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存儲 文章 最新資訊

智憶巴西啟動江波龍新產(chǎn)品線,并發(fā)布8.59億新投資計(jì)劃

  • 巴西時間2024年7月1日,深圳市江波龍電子股份有限公司(以下簡稱“江波龍”)宣布其巴西子公司Zilia(智憶巴西)已經(jīng)開始封裝生產(chǎn)江波龍存儲產(chǎn)線。這一成功導(dǎo)入標(biāo)志著江波龍海外并購服務(wù)和技術(shù)賦能的正式落地,為江波龍向高端、品牌、海外發(fā)展提供存儲制造競爭力。與此同時,智憶巴西公布了6.5億雷亞爾(約8.59億人民幣)的投資計(jì)劃。這一自籌資金的投資計(jì)劃將協(xié)同江波龍技術(shù)、產(chǎn)品和供應(yīng)鏈資源優(yōu)勢,主要用于研發(fā)創(chuàng)新及產(chǎn)能的進(jìn)一步擴(kuò)張,以豐富存儲產(chǎn)品組合,并擴(kuò)大在美洲市場的份額。江波龍積極深耕海外市場,提供存儲產(chǎn)品技術(shù)
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AI算力升級,存儲將扮演什么角色?

  • 近期AI計(jì)算平臺已經(jīng)迎來新一輪升級。從NVIDIA發(fā)布Rubin GPU,到Intel發(fā)布至強(qiáng)6,再到AMD的銳龍和EPYC處理器,無一不在強(qiáng)調(diào)AI加速的重要性。特別是在PC領(lǐng)域,Windows on ARM產(chǎn)品蓄勢待發(fā),基于x86的AI PC更是鎖定先進(jìn)制程,將AI TOPS和應(yīng)用范圍都拓寬到更廣大產(chǎn)品線中。AI時代的到來,勢必所有的AI PC、數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算、終端應(yīng)用所搭載的存儲器容量都呈現(xiàn)出倍數(shù)增長模式,DRAM、NAND Flash需求量大增,甚至推動新一輪的技術(shù)變革,HBM、CXL技術(shù)都是很
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群聯(lián)展出“全球首款”無 DRAM PCIe 5.0 SSD 主控 E31T:速度超 10GB/s、臺積電 7nm 工藝

  • IT之家 6 月 17 日消息,群聯(lián)于 Computex 2024 臺北國際電腦展上展示了主流消費(fèi)級 PCIe 5.0 SSD 主控 E31T。群聯(lián) PS5031-E31T 采用臺積電 7nm 制程工藝與 ARM Cortex-R5 CPU,支持 4 通道 3D TLC / QLC、最高 8TB 容量與 3600MT/s 速率。連續(xù)讀寫性能:10800 MB/s隨機(jī)讀寫性能:1500K IOPS據(jù)介紹,E31T 使用無 DRAM 緩存方案,支持 HMB,可降低 15% 的電量
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西部數(shù)據(jù)實(shí)用貼心好禮 滿足父親全面存儲需求

  • 父親節(jié)即將到來,對于辛勞付出的父親,除了與他共享一頓豐盛大餐外,也可考慮送上電子產(chǎn)品,為他的日常生活帶來無盡便利,貼心實(shí)用。如果父親是不折不扣的忠實(shí)游戲玩家,WD_BLACK系列的高性能移動固態(tài)硬盤WD_BLACK? P40 游戲移動固態(tài)硬盤定可助父親一臂之力,輕松馳騁游戲世界。WD_BLACK? P40游戲移動固態(tài)硬盤WD_BLACK P40 游戲移動固態(tài)硬盤適用于存儲PlayStation? 5及Xbox? Series X|S游戲,兼容Windows以及macOS系統(tǒng),并兼容iPhone 15系列智
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西部數(shù)據(jù)發(fā)布全新人工智能數(shù)據(jù)周期存儲框架,助力用戶發(fā)掘人工智能價值

  • 西部數(shù)據(jù)公司于近日正式發(fā)布了人工智能數(shù)據(jù)周期(AI Data Cycle)框架,助力推動下一代人工智能革新。該框架共分為六個階段,詳細(xì)闡明了如何通過優(yōu)化存儲組合來應(yīng)對大規(guī)模人工智能運(yùn)算負(fù)載。該框架旨在為用戶搭建先進(jìn)的存儲基礎(chǔ)架構(gòu)提供指導(dǎo),幫助提高人工智能工作流的效率并降低總體擁有成本(Total Cost of Ownership,TCO),進(jìn)一步優(yōu)化人工智能領(lǐng)域的投資效益。人工智能模型運(yùn)行時會持續(xù)不斷地使用和生成數(shù)據(jù)——在處理文本、圖像、音頻、視頻以及其他形式數(shù)據(jù)的同時,生成全新的數(shù)據(jù)。隨著人工智能技術(shù)
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DDR6內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)將上線

  • 據(jù)JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會)消息,DDR6(包括LPDDR6)已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz,可提高至17.6GHz,理論最高可以推進(jìn)至21GHz,遠(yuǎn)超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),同樣支持DDR6標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存,也就是適用于臺式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計(jì),將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初步草稿,1.0正式版最快也要到明年二季度,具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看,該內(nèi)存產(chǎn)
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新型存儲技術(shù)迎制程突破

  • 近日,三星電子對外表示,8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成,正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示,eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù),屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM(磁阻存儲器)。與傳統(tǒng)DRAM相比,eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性,不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù),同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?;谏鲜鎏匦?,業(yè)界看好eMRAM未來前景,尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中,eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一,致力于推動eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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再添一家存儲廠商IPO過會!探究AI PC/手機(jī)存儲帶來的新變革

  • 在AI加持下,存儲市場今年起勢明顯,存儲芯片價格上升、技術(shù)迭代步伐加速。近期,科創(chuàng)板再添一家存儲企業(yè)過會,近半年以來,我國已有三家存儲相關(guān)廠商成功上會,另有一家武漢新芯正啟動上市輔導(dǎo),四家廠商科創(chuàng)板IPO中止。從終端市場看,面對未來,AI技術(shù)對手機(jī)及PC應(yīng)用市場提出了新的存儲要求,以下將關(guān)注到AI給手機(jī)、PC端的最新變化。新“國九條”后聯(lián)蕓科技科創(chuàng)板IPO成功過會5月31日,上交所發(fā)布公告稱,通過了科創(chuàng)板擬IPO企業(yè)聯(lián)蕓科技(杭州)股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)蕓科技”)的發(fā)行上市申請。公開資料顯示,聯(lián)蕓科技
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業(yè)內(nèi)首發(fā)單芯片 USB4 移動固態(tài)硬盤,宇瞻宣布參加 2024 臺北國際電腦展

  • IT之家 5 月 31 日消息,存儲模組企業(yè)宇瞻昨日宣布將在 6 月 4 日開幕的 2024 臺北國際電腦展上以“智慧引領(lǐng) 前瞻未來”為主軸,帶來系列存儲新品。宇瞻將在展會上展出全球首款采用單芯片控制方案的 USB4 移動固態(tài)硬盤。根據(jù)IT之家以往報(bào)道,群聯(lián)在 CES 2024 上就展示了符合宇瞻新聞稿中描述的單芯片主控 U21,該主控支持至大 8TB 容量,順序讀寫均可達(dá) USB4 滿速。宇瞻還將帶來原生 DDR5-6400 的 DDR5 U-DIMM / SO-DIMM
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江波龍DDR3L解決方案

  • DDR3L產(chǎn)品經(jīng)過40多項(xiàng)生產(chǎn)測試,滿足各種數(shù)據(jù)緩存需求。進(jìn)行了包括老化和高低溫壓力測試在內(nèi)的40多項(xiàng)生產(chǎn)測試,保證產(chǎn)品品質(zhì)可靠;采用25nm工藝,符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn);滿足網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子、智能終端各種數(shù)據(jù)緩存需求。該解決方案選型指南請下載:https://share.eepw.com.cn/share/download/id/392549
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江波龍F(tuán)ORESEE 儲存卡

  • 該產(chǎn)品采用江波龍自研固件,擁有自主開發(fā)固件的能力;獲得多項(xiàng)核心技術(shù)專利;EPLUS系列與工規(guī)級microSD已通過樹莓派AVL兼容性認(rèn)證;廣泛應(yīng)用于安防監(jiān)控、工控、汽車電子、醫(yī)療等領(lǐng)域。更多相關(guān)資訊,請下載該方案白皮書:https://share.eepw.com.cn/share/download/id/392548
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三星計(jì)劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

  • 據(jù)外媒報(bào)道,三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)”作為下一代NAND閃存材料,希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND,并實(shí)現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利,將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性,有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測,到2030年左右,其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講,分析鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroel
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存儲龍頭計(jì)劃興建新工廠!

  • 近期,日媒報(bào)道美光科技計(jì)劃在日本廣島縣興建新廠,用于生產(chǎn)DRAM芯片,美光計(jì)劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工,并安裝EUV設(shè)備,最快2027年投入運(yùn)營。據(jù)悉,美光曾計(jì)劃該工廠能在2024年投入使用,然而由于當(dāng)前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性,美光調(diào)整了原定的時間表。近年日本積極出臺補(bǔ)貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠,美光同樣可以獲得補(bǔ)貼。2023年10月,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式宣布,將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項(xiàng)目提供高達(dá)1920億日元的補(bǔ)貼,以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試

  •  5 月 27 日消息,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片尚未通過英偉達(dá)測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道,三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”,同時強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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組臺電腦成本越來越高:除 CPU / GPU 之外,內(nèi)存和固態(tài)硬盤價格也瘋漲

  • IT之家 5 月 20 日消息,各位網(wǎng)友,你有發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在組裝一臺電腦越來越貴了嗎?除了 CPU 和 GPU 兩個大件之外,內(nèi)存和固態(tài)硬盤的價格也水漲船高,基本上所有零件都處于漲價狀態(tài)。固態(tài)硬盤的價格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點(diǎn),甚至連 DDR5 內(nèi)存的價格似乎也已觸底。然而,這一切都將在 2024 年下半年發(fā)生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點(diǎn),簡要介紹如下:固態(tài)硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測過去 6-7 個月亞馬遜平臺固態(tài)硬盤價格,從 2023 年 10 月左右開
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存儲 介紹

存儲   cún chǔ   (存存儲儲)   1.把錢或物等積存起來?!肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗摚瑧?yīng)行存儲款項(xiàng)?!薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》:“每年新漕進(jìn)倉,倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲,將某倉存儲某年米色數(shù)目,造冊先期咨部存案。” 魯迅 《書信集·致李小峰》:“《舊時代之死》之作者之家族,現(xiàn)頗窘,幾個友人為之集款存儲,作孩子讀書之用。”   2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]

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