- 全球晶圓(Global Foundries)挑戰臺積電晶圓代工市場地位來勢洶洶,2010年初甫與安謀(ARM)攜手開發28納米制程,挑戰臺積電在先進制程領先優勢,然臺積電亦不干示弱,正式宣布與ARM簽訂長期合約,將技術世代延續至28與20納米制程,建立更長遠合作關系,在看好ARM平臺于可攜式電子產品發展潛力,臺積電與全球晶圓雙方熱戰互不相讓。
臺積電指出,已與ARM簽訂長期合約,在制程平臺上擴展ARM系列處理器及實體智財設計開發,從目前技術世代延伸到未來20納米制程,以ARM處理器為設計核心,并
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臺積電 晶圓代工 20納米
- 半導體設備市場暌違兩年再現高峰,2010年市場規模將達325億美元,臺積電、三星電子(Samsung Electronics)、聯電、全球晶圓(Global Foundries)全力擴產拼搶市占率,同時皆大幅擴充40納米以下先進制程,以往臺積電獨大的先進制程市場,現在同時有多家業者搶食,市場大餅的確越做越大,不過如同科技業一貫的定律,搶奪市占的時候,就是價格戰的開始。
7月中半導體業年度展會SEMICON West在北美登場,對設備業者來說,可能是近幾年來唯一能夠笑著參展的一年,因為半導體大廠皆
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臺積電 半導體設備
- 新興市場的3G應用正逐步發燒,帶動3G基地臺主要核心芯片供貨商賽靈思及阿爾特拉以及3G芯片龍頭高通不僅財報亮眼,第三季財測也均優于預期,由于3G相關應用將成為接下來帶動半導體產業上下游成長動力所在,而通訊芯片廠業績紅火,晶圓代工龍頭臺積電將是最大受惠者。
受惠于中國正在積極的布建3G環境,3G基地臺零組件在今年第二季需求相當強勁,帶動主要核心芯片供貨商賽靈思(Xilinx)及阿爾特拉(Altera)第二季財報繳出亮麗成績。其中賽靈思預估今年第三季營收季增率將達3%-7%;另外,阿爾特拉也預估本季
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- 臺積電日前表示,美國半導體公司STC.UNM針對公司的專利侵權指控是不實指控。
STC.UNM是新墨西哥大學(UniversityofNewMexico)旗下一家負責技術轉讓的公司。
臺積電在一份聲明中說,公司將積極應訴,拒絕接受美國國際貿易委員會(U.S.InternationalTradeCommission)調查中的有關指控。
STC在6月底針對臺積電提起訴訟,指控臺積電進口有侵權行為產品的做法有違專利法的規定,屬不正當競爭行為。
STC說,這項專利指的是微影制程技術(l
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- 去年春天,臺積電與英特爾曾牽手相歡,雙方首度在處理器領域達成代工戰略合作,尤其面向移動互聯網、嵌入式市場的英特爾凌動產品。今年春天,由于客戶需求不足,雙方無奈分手,中止了合作。
昨天,不甘寂寞的臺積電再度執人之手。不過,這次不是英特爾,而是英特爾在移動互聯網市場的對手——英國ARM。
雙方表示,將在臺積電工藝平臺上擴展ARM一系列處理器以及物理IP(知識產權)模塊的開發,并從目前的技術65納米延伸到未來的20納米。而且,雙方將以ARM處理器為核心,以臺積電工藝為基礎
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- 晶圓代工搶攻高階制程市占率,積極擴充產能,臺積電、聯電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購設備,帶動半導體設備業再現產業循環高峰,包括應用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺,不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾,2010年營收亦可望創佳績。
根據市場機構估計,到 2011年第4季時,臺積電、 Global Foundries與三星的45奈米以下制程產能總和的年增率可大幅成長約3倍。光是
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- 臺積電中科12英寸超大型晶圓廠(GIGAFAB)晶圓15廠 (Fab15) 16日舉行動土典禮,董事長張忠謀親自主持動土儀式。他表示,未來將陸續投入該廠新臺幣3,000億元資金,折合90億美元,并預計在2011年6月開始裝機,于2012年首季進行28納米制程的量產。
臺積電晶圓15廠是繼晶圓14廠之后,沉寂了多年的重大投資建廠案,也是臺積電第3座超大型晶圓廠,亦是第2座具28納米制程能力的晶圓廠。
為了滿足市場的需求,除Fab15外,臺積電也不斷進行竹科晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓1
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臺積電 晶圓 28納米
- 臺積電公司近日透露,為了滿足大陸市場的需求,公司將擴增其設在上海松江的8英寸廠Fab10的產能。臺積電公司高級副總裁劉德音表示,目前該工廠的月產 能為2萬片(按8英寸計算),而公司的計劃是將其月產能增加到6萬片,不過他并沒有透露產能增加計劃將于何時完成。
另注:
--WaferTech為臺積電在7年前于美華盛頓州設立的合資企業
--SSMC為臺積電在新加坡與NXP公司合資的公司
--TSMC China則為臺積電在中國上海成立的公司,文中所提8英寸Fab10工廠即屬此分公司
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- 臺積電2010年因應市場需求積極擴充產能,除落腳于中科第3座超大型12寸晶圓廠日前正式動土,未來將直接投產28奈米制程,并加速22奈米以下先進制程研發外,位于大陸上海松江8寸廠亦同步擴充產能,近期已擴充產能達單月2萬片,未來將再擴充4萬片產能,以因應大陸市場需求。
臺積電旗下3座12寸晶圓廠包括新竹晶圓12廠(Fab 12)、晶圓14廠(Fab 14),以及剛進行動土典禮的晶圓15廠(Fab 15),3座超大型晶圓廠皆加速擴充產能,目前Fab 12與Fab 14合計月產能已超過20萬片,預計20
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- 繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后,全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布,投入EUV微影技術,預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8),將于2014~2015年間正式量產。
由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術,讓微影技術得以發展至2x奈米,不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源,走到22奈米已
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- 臺積電董事長張忠謀看好半導體市場景氣持續復蘇,決定加大12吋廠擴產力道,包括竹科Fab12第5期第4季投產,南科Fab14明年上半年投產,及中科 Fab15加速建廠等。設備商預估,臺積電應會在月底法說會中再度上修今年資本支出,以目前投資力道來看,有機會上看55億美元。若果達此水平,則將超越英特爾日前修正后的52億美元目標。
臺積電原本預期今年資本支出達48億美元,但今年以來12吋廠高階制程產能一直供不應求,下半年雖然法人及分析師認為景氣復蘇力道將趨緩,不過臺積電第3季先進制程接單仍然滿載,第4季
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- TSMC于16日在中國臺灣臺中科學園區舉行第三座十二吋超大型晶圓廠(GIGAFABTM)--晶圓十五廠動土典禮,為TSMC“擴大投資臺灣”的承諾寫下另一個重要的里程碑。
動土典禮由TSMC張忠謀董事長兼總執行長主持。張忠謀董事長表示,科學園區在臺灣高科技產業的發展過程中,扮演關鍵的角色,也是TSMC之所以能夠“立足臺灣、放眼全球、在全球半導體業發光”的重要支持。過去二十幾年來,TSMC陸續在竹科及南科茁壯成長,如今位于中科的晶圓十五廠開始動土興建,
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- TSMC今(16)日假中國臺灣臺中科學園區舉行第三座十二吋超大型晶圓廠(GIGAFABTM)--晶圓十五廠動土典禮,為TSMC「擴大投資臺灣」的承諾寫下另一個重要的里程碑。
動土典禮由TSMC張忠謀董事長兼總執行長主持。張忠謀董事長表示,科學園區在臺灣高科技產業的發展過程中,扮演關鍵的角色,也是TSMC之所以能夠「立足臺灣、放眼全球、在全球半導體業發光」的重要支持。過去二十幾年來,TSMC陸續在竹科及南科茁壯成長,如今位于中科的晶圓十五廠開始動土興建,開啟了TSMC再創下一個高峰的新頁。
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- 臺積電位于臺中科學園區的12寸廠本周五(16日)舉行動土典禮,將由董事長張忠謀親自主持。這座簡稱為“15廠”的12吋廠,將朝月產能10萬片的超大晶圓廠發展,為臺積電營運增加增長動能,持續在全球芯片工產業拓大市占率。
臺積電董事長張忠謀在今年初說明會中首度對外透露將在中科內建全新的12寸芯片廠,并預計今年中動土,因此臺積電選在16日對外舉行動土典禮。因動土典禮將由張忠謀親自主持,預期他將對外說明臺積電對15個廠的整體投資金額,具體的量產時程以及發展重點。
臺積電規劃,
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- 臺積電最近對外發放了一批動工儀式邀請函,邀請函稱該公司定于本月16日在臺灣臺中科技園區將舉辦其Fab15工廠的破土動工儀式。據臺積電CEO張忠謀 今年4月份透露,臺積電Fab15工廠建成的初期將采用適合于40nm制程的規格進行布置,不過未來這間工廠將負責為臺積電開發28nm及更高級別的制程 技術。
除了興建Fab15工廠之外,臺積電同時還在積極發展其現有兩家12英寸工廠的制程技術。今年第三季度,臺積電Fab12工廠第五期擴建工程將正式投入生產使用;而Fab14工廠的第四期擴建工程也將于今年年底前
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臺積電介紹
臺灣積體電路制造股份有限公司
臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺灣積體電路制造股份有限公司網站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺灣積體電路制造股份有限公司簡介
臺積公司于1987年在新竹科學園區成立,是全球第一家的專業集成電路制造服務公司。身為業界的創始者與領導者,臺積公司是全球規模最大的專業集成電路制造 [
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