- 意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協議。
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SiC
- 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6
V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3
V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應用中，各個壓降會產生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優勢。簡介理想二極管使用低導通電阻功率開關（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向
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MOSFET 二極管 功率開關
- 工業電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業領域為設備提供穩定的電力供應，在工業自動化、通訊、醫療、數據中心、新能源儲能等領域廣泛使用。與普通的電源相比，工業電源應用環境苛刻復雜，對電源的穩定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優化的電路和結構設計，利用先進的工藝和封裝技術制造， 形成的一個結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩壓電源
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工業電源 功率器件 碳化硅
- 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車領域，
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碳化硅 氮化鎵 新能源汽車 汽車電子
- 12月29日消息，昨日，在小米汽車技術發布會上，小米集團董事長雷軍宣布，發布CTB一體化電池技術，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時代歷時兩年共同研發。據雷軍介紹，小米電池通過全球最嚴苛的熱失效安全標準，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時，采用行業首創電芯倒置技術，最大程度保證乘員艙安全。同時，該項技術可以達到低溫環境下“續航保持率同級更高、空調升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車立
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小米汽車 碳化硅 寧德時代
- 過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變為溝槽型，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
- 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車半導體行業將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業大趨勢下，到2028年，該數字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術變革的主要驅
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汽車電子 半導體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。在我們的傳統印象中，電機驅動系統往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的
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英飛凌 SiC MOSFET
- 2023年12月22日，中國北京-服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設計、研發、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。按照協議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。隨著汽車行業電動化和綠色低碳轉型的持續深入，高壓純電動車因其能效更高、續航里程更遠，已成為汽車制
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意法半導體 碳化硅 理想汽車 高壓純電動車
- 一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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MOSFET NMOS PMOS
- 據通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據悉，通用智能采用激光隱切技術完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實現8寸碳化硅晶錠剝離設備的量產。
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碳化硅 晶錠
- 據科友半導體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發及產業化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上，以黑龍江省科學院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為，科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術和新工藝，建立了碳化硅襯底生產的工藝流程，制定了相關工藝流程的作業指導書，一致同意項目通過階段驗收評審。據了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發及產業化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目，由哈爾濱科友半導體承擔，旨在推動8英寸碳化硅裝備國
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碳化硅 科友半導體 第三代半導體材料
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進入了全面的市場拓展階段。加上面向再生能源的市場，汽車使用市場的增長比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長也顯示出SiC的一方面。不久前，行業也有研究在300mm的SIC增產的動向。然而，解決SiC容量增強問題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產化和量產化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場全方位戰略已擴大工業化加速進入公司約100家。”中國Si
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SIC，液晶，半導體
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅動器還具有高
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Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門極驅動器
- 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產生源，一個是固定幅值的三角波（調制波）發生器，一個為正弦波發生器，利用三角波對正弦波進行調制，就會得到占空比按照正弦規律變化的方波脈沖列，調制比不同，一個正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
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RS瑞森半導體 碳化硅 MOS管
碳化硅(sic)mosfet介紹
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