圖1所示為2A TPS82140功率模塊數據表的兩條降額曲線。 圖 1：2A TPS82140功率模塊的降額曲線 如圖1所示，降額曲線會隨
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功率模塊 dcdc 降壓模塊
日前調研公司 IHS Markit 首席功率半導體分析師Richard Eden就2016~2017年功率半導體市場份額做出了如下分析。
2016年全球功率半導體(分立器件、模塊和功率集成電路)市場銷售額從2015年的339億美元增長了3.5%達到351億美元。雖然2015年這一數字下降了2.6%，但2016年的確打了一場漂亮的翻身仗。
其中，離散功率半導體增長5.9%，功率模塊增長3.5%，功率半導體器件增長2.1%。2016年英飛凌科技成為全球功率半導體的主要供應商，主要供應離散功率半
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功率半導體 功率模塊
全球先進電子元件分銷商世強與國際橋堆制造領軍企業Shindengen簽訂分銷協議，正式全線代理新 電元的橋堆、二極管、電源模塊、IGBT及MOS等產品。而新電元工業株式會社一直以來都將由多個功率半導體器件構成的功率模塊產品的開發作為重點。通過 功率電路零部件的集成化，為電子設備的小型化和制造過程的生產效率改善作出貢獻。
其中最具代表性的功率模塊為 Shindengen的800V的功率模塊MG020200和MG020201，產品示意圖和內部電路圖如圖1、圖2所示，其結構均是由一個三相 Conver
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IGBT 功率模塊
ROHM近日于世界率先開發出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。 另外，此次開發的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為ROHM總部工廠(日本京
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ROHM 功率模塊 分立封裝 201508
全球知名半導體制造商ROHM開發出滿足家電產品和工業設備等的小容量電機低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”，產品陣容更加豐富。
此次開發的產品搭載了ROHM生產的低導通電阻MOSFET“PrestoMOSTM”，而且還利用了ROHM獨有的LSI控制技術，使在低電流范圍的損耗比以往的IGBT-IPM降低約43%。通過實現業界頂級的低功耗化
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ROHM 功率模塊
當前消費電子產品技術日新月異，同時綠色、環保、節能的思想也逐漸深入人心，能效問題日益成為產品設計中關注的焦點，高效節能已是大勢所趨。作為電子設計的關鍵元器件，半導體產品發揮著至關重要的作用。工程師通過對半導體器件的材料、結構、工藝等方面的不同設計，為各種應用需求提供相應的解決方案。
與我們日常生活密切相關的空調、電冰箱、洗衣機等白家電產品，在設計中需要考慮到尺寸、能效、成本及外觀設計等因素。推動高能效創新的安森美半導體開發出緊湊的變頻器智能功率模塊(IPM)，以及集成功率因數校正(PFC)轉換器
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安森美 功率模塊
英飛凌科技股份有限公司近日推出采用焊接技術的雙極功率模塊，解決高性價比應用的具體需求。這種新型PowerBlock模塊進一步擴大了英飛凌此前僅采用壓力接觸技術的全面功率模塊產品組合。英飛凌為受成本和/或性能限制的工業驅動、可再生能源、軟啟動器、UPS系統、焊接和靜態開關等不同應用提供優化的解決方案。
焊接模塊不僅封裝尺寸較小(不超過50mm)，而且市場價格比相關壓力接觸類型低 25%左右(取決于模塊/應用)，具有明顯的成本優勢。對于標準驅動或UPS等不要求壓力接觸的高魯棒性應用，小型的Power
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英飛凌 功率模塊
近年來，隨著對供電質量要求的不斷提高和節能降耗的需要，無功補償裝置的使用量快速增長。隨后各種不同無功補償裝置不斷研發推出應用，低壓電容器投切開關由簡單粗獷到理性精細經歷了三個階段的成長。1、機械式接觸器投切電容裝置;2、復合開關投切電容裝置;3、電子式無觸點可控硅投切電容器裝置(晶閘管功率模塊)。晶閘管功率模塊由于其適應性廣泛，性能優越，而快速占領市場，成為了無功補償裝置投切開關的主流品種之一。
一、各無功補償投切開關比較：
1、機械式接觸器投切電容裝置
接觸器投入過程中
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晶閘管 功率模塊
很少有其它應用場所和車輛行駛環境一樣，對各種電子元器件的要求異常嚴苛，它往往意味著如何讓用于汽車或卡車的...
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功率模塊 汽車電氣化 逆變器
功率模塊介紹
功率模塊是功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊.
擴展: 智能功率模塊（Intelligent Power Module，IPM）是以IGBT為內核的先進混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優化的門極驅動電路，以及快速保護電路構成。IPM內的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅動電路緊靠IGBT，驅動延時小，所以IPM開關速度快，損耗小。IPM內部集成了能連續檢測IGB [
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