CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。溫度對CoolSiC? MOSFET導通特性的影響MOSFET靜態輸出特性的關鍵參數是漏極-源極導通電阻RDS(on)。我們定義了CoolSiC? MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線，如圖1左側所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的
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在物聯網系統中，信任機制是設備與云服務之間進行各種交互的基石。因此，必須為每臺設備提供唯一的可信身份標識，以便在設備連接入網時進行安全身份認證。與此同時，為成千上萬臺設備提供安全ID，對OEM廠商來說是一個不小的挑戰。為了幫助OEM廠商應對這些挑戰，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務相結合，推出了一款高端安全解決方案，為物聯網設備大規模接入云端提供硬件信任錨。 &
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英飛凌 安全芯片
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經過不斷研究和持續優化，現在，全新推出的CoolSiC? MO
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英飛凌 MOSFET
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智慧座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技（Infineon）與專注于3D ToF（飛時測距）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3影像傳感器，該傳感器符合ISO 26262標準，具有更高的分辨率。英飛凌3D感測業務副總裁Christian Herzum表示，在針對行動消費終端的3D傳感器領域，英飛凌一直處
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ISO 26262 英飛凌 3D影像傳感器
現在的高功率變頻器和驅動器承載更大的負載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關時）變化到低于地的負壓（S1關閉時）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負載電路中產生的瞬態負電壓。電平轉移高壓驅動芯片有兩個主要組成部分：1 電平轉移電路，其作用是把以COM腳為參考的輸入邏輯信號轉換成以VS腳為參考的輸出驅動信號。2 自舉二極管，對浮地端的供電電容進行充電。對于這兩部分電路，英飛凌的SOI驅動芯
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英飛凌 高壓驅動芯片
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將推出AIROC? CYW20820藍牙? 和低功耗藍牙?片上系統（SoC），進一步壯大其AIROC藍牙系列的產品陣容。AIROC CYW20820 藍牙和低功耗藍牙片上系統，專為物聯網應用而設計，符合藍牙5.2核心規范。它可支持家居自動化以及傳感器的豐富應用場景，包括醫療、家居、安防、工業、照明、藍牙Mesh網絡以及其他需要采用低功耗藍牙或雙模藍牙連接的物聯網應用。 AIROC? CYW20820 A
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英飛凌 藍牙
隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達到140W，進一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設備供電。英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案● 采用混合反激 （HFB）拓撲,支持5-28V寬壓輸出● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產品定位需求● 相比傳統QR,ACF
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IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數據手冊是這樣描述短路能力的，在驅動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內成功關斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅動保護電路可以從容安全地關斷短路電流。短路能力不是免費的器
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英飛凌 IGBT 功率半導體
在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數都是連接電網工作于工頻50或60Hz工況，芯片結溫波動很小，因此其通常不會是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時也不會特意去計算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機型要滿足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來做系統的熱設計，這時就需要計算整流橋的損耗。而目
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英飛凌 PIM
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業1200V SiC MOSFET的M1H系列產品與應用為參考，其他不同電壓等級或不同廠家的SiC產品，不盡相同。在SiC產品的規格書中，都會有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區間(如圖1所示)，以供大家在實際應用中參考。但是推薦非強制，
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英飛凌 Vgs 門極電壓
在之前的技術文章中，介紹了驅動芯片的概覽和PN結隔離(JI)技術，本文會繼續介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅動芯片技術。高壓柵極驅動IC的技術經過長期的發展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統的導電型的硅襯底，它有三層結構，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機械支撐，第二層是薄的二氧化硅層，二氧化硅是一種絕緣體，從而形成一層絕緣結構，第三層是薄的單晶硅頂層，在這一層進行電路的刻蝕，形成驅動IC的工作層。圖１.絕緣
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英飛凌 驅動芯片
英飛凌科技（Infineon）發布了新一代XENSIV MEMS麥克風。新產品包括IM69D127、IM73A135和IM72D128三款型號，進一步壯大了英飛凌的麥克風產品組合，同時也為業界樹立了新標竿。這些具有可選功率模式的MEMS麥克風適用于各種消費電子產品，例如具有主動降噪（ANC）功能的耳機、TWS耳機、具有波束成形功能的會議設備、筆記本電腦、平板計算機或具有語音交互功能的智能音箱。此外該產品還適用于某些工業類應用，例如預側性維護和安全等。這些高性能MEMS麥克風旨在以更高的精度和音質擷取音頻訊
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英飛凌 XENSIV MEMS麥克風
海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。 這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能，并節約系統成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實現系統整合。英搏爾MCU技術總監劉宏鑫表示：「英搏爾堅定不移地遵循使用分立式組件設計電機控制單元（MCU）的技術路線，不斷開發出高性價比的產品，從而始終保持
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英搏爾 英飛凌 IGBT EDT2組件
中國領先的車載逆變器供應商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能，并節約系統成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實現系統集成。?? ? ? ? &
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英博爾 英飛凌 IGBT
隨著PD產品在市場的日趨成長，Type-C連接口的應用越來越廣泛，PD協議是以Type-C作為載體傳輸資料或充電，也就是說PD協議需要搭配Type-C界面來實現。常見筆電標配的電源供應器由于體積較大，加上不好收納的電源線，影響攜帶時的便利性，因此利用大功率的PD充電器加上誘騙器即能快速解決問題。具有智慧快充誘騙功能的PD電源，可解決USB輸入口供電不足的問題并結合快充功能的充電器使用，達到輸出功率更大，效率更高，提高其實用性，并可利用不同的PD電源產品利用誘騙器來提供給無Type C界面的產品使用，既可提
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英飛凌 BCR CYPD3177 PD控制
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