- 三相功率因數校正(PFC)系統（或也稱為有源整流或有源前端系統）正引起極大的關注，近年來需求急劇增加。之前我們介紹了三相功率因數校正系統的優點。本文為系列文章的第二部分，將主要介紹設計三相PFC時的注意事項。在設計三相PFC時應該考慮哪些關鍵方面？對于三相PFC，有多種拓撲結構，具體可根據應用要求而定。不同的應用在功率流方向、尺寸、效率、環境條件和成本限制等參數方面會有所不同。在實施三相PFC系統時，設計人員應考慮幾個注意事項。以下是一些尤其需要注意的事項：■ 單極還是雙極（兩電平或三電平）■ 調制方案■
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PFC 轉換器 功率模塊 拓撲結構
- 800V車型刷屏，高壓SiC車載應用加速普及。實際上，近期有越來越多的國內外車企開始加速800V電壓架構車型的量產，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價格卷性能戰略推進，將進一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風口◆ 800V架構成為電動汽車主流電動化進程持續推進，安森美（onsemi）電源方案事業部汽車主驅方案部門產品總監Jonathan
Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費者角度看購買電動車的兩大顧慮是續航里程和充電便利性
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SiC 逆變器 功率模塊
- 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設計提供實用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅動，包含三相變頻段、柵極驅動器等。設計構思SPM
31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此，它采用了新型柵極驅動高壓集成電路
(HVIC)、基于先進硅技術的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，以及基于壓鑄模封裝的改進型直接鍵合銅 (DBC)
襯底。與現有的分立方案相比，SPM 31 v2
的電路板尺寸更小，可靠性更高。其目標應用為工業變頻電機驅動，例如商用空調
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功率模塊 指南 IPM 三相電機
- 【2024年3月1日，德國慕尼黑和加利福尼亞州長灘訊】人工智能（AI）正推動全球數據生成量成倍增長，促使支持這一數據增長的芯片對能源的需求日益增加。英飛凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數據中心提供更佳的功率密度、質量和總體成本（TCO）。TDM2254xD系列產品融合了強大的OptiMOSTM MOSFET技術創新與新型封裝和專有磁性結構，通過穩健的機械設計提供業界領先的電氣和熱性能。它能提高數據中心的運行效率，在滿足AI GPU（圖形處理器單元）平臺高功率需求的
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英飛凌 功率模塊 AI數據中心
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經濟技術開發區新明路南側建造廠房用于生產及研發等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產功率半導體及新能源汽車驅動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模塊 碳化硅 SiC
- 正齊半導體杭州項目將在開發區投資建設第三代半導體模塊工廠，項目首期投資3000萬美元，總投資額將達10億元人民幣。10月23日消息，近日，正齊半導體年產6萬顆高階功率模塊研發生產項目正式落地蕭山經濟技術開發區。正齊半導體杭州項目將在開發區投資建設第三代半導體模塊工廠。項目首期投資3000萬美元，總投資額將達10億元人民幣，規劃建設10條智能化模塊封裝生產與組裝線，滿足車規級與航天級的模塊生產線要求，每年將生產6萬顆高端航天及車規級IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產品。該工廠將采用與合作廠商共同研制的驅動
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正齊半導體 功率模塊 第三代半導體
- ●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現電動化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現有和未來的多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創新和可持續移動解決方案的全球領導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
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意法半導體 SiC 博格華納 功率模塊 沃爾沃 電動汽車
- 隨著新能源汽車消費熱潮到來，車規功率半導體的需求不斷攀升。車規功率模塊面臨的挑戰之一就是高電壓。在高壓環境中由ECM（電化學遷移）、漏電流引起的損壞機制發生的更加頻繁，而更高壓也會引起新的難題，如AMP（陽極遷移現象）。6月6日，ZESTRON 總部的Helmut Schweigart博士在受邀參加的IPC“可靠性之路”系列講座之《高壓-電動汽車電子硬件可靠性》研討會上提出，業內在60V以內電壓范圍內有豐富的知識經驗支持，到了400V，1200V應用，從業者正在冒險進入未知領域（如圖所示）。圖|電子元件上
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功率模塊
- 2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領導品牌的銷量紛紛呈現巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發展，將推動整個亞太地區的電動汽車市場實現穩步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區電動汽車市場的快速增長。因此，根據MarketsandMarkets 市調數據估計，全球電動汽車市場規模將從 2
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- 賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
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- 近日消息，從東風汽車官方獲悉，東風碳化硅功率模塊項目課題已經順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現量產。IGBT行業的門檻非常高，除了芯片的設計和生產，IGBT模塊封裝測試的開發和生產等環節同樣有著非常高的技術要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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- 吉利招標平臺發布了一則《晶能微電子一期工廠改造項目監理工程招標公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開發走向制造晶能微電子一期工廠改造項目租賃樂坤產業園 A-3 的314單元約 5000 平萬米，建設年產60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬級潔凈室及實驗室，1000平方米的動力站，1000 平方米的倉庫及辦公區。本項目位于杭州市余杭區錢江經濟開發區，杭州錢江經濟開發區于2006年3月6日經浙江省人民政府批準設立，是余杭區五大“產業平臺”之一，是連接杭州城東智
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- IGBT模塊是新一代的功率半導體電子元件模塊，誕生于20世紀80年代，并在90年代進行新一輪的改革升級，通過新技術的發展，現在的IGBT模塊已經成為集通態壓降低、開關速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩定性好等等眾多特點于一身，而這些技術特點正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動汽車的蓬勃發展帶動了功率模塊封裝技術的更新迭代。目前電動汽車主逆變器功率半導體技術，代表著中等功率模塊技術的先進水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競爭力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
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- 功率模塊是大功率電力電子系統的核心部件。因此，它們的壽命對最終產品的可靠性有重要影響。為了了解真實的工況如何影響功率模塊，必須進行復雜的模擬仿真，由于工況文件冗長且復雜多變, 往往將仿真工具和方法推到極限。出于這個原因，在仿真方法和半導體特性方面需要高水平的專業知識。了解功率模塊在實際使用情況下的行為對選擇正確的功率模塊，進而對系統成本、可靠性和優化均有積極的影響。功率模塊的壽命就是功率系統的壽命一個大功率系統是由幾個部件組成的，如：電容、電感、傳感器、控制板、驅動單元，當然還有功率模塊。所有這些都有一個
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- SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開發碳化硅（SiC）功率模塊方面已經有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車規級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊
功率模塊介紹
功率模塊是功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊.
擴展: 智能功率模塊（Intelligent Power Module，IPM）是以IGBT為內核的先進混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優化的門極驅動電路，以及快速保護電路構成。IPM內的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅動電路緊靠IGBT，驅動延時小，所以IPM開關速度快，損耗小。IPM內部集成了能連續檢測IGB [
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