據新華社報道，由中國科技大學（USTC）張樹辰教授領導的研究團隊，與美國普渡大學和上海科技大學的研究人員合作，在新型半導體材料領域取得了顯著進展。團隊首次實現了在二維離子軟晶格材料中可控制造面內、可編程、原子平坦“馬賽克”異質結，開辟了下一代高性能發光和集成器件開發的新路徑。研究結果于1月15日發表在《自然》雜志上。離子軟晶格半導體，以二維鹵化物鈣鈦礦表示，具有柔性但結構不穩定的晶格。傳統制造技術如光刻通常涉及激進的加工步驟，可能損壞材料，難以實現高質量的橫向異質整合。因此，如何在此類材料中實現精確、可控
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材料 半導體
原材料價格上漲，半導體基板行業感受到壓力，關鍵投入成本持續上升。據ZDNet報道，韓國基材制造商正面臨原材料價格急劇上漲帶來的日益增長壓力。報告援引業內消息指出，2025年主要半導體基材價格——包括黃金和銅包層壓板（CCL）——大幅上漲。黃金和CCL合計占印刷電路板（PCB）原材料成本的近一半。報告補充說，PCB是DRAM、SSD模塊和系統半導體中不可或缺的組成部分。PGC和CCL成本上漲滿足高端PCB材料需求的激增報告指出，金氰化鉀（PGC）是基底中最關鍵的金基材料。據報道，韓國PCB制造商TLB和Si
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隨著中國加倍強調技術獨立，華為及其合作伙伴生態系統在這一努力中發揮了關鍵作用。據日經報道，2019年美國制裁華為后，成立了包括全資子公司哈勃在內的投資部門，支持60多家半導體公司。這些與華為有關聯的芯片公司正加快收購和擴產，努力構建自給自足的國內供應鏈。報告指出，雖然華為未直接參與其支持企業的投資，但這些舉措正在加強其供應鏈，符合中國國家戰略。以下是華為相關公司的一些重要舉措。華為支持的HHCK著手整合中國包裝材料市場據日經報道，華為持有2%股份的江蘇HHCK先進材料，一家芯片封裝材料制造商，已完成以16
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從熱退火到原子級剝離，研究人員正在重新思考制造瓶頸，以解鎖半導體新的性能上限。密歇根大學、麻省理工學院、威斯康星大學麥迪遜分校和多倫多大學的研究團隊最近展示了如何通過新穎的工藝調整，而不僅僅是新材料，來顯著提高設備性能和可擴展性。這些制造技術可以推動從壓電傳感、紅外成像到太陽能能的應用。 熱處理技術大幅提升壓電薄膜性能密歇根大學的工程師們通過簡單的生長后熱退火步驟，將鈧鋁氮化物（ScAlN）的壓電響應提高了八倍——這種材料已被視為傳統陶瓷如 PZT 的繼任者。轉折點？將材料加熱至 700°C 持
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半導體 材料
銅和光互連作為下一代數據中心的選擇都面臨局限性。了解第三種選擇如何承諾在未來多年里支持數據中心中 AI 集群的擴展。在未來幾年里，數據中心中 AI 加速器集群的擴展將面臨復合挑戰。系統架構師將需要同時應對三個挑戰：提供更好的性能以滿足飆升的帶寬需求。在計算能力和復雜性的擴展中控制成本。繼續提高能源效率。這三個挑戰讓網絡運營商夜不能寐。雖然新技術的出現為創新創造了機會，但也讓數據中心不堪重負。新的 AI 和機器學習工作負載，如生成式 AI 和大型語言模型（LLMs），正在將數據帶寬推向傳統互連之外，速度迅速
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【EEPW 電子產品世界 訊】在摩爾定律逼近物理極限、全球科技競爭加劇的背景下，芯片制造正不斷向更高精度與更高效率邁進。近日，中國與美國團隊分別在光刻技術與計算架構領域取得重要進展，為半導體行業注入新的活力。中國科學院實現193nm固態深紫外激光器來自中國科學院的一項最新研究成功開發出可發射193納米波長光的固態深紫外（DUV）激光器，這一波段是先進芯片光刻的關鍵技術。目前，商用光刻系統普遍采用氟化氬（ArF）準分子激光器作為光源，存在體積大、系統復雜和運維成本高等問題。與之相比，固態激光器結構緊湊、穩定
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半導體 材料
臺積電（TSMC）近日正式宣布，將在2026年推出全新的共同封裝光學（CPO）技術，融合其業界領先的Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWoS）封裝技術與硅光子（Silicon Photonics）技術。此舉旨在滿足人工智能（AI）與高性能計算（HPC）領域對高速數據傳輸和低能耗的迫切需求，同時引領下一代數據中心的技術潮流。COUPE：臺積電CPO戰略的核心技術在此次技術布局中，臺積電緊湊型通用光子引擎（Compact Universal Photonic Engine，COUPE）
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什么是電位器？電位器（Potentiometer），簡稱“Pots”，是工程師中常用的稱謂，實際上是一種帶有機械調節機構的電阻器，可以手動調節其阻值。電阻器本身提供固定的阻值，用于阻止或“限制”電路中的電流流動。而電位器的本質是一種可變電阻。電位器的工作原理是通過分壓器調節輸出電壓，并能夠精確測量（即“計量”）電勢，這也是“電位器”名稱的由來。它們產生的輸出信號與電刷在電阻元件上的物理位置成比例，具有連續可變性。作為被動元件，電位器無需額外電源或電路即可運行。電位器的簡史在19世紀初電力研究和開發快速發展
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明尼蘇達大學的研究人員開發出一種透明的導電材料，大大提升了電子在高功率電子設備中的移動速度和效率，為人工智能、計算機技術和量子技術等領域帶來了潛在變革。該材料能夠在可見光和紫外光下保持透明，同時實現前所未有的高性能，這是半導體設計中的一項重要突破，有望推動全球半導體產業的發展。半導體是智能手機和醫療設備等電子產品的核心。為滿足新技術需求，科學家不斷研發超寬帶隙材料，這些材料能在極端條件下高效傳導電力，適用于更耐用的電子設備。本研究通過增大材料的“帶隙”來提升透明度和導電性，為高性能計算、智能手機，甚至量子
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芝加哥大學的科學家們開發出一種新型凝膠材料，既具備傳輸信息的半導體功能，又能在活體組織和機器之間構建穩固連接。這一創新為生物電子學領域開辟了廣闊前景，或將推動起搏器和其他植入式設備的發展。芝加哥大學普利茲克分子工程學院的研究表明，這種新材料或可用于改進腦機接口、生物傳感器和心臟起搏器等設備。理想的生物電子接口材料應當柔軟、可拉伸，并與人體組織一樣具有親水性，因此水凝膠被認為是最佳候選材料。然而，用于制造生物電子設備的核心材料——半導體——傳統上卻表現出剛硬、易碎且疏水的特性。在《科學》期刊上發表的芝加哥大
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沖繩科學技術研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導體制造標準的極紫外（EUV）光刻技術。基于此設計的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統EUV光刻機的十分之一，有助于半導體行業變得更加環保可持續。通過解決兩個以前被認為在該領域不可克服的問題，這項技術得以實現。第一個問題涉及一種僅包含兩個鏡子的全新光學投影系統。第二個問題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會阻擋光學路徑。E
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中國科學家們研發出一種超薄半導體材料，這一進展可能會帶來更快、更節能的微芯片。由北京大學的劉開輝、人民大學的劉燦和中國科學院物理研究所的張光宇領導的團隊，開發了一種制造方法，可以生產厚度僅為0.7納米的半導體材料。研究人員的發現于7月5日發表在同行評議期刊《科學》上，解決了減少傳統硅基芯片尺寸的關鍵障礙——隨著設備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學家探討了二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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2024年6月25日，美國國家核能辦公室發表聲明，橡樹嶺國家實驗室（ORNL）的一項新研究證明氮化鎵半導體可以在核反應堆核心附近的惡劣環境中成功存活。研究發現這一發現可能使得在運行中的反應堆中將電子元件放置得更靠近傳感器成為可能，從而實現更精確的測量和更緊湊的設計。這些研究結果可能有一天會導致在核反應堆中使用無線傳感器，包括目前正在開發的先進小型模塊化和微型反應堆設計。更靠近核心傳感器用于從核反應堆中收集信息，可以在設備故障發生前識別潛在問題。這有助于防止計劃外停機，每天可能導致公司損失數百萬美元的發電收
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在凝聚態物理實驗室（PMC*），一個團隊成功確定了與半導體中原子排列缺陷存在相關的自旋依賴電子結構。這是首次測量到這種結構。研究結果發表在《物理評論快報》上。研究像所有晶體材料一樣，半導體由在空間中完美規則排列的原子組成。但實際上材料從未完美，即使使用最先進的工藝進行大規模生產，半導體仍然存在缺陷。這些缺陷會改變材料的局部電子結構，可能產生負面影響，也可能對應用有益。這就是為什么理解它們背后的基本物理原理如此重要。這正是PMC團隊所完成的工作，得益于阿加莎·烏利巴里在其論文期間的研究，并發表在《物理評論快
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對于社會要過渡到電氣化世界，許多技術（如電動汽車電機和電網電池）需要普及。這些技術許多都需要稀土金屬，而這些金屬在成本上不僅昂貴，還對環境和社會有害。上周，一家總部位于英國的公司宣布，他們利用人工智能在僅僅三個月內成功開發出一種完全不使用稀土金屬的磁體。根據該公司表示，這比正常速度快了大約200倍。人工智能已經被用于發現綠色能源過渡中的其他關鍵領域的材料，顯示出人工智能可以成為對抗氣候變化的強大盟友。眾所周知，世界需要迅速擺脫化石燃料。人類綠色能源快速轉型的一個大問題是，將來為電動機和電池提供動力需要稀土
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