中國是否正在縮小與韓國存儲巨頭的技術差距？一位業內資深人士認為，實際差距可能比普遍認知的更大，甚至還在擴大。據《韓國先驅報》（The Korea Herald）報道，東亞大學下一代半導體教授沈大永（Shim Dae-yong）表示，中國存儲廠商與韓國同行之間的技術鴻溝被嚴重低估，在他看來，差距并非兩三年，而是已超過五年。

沈大永被公認為DRAM領域的資深專家，曾在SK海力士工作26年，主導核心DRAM技術研發，并在高帶寬內存（HBM）的早期發展中發揮了關鍵作用。

核心瓶頸：EUV光刻機受限

沈大永指出，制約中國先進DRAM發展的根本性障礙在于無法獲得極紫外光刻（EUV）。報道稱，EUV設備已成為10納米級（10nm-class）及更先進DRAM制程不可或缺的關鍵工具。

為說明背景，報道解釋道，DRAM制程通常從1x、1y、1z節點（低于20納米）逐步演進至1a、1b、1c等10納米級節點。雖然通過多重 patterning（多圖案化）技術可在一定程度上延用傳統光刻設備（如美光在1a節點所做），但從1b節點開始，EUV實際上已變得不可或缺。

此外，報道指出，良率仍是中國企業的一大難關。要實現具備商業競爭力的成本結構，通常需要達到80%至90%的良率水平，而目前中國廠商在此方面仍面臨挑戰。

3D堆疊：轉移壓力，而非根本解方

沈大永表示，中國企業的替代路徑是聚焦先進3D堆疊技術——在缺乏EUV的情況下，這或許是唯一可行的追趕手段。然而，他也強調，這種策略只是將技術瓶頸從光刻環節轉移到了其他領域，尤其是關鍵材料與先進封裝。

報道稱，HBM所依賴的核心材料，如底部填充膠（underfill）和環氧模塑料（epoxy molding compounds），目前主要由日本企業（如Resonac和NAMICS）掌控。沈大永補充道，即便是三星電子和SK海力士，也花了多年時間才逐步實現這些關鍵材料的本土化供應。

協同開發經驗難以復制

除EUV限制和材料依賴外，報道援引沈大永觀點指出，中國存儲廠商還缺乏韓國企業數十年積累的深度協同開發經驗。韓國存儲巨頭長期與微軟、谷歌、蘋果、英偉達等全球科技龍頭緊密合作，不僅提供產品，更深度參與新系統架構下的聯合開發與驗證流程。

沈大永強調，這種合作關系并非簡單的采購關系，而是一種高度集成的技術生態協作。正如報道所言，這種能力無法在短期內復制或速成。

結語

綜上所述，在EUV設備禁運、關鍵材料受制、先進封裝能力不足以及生態系統協同經驗欠缺等多重因素疊加下，中國存儲產業與韓國領先企業的技術差距不僅未縮小，反而可能在未來進一步拉大。即便通過3D堆疊等“彎道超車”策略取得局部突破，整體追趕之路依然漫長而艱巨。