【2026年4月27日, 德國慕尼黑訊】全球半導體和傳感器解決方案領域的領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球汽車照明領導者法雷奧正在合作推出集成激光束掃描（LBS）技術的短距離地面投影模塊。雙方的首項合作創新成果將在中國北京舉辦的2026北京國際汽車展覽會法雷奧展臺（B2館B2D01展位）上亮相。 英飛凌2D MEMS鏡片及其控制器為法雷奧的高分辨率地面投影模塊提供支持，助力實現超高的亮度、對比度和分辨率 想要地面投影在日間清晰可見，就必
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英飛凌 法雷奧 激光束 投影模塊 MEMS
歐洲正采取更結構化的方法將量子研究轉化為可大規模制造的硬件，英飛凌將自己定位為推動這一轉型的工業參與者之一。公司表示，將為三個聚焦量子芯片的歐洲試點線項目貢獻工程和半導體制造專業知識。這一公告很有用，因為它表明歐洲正努力在量子硬件領域建立實際實力，而不僅僅是在學術研究領域。它還展示了成熟的半導體制造技術如何成為未來量子器件擴展的關鍵組成部分。從實驗室原型到可制造的量子芯片英飛凌參與了歐洲六個入選的量子試點線項目中的三個：CHAMP-ION、SUPREME 和 SPINS。這些試點線的目標是通過為初創企業、
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英飛凌 歐洲量子芯片點線
平臺固件彈性防護（PFR）核心組成，厘清安全啟動與度量啟動二者差異服務器啟動全流程關鍵階段梳理，明確安全內存在落實美國國家標準與技術研究院 SP800-193 規范中的重要作用隨著數字時代不斷發展、人工智能規模化普及高度依賴數據中心，這類基礎設施的安全等級要求持續攀升。針對平臺固件這一核心層級的網絡攻擊愈發頻繁、手段愈發復雜。固件承擔系統初始化、硬件配置、底層運算等核心功能，直接決定系統運行安全與穩定性，因此固件本身的完整性、真實性至關重要。為應對各類固件安全風險，美國國家標準與技術研究院（NIST）發布
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固件彈性防護 數據中心 英飛凌
引言AURIX? TC4x CDSP(Converter Digital Signal Processor)是AURIX? TC4x?的信號處理器模塊,位于ADC模塊中,主要用于ADC信號的后處理。CDSP?可以運行用戶自定義的算法和功能,高效處理ADC?信號,并把處理結果給到TriCore?。本文介紹CDSP?的用戶自定義軟件開發環境、CDSP?軟件集成到TC499PP TriCore?工程。CDSP?結構和運行機制CDSP?包括一個
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英飛凌 AURIX CDSP信號處理器
美國NASA的Artemis II任務已成功返回地球，此次任務不僅完成了超越地球軌道的探索，還為深空環境下的機載電子設備提供了重要的實際驗證。任務的成功凸顯了抗輻射半導體設計在太空船可靠性中的關鍵作用。全球半導體巨頭英飛凌發布報告稱，其抗輻射半導體在任務期間保持了無故障的運行狀態。這些由英飛凌IR HiRel部門開發的專用元件，成功支持了獵戶座太空艙的電源管理、系統控制和數據通信等核心功能。英飛凌IR HiRel資深副總裁Mike Mills指出，隨著太空任務愈加復雜且電氣化需求增加，半導體技術的突破已成
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英飛凌 抗輻射半導 Artemis II
SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSFET的并聯應用的場景越來越普遍。不管是SiC MOSFET還是IGBT,并聯的目標都是實現電流的均勻分布,且消除芯片間的振蕩。為了達到這一目標,我們需要做到三點:1.并聯芯片參數盡可能一致2.功率回路、驅動回路與散熱結構布局一致3.門極驅動電路的優化設計作為高速開關器件,SiC MOSFE
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英飛凌 SiC MOSFET 并聯設計
對于我國的電力電子界來說,固態變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網合環運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經的商業化之路面對的挑戰大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統概念的普及,和未來智能電網的電力潮流雙向流動,讓SST的商業價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW級機架演進,傳統數據中心供電架構已經不堪重負,難以承載極端功率密度與能效要求。智算中心正從“算力堆砌”邁入“算電協同”的關鍵階段。在這一背景下,SST
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英飛凌 溝槽柵 SiC MOSFET SST高頻高壓
在電機控制設計中,工程師們始終面臨一個經典難題:如何在有限的空間內,實現更高的效率、更低的溫升和更優的動態響應?傳統硅基MOSFET方案受限于開關速度與損耗,往往不得不在性能與體積之間妥協。如今,英飛凌CoolGaN?低壓氮化鎵晶體管與全新PSOC? Control C3微控制器的組合,為低壓電機控制帶來了系統級的突破——更小、更冷、更靜、更快。從器件到系統:CoolGaN?的價值飛輪與硅基MOSFET相比,CoolGaN?低壓GaN晶體管在器件層面具備顯著優勢:更低的導通電阻(RDS(on))與輸出電荷
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英飛凌 CoolGaN 低壓氮化鎵晶體管 低壓電機控制
TechInsights 預估，2025 年全球汽車功率半導體廠商營收同比下滑約 6.4%，降至約 132 億美元，占整個汽車半導體市場規模的 17.8% 左右。在 2025 年汽車半導體廠商份額分析中，功率器件仍為最大器件品類之一，但與處理器和存儲器不同，功率半導體走勢與整體市場趨勢相悖。這一轉變具有重要戰略意義，表明汽車半導體市場已不再主要由短缺時期的電氣化驅動因素主導，而傳統功率產品布局占比較高的供應商在 2025 年表現更為脆弱。英飛凌以約 24.2% 的市占率位居 2025 年汽車功率半導體市場
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汽車 功率半導體 英飛凌
隨著智能手機、筆記本電腦等移動設備功能日益強大，電池容量持續提升，用戶對充電器的要求也愈加嚴苛：更高功率、更小體積、更低成本、更強兼容性，已成為市場不可逆的四大趨勢。USB-C 接口的普及，更推動充電器從“專用”走向“通用”，一個充電器，即可為手機、筆記本、甚至工業設備供電，真正實現“一充多用”。在這一背景下，如何設計出既能滿足高效率、高密度要求，又能控制成本、加速上市的充電解決方案，成為系統架構師與電源設計師面臨的核心挑戰。市場趨勢與挑戰當前充電器市場主要呈現以下關鍵走向：高功率快充：設備電池越來越大，
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英飛凌 一站式充電器 快充設計
【2026年4月15日，中國上海訊】4月12日，由車百會研究院主辦的2026智能電動汽車發展高層論壇在北京舉行。英飛凌科技高級副總裁、汽車業務大中華區負責人曹彥飛應邀出席國際論壇發表演講，并在會上宣布，自2025年3月公布“與中國汽車產業同頻共振”本土化戰略以來，英飛凌依托“本土產品定義、本土生產、本土生態圈”三大支柱穩步落地，已在多個關鍵領域取得實質性進展與重要里程碑，正加速將規劃轉化為行動，賦能中國汽車產業電動化與智能化轉型升級。作為全球領先的車用半導體供應商，英飛凌連續六年蟬聯全球車用半導體市場份額
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英飛凌 汽車業務 本土化
2026 年 4 月 9 日，英飛凌科技與西安為光能源科技宣布達成深度合作，雙方將基于英飛凌 1200V TRENCHSTOP? IGBT7 與 CoolSiC? MOSFET G2 碳化硅分立器件，聯合開發更高效率、更高可靠性的通用固態變壓器（SST），重點面向儲能、充電樁及數據中心供電場景應用。固態變壓器作為新型電力電子裝備，是光儲充、數據中心直流供電等場景的核心部件，其可靠性、效率與功率密度直接影響系統穩定與運維成本。英飛凌新一代 CoolSiC? MOSFET G2 采用增強型.XT 擴散焊工藝，
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英飛凌 SST 固態變壓器 儲能 能源轉型
功率電子技術正在快速革新，新型材料和先進封裝技術不斷推動效率提升，并使更高功率密度成為可能。推動革新的關鍵因素之一，是先進封裝技術的集成，例如：英飛凌的頂部散熱（Top-Side-Cooled, TSC）Q-DPAK封裝（見圖1）。這類封裝通過將散熱路徑與電氣路徑分離，顯著提升了功率轉換器的性能。傳統上，硅基MOSFET和碳化硅MOSFET（如CoolMOS?和CoolSiC?）在功率轉換領域一直占據主導地位，而如今，頂部冷卻技術的優勢已在硅基及碳化硅功率器件中得到廣泛驗證。該技術可提升能效、實現更快開關
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在人形機器人、四足機器狗加速商業化的今天，關節電機的精準控制直接決定整機運動性能與可靠性。作為全球半導體領域的領導者，英飛凌憑借深耕多年的磁傳感技術，推出兩款明星產品——TLx5012B系列與TLI49012，前者以成熟量產驗證實力，后者以高性價比拓寬應用邊界，為機器人產業提供全方位傳感解決方案。TLx5012B系列作為英飛凌磁傳感器的標桿產品，已在國內人形機器人、機器狗的關節電機上實現大批量量產，年出貨數百萬片，成為行業公認的成熟可靠方案。基于先進的巨磁電阻（GMR）技術，該傳感器可實現360°全角度測
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英飛凌 XENSIV 磁傳感器 機器人
· 英飛凌連續六年蟬聯全球市場榜首，并進一步擴大對主要競爭對手的領先優勢· 在歐洲、中國及韓國市場穩居第一；在北美和日本市場位居第二· 微控制器領域增長顯著：市場份額躍升至 36% 【2026年4月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IF
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英飛凌 車用半導體
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