存儲文章最新資訊

半導(dǎo)體銷售額創(chuàng)歷史新高，邏輯芯片與存儲器引領(lǐng)增長

2025年，全球半導(dǎo)體銷售額創(chuàng)下歷史新高，凸顯了該行業(yè)復(fù)蘇的規(guī)模與速度。據(jù)歐洲半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（ESIA）數(shù)據(jù)顯示，2025年全球芯片銷售額達到7916.9億美元，較2024年增長26.1%。對于《eeNews Europe》的讀者而言，這些數(shù)據(jù)清晰地揭示了需求增長最為強勁的領(lǐng)域——無論是從產(chǎn)品類別還是區(qū)域表現(xiàn)來看。同時，這些數(shù)據(jù)也有助于將歐洲相對溫和的增長置于全球市場迅猛擴張的大背景下加以理解。邏輯芯片與存儲器主導(dǎo)全球增長根據(jù)公告，2025年推動全球半導(dǎo)體增長的最主要動力來自邏輯器件和MOS存儲器。邏輯芯
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體芯片存儲

AI PC需要什么樣的存儲？

隨著采用Panther Lake處理器的AI PC開賣，端側(cè)AI不僅獲得了更強的AI算力、續(xù)航和游戲體驗，終端形態(tài)也因為芯片算力提升、能耗降低而重新調(diào)整內(nèi)部形態(tài)，1.2kg以下的輕薄型筆記本電腦開始變得司空見慣，基于Windows系統(tǒng)平臺的游戲掌機也伴隨著iGPU性能大幅提升獲得優(yōu)秀體驗。事實上不局限于Panther Lake，在CES 2026期間，基于新一代驍龍X2 Elite Extreme和Ryzen AI 400系列的輕薄型筆記本、掌機、平板等端側(cè)AI設(shè)備蓄勢待發(fā)，以往要依靠臺式機級別的獨立GP
關(guān)鍵字： AI PC 存儲 CES 2026

多家半導(dǎo)體企業(yè)實施漲價

近期，半導(dǎo)體市場發(fā)生顯著變化，行業(yè)掀起一輪大規(guī)模漲價潮。繼此前芯茂微（Cmsemicon）等中國廠商宣布對特定產(chǎn)品線進行價格調(diào)整后，多家本土半導(dǎo)體公司紛紛跟進。其中，存儲芯片廠商普冉半導(dǎo)體（Puya Semiconductor）表示，其部分存儲類產(chǎn)品價格已在合理范圍內(nèi)作出調(diào)整。此外，第一財經(jīng)等媒體還報道，美芯晟（MAXIC）、琪威電子（Kiwi Instrument）和英集芯（Injoinic）等企業(yè)也順應(yīng)市場趨勢，相繼發(fā)布漲價通知，進一步推高國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的整體價格走勢。普冉半導(dǎo)體：NOR Flash
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體存儲

HBM專家稱：韓中存儲技術(shù)差距超5年，且在EUV受限下可能進一步拉大

中國是否正在縮小與韓國存儲巨頭的技術(shù)差距？一位業(yè)內(nèi)資深人士認為，實際差距可能比普遍認知的更大，甚至還在擴大。據(jù)《韓國先驅(qū)報》（The Korea Herald）報道，東亞大學(xué)下一代半導(dǎo)體教授沈大永（Shim Dae-yong）表示，中國存儲廠商與韓國同行之間的技術(shù)鴻溝被嚴重低估，在他看來，差距并非兩三年，而是已超過五年。沈大永被公認為DRAM領(lǐng)域的資深專家，曾在SK海力士工作26年，主導(dǎo)核心DRAM技術(shù)研發(fā)，并在高帶寬內(nèi)存（HBM）的早期發(fā)展中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。核心瓶頸：EUV光刻機受限沈大永指出，制約中國
關(guān)鍵字：存儲

三星、SK海力士預(yù)計2026年上半年NAND閃存毛利率將達40–50%，創(chuàng)歷史新高

隨著存儲芯片價格持續(xù)上漲，三星電子與SK海力士有望實現(xiàn)NAND閃存業(yè)務(wù)毛利率的歷史新高。據(jù)ZDNet報道，兩家公司預(yù)計將在今年上半年繼續(xù)激進上調(diào)NAND產(chǎn)品價格，業(yè)內(nèi)預(yù)估其毛利率將攀升至40%–50% 區(qū)間。ZDNet指出，這將是NAND產(chǎn)品近十年來首次達到如此高的盈利水平——上一次類似盛況還要追溯到2017年的存儲“超級周期”。報道補充稱，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至約20%。報道援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，市場普遍預(yù)期NAND價格將在第一季度和第二季度分階段持續(xù)上漲。由于存儲廠商對N
關(guān)鍵字：三星海力士存儲

三星HBM4將于農(nóng)歷新年后率先出貨，初期市占率預(yù)計約25%

隨著英偉達（NVIDIA）計劃于2026年3月中旬在GTC大會上推出下一代AI加速器“Vera Rubin”，三星與SK海力士在HBM4（第四代高帶寬內(nèi)存）領(lǐng)域的競爭正引發(fā)市場高度關(guān)注。據(jù)韓聯(lián)社（Yonhap News）和《韓國經(jīng)濟新聞》（Hankyung）報道，三星有望成為全球首家在農(nóng)歷新年后實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)并出貨的廠商，但其初期市場份額預(yù)計僅在25%左右。《韓國經(jīng)濟新聞》援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，英偉達已于2025年底初步分配了HBM4的采購份額：SK海力士獲得最大份額，約為55%；三星位居第二，占比約25
關(guān)鍵字：存儲 HBM 三星

AI，白銀和存儲，同日三重暴跌左右全球經(jīng)濟未來

2025年最具“錢”景的應(yīng)用——人工智能，2025年漲幅最高的原材料——白銀，以及2025年漲價最狠的商品——存儲器，在1月30日同時迎來行情暴跌，白銀單日跌幅超過30%，而存儲器中的DRAM和NAND下跌6%-10%左右，而人工智能領(lǐng)域的大事件是，最受矚目的兩家公司之間的合作可能暫停。很難說究竟同日三重暴跌的導(dǎo)火索是什么，正如我們很難把AI、白銀和存儲器三者在2025年的暴漲單獨來分析一樣。當暴漲的白銀成為空頭的目標，而白銀受人工智能需求旺盛預(yù)期導(dǎo)致期貨與現(xiàn)貨市場之間出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性脫節(jié)，當英偉達再一次很戲劇
關(guān)鍵字： AI 白銀存儲

存儲價格現(xiàn)波動全球存儲廠商2月迎接新挑戰(zhàn)

1月最后一個交易日存儲價格突然受到AI需求可能緊縮的影響出現(xiàn)暴跌，雖然這波行情可能屬于短期震蕩，但這還是為很多存儲廠商亮麗的年報蒙上一層陰影
關(guān)鍵字：存儲價格存儲廠商三星電子 SK 海力士美光

三星、SK海力士和美光據(jù)報加強訂單審核以遏制囤貨行為，內(nèi)存供應(yīng)緊張持續(xù)

內(nèi)存供應(yīng)緊張局面仍在持續(xù)。據(jù)《日經(jīng)亞洲》援引消息人士稱，三大存儲芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星電子（Samsung Electronics）已加強對客戶訂單的審查，以防止蓄意囤積庫存。報道稱，這三家公司已收緊要求，要求客戶提供終端客戶信息及訂單數(shù)量，以確保需求真實，避免過度預(yù)訂或大規(guī)模囤貨進一步擾亂市場。在當前持續(xù)短缺的背景下，報告指出，入門級和中端消費電子產(chǎn)品——如電視機、機頂盒、家用路由器、低價平板電腦、智能手機和PC——預(yù)計將受到最嚴重沖擊，而汽車行業(yè)也可能
關(guān)鍵字：三星海力士存儲

芯海科技進軍NOR閃存市場

中國本土芯片企業(yè)芯海科技（Cmsemicon）正式推出其首款非易失性存儲芯片，發(fā)布旗下首款閃存產(chǎn)品CMS25Q40A，標志著公司正式且實質(zhì)性地進軍存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域。據(jù)報道，該產(chǎn)品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的SPI接口NOR Flash芯片。其存儲陣列由2,048個可編程頁組成，每頁大小為256字節(jié)，單次寫入操作最大可編程數(shù)據(jù)量達256字節(jié)。該芯片支持多種擦除模式，具備成本低、功耗低、高速SPI讀寫性能以及斷電后數(shù)據(jù)可長期保存等優(yōu)勢，主要面向小容量存儲應(yīng)用場景，包括嵌入式MCU程序存儲、小型智能
關(guān)鍵字：芯海科技閃存存儲

上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應(yīng)合約價格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業(yè)級的NAND價格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。市場研究機構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
關(guān)鍵字：存儲 NAND DRAM 三星 SK海力士

小米、OPPO據(jù)報道在內(nèi)存緊張中削減了2026年出貨量，華為影響較小

在內(nèi)存價格飆升的背景下，中國智能手機品牌成為沖擊最嚴重的品牌之一。據(jù)《南華早報》和《解放新聞》報道，小米已將2026年出貨預(yù)測下調(diào)超過20%，而OPPO、Transsion和vivo也下調(diào)了出貨預(yù)期。值得注意的是，報道指出華為通過與中國領(lǐng)先存儲器供應(yīng)商相關(guān)聯(lián)的本地供應(yīng)鏈，更好地抵御了內(nèi)存成本上升，以保持一定利潤空間。Jiemian報道，公司內(nèi)部正在考慮降價，以進一步擴大市場份額。然而，其他中國智能手機制造商面臨的前景更加嚴峻。《南華早報》報道，小米已將供應(yīng)商的出貨指引從去年第四季度設(shè)定的1.8億輛目標下調(diào)
關(guān)鍵字：存儲小米 OPPO 華為

中微半導(dǎo)發(fā)布首款Flash芯片，進軍存儲領(lǐng)域

1月19日，中微半導(dǎo)發(fā)布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲器芯片，正式進入Flash領(lǐng)域。這一產(chǎn)品型號為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲陣列被劃分為2048個可編程頁，每頁容量為256字節(jié)，單次編程操作最多可寫入256字節(jié)數(shù)據(jù)。它支持多種擦除方式，包括1KB扇區(qū)擦除、4KB扇區(qū)擦除、32KB塊擦除、64KB塊擦除及整片擦除。其核心特點包括低成本、低功耗、SPI高速讀寫以及掉電不丟失等。性能參數(shù)方面，CMS25Q40A采用1.65
關(guān)鍵字：中微半導(dǎo) Flash 存儲 CMS25Q40A

據(jù)稱美光預(yù)計內(nèi)存將持續(xù)到2028年;OEM在關(guān)鍵退出后仍保持消費者觸達

隨著美光準備于1月16日動工紐約大型晶圓廠，公司對全球記憶市場的前景仍備受關(guān)注。Wccftech援引美光移動與客戶端業(yè)務(wù)部市場副總裁Christopher Moore的話，強調(diào)鑒于晶圓廠擴建和認證流程的復(fù)雜性，持續(xù)的內(nèi)存短缺不太可能在2028年前緩解。新Fabs緩慢以緩解供應(yīng)緊張美光的謹慎前景與其長期擴張路線圖相符。據(jù) syracuse.com 稱，公司在紐約的首家工廠計劃于2030年建成，第二家工廠預(yù)計2033年，第四家工廠預(yù)計于2045年建成。與此同時，預(yù)計2027年開始生產(chǎn)愛達荷
關(guān)鍵字：美光存儲

GigaDevice在香港上市：創(chuàng)始人押注中國記憶未來

中國芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應(yīng)商，于1月13日首次進入香港市場。據(jù)EE Times China報道，該公司在IPO中發(fā)行了2892萬股H股。此次發(fā)行價格為每股162港元，據(jù)報道籌集資金高達46.84億港元（約合6億美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 強調(diào)，GigaDevice既是國內(nèi)DRAM巨頭CXMT的股東，也是其姊妹公司，兩家公司均由同一位企業(yè)家朱怡明創(chuàng)立。正如36Kr之前報道，2022年至2024年間，GigaDevice累
關(guān)鍵字： NAND 香港存儲

共836條 1/56 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

存儲介紹

存儲　　cún chǔ 　　（存存儲儲）　　1.把錢或物等積存起來。《清會典事例·戶部·庫藏》：“戶部奏部庫空虛，應(yīng)行存儲款項。”《清會典·戶部倉場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案。” 魯迅《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用。” 　　2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細 ]