據英飛凌科技透露,其已完成位于泰國曼谷/暖武里府的后端制造工廠的出售,買方為馬來西亞太平洋工業有限公司(MPI)。此次交易于2月4日完成,MPI接管了曼谷/暖武里府的后端工廠,并與英飛凌簽署了一份長期供貨協議。根據協議,MPI將保留所有生產相關員工,確保員工隊伍的連續性以及現有項目的穩定性。英飛凌強調,此舉并非退出泰國市場,而是對其區域戰略的補充。2025年1月,英飛凌在曼谷以南的北欖府啟動了新的后端晶圓廠建設,進一步強化其在泰國半導體生態系統中的地位。英飛凌通過將現有工廠出售給值得信賴的OSAT合作伙伴
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英飛凌 泰國工廠
●? ?此次計劃的收購將擴展英飛凌的傳感器業務,并增強其適用于汽車、工業和醫療健康市場的系統級解決方案●? ?被收購業務預計將產生約2.3億歐元的營收;此次收購的交易金額為5.7億歐元;預計交易完成后將立即增厚每股收益●? ?約230名員工將加入英飛凌的傳感器單元與射頻業務英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck英飛凌科技股份公司近日宣布收購艾邁斯歐司朗集團(SIX:AMS)的非光學模擬/混合信號傳感器產品組合,進一步擴展其傳感器業務。
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英飛凌 艾邁斯歐司朗 傳感器
●? ?2026財年第一季度:營收為36.62億歐元,利潤為6.55億歐元,利潤率?17.9%。●? ?2026財年第二季度展望:假設歐元兌美元匯率為1:1.15,預計營收約為38億歐元。在此基礎上,利潤率預計在14%~19%之間。●? ?2026財年展望:假設歐元兌美元匯率為1:1.15,預計營收較上一財年將實現溫和增長。調整后的毛利率預計在40%-43%之間,利潤率為17%~19%。計劃投資約27億歐元(此前為22億歐元),以進一步
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英飛凌 2026財年第一季度
英飛凌深化了與臺達電子的現有合作,聯合研發新一代垂直供電(VPD)模塊,旨在為數據中心的 AI 芯片提供更高效的供電支持。雙方表示,此次合作融合了英飛凌高性能硅基 MOSFET、嵌入式封裝的技術優勢,以及臺達在功率模塊設計與制造領域的深厚積淀。臺達為新款模塊采用了英飛凌 90A OptiMOS 集成功率級解決方案,模塊專為垂直供電設計,替代傳統的橫向供電模式,以此減少印刷電路板上的功率損耗及相應的熱量產生。英飛凌電源與傳感器系統事業部總裁 Adam White 表示,此次合作主要面向超大規模數據中心運營商
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英飛凌 臺達 數據中心 垂直供電 橫向供電
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出新一代USB 2.0外設控制器EZ-USB? FX2G3,該產品可為USB設備帶來卓越的性能、強大的安全性與先進的能效。這款新型控制器基于備受信賴的EZ-USB? FX2LP平臺,能夠為需要無縫、安全連接的行業提供高度適配的解決方案。高效、安全的數據傳輸需求正驅動各行業創新升級,而USB技術在實現這種連接方面發揮著關鍵作用。EZ-USB? FX2G3控制器包含串行通信模塊(SCB)、可提高
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英飛凌 USB 2.0外設控制器 外設控制器
碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用,其潛力毋庸置疑。然而,從當前高功率碳化硅MOSFET來看,仍存在一個難題:即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數,但其它標準,例如可靠性,也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用,導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此,合理的器件定義應當保證設計靈活性,以滿足不同的任務需求,無需大量設計工作和設計布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性,人們往往會認為
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英飛凌 MOSFET 柵極氧化層
在碳化硅(SiC)技術的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續為您揭開這些誤區的真相(誤區一見:碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2:“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp,電阻越小,產品越好。與平面柵相比,溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大,這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
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英飛凌 碳化硅 MOSFET
IGBT的電流是器件基本參數之一,顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了,但對于一位設計工程師是遠遠不夠的,而且業內充滿著誤解和流言。流言一:450A IGBT模塊最大輸出電流能力是450A,系統設計中需要留足夠的余量450A是FS450R12KE4的標稱電流。那么什么是標稱電流?為了搞清楚這一問題最好的辦法是尋根問祖,從英飛凌芯片的數據手冊發掘線索。找到FS450R12KE4內部IGBT芯片IGC142T120T8RM的數據手冊,奇怪
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英飛凌 IGBT
英飛凌科技通過推出EZ-USB FX2G3擴展了其USB產品線,這是一款面向需要更高數據吞吐量、確定性延遲和更緊密系統集成的應用的USB 2.0外設控制器。該設備面向工業、消費及嵌入式系統設計,在USB仍廣泛應用的領域。對于在嵌入式平臺工作中的讀者來說,這一公告意義重大,因為USB 2.0仍在工業自動化、測試設備和消費外設中被廣泛使用,常常與更新的接口并行使用。該領域的設計更新有望簡化系統架構,同時延長現有基于USB平臺的可用壽命。聚焦嵌入式系統集成EZ-USB FX2G3 專為支持高帶寬 USB 2.0
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英飛凌 EZ-USB FX2G3 工業自動化 USB 嵌入式系統
英飛凌與 HL Klemove 達成協議,深化汽車技術領域的合作,聚焦于支持軟件定義汽車(SDV)的電子架構開發。雙方簽署了一份諒解備忘錄,明確將在多個汽車領域開展聯合開發工作。對于從事汽車電子、嵌入式系統開發的讀者而言,此次合作具有重要參考價值,它清晰展現了半導體供應商與系統集成商正圍繞區域架構、車載網絡及感知技術協同發力,而這些技術正深刻影響著軟件定義汽車項目推進。軟件定義汽車架構:區域控制與車載網絡根據協議,英飛凌與 HL Klemove 計劃聯合開發下一代區域控制單元,將英飛凌的微控制器、功率半導
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英飛凌 HL Klemove SDV ADAS 汽車電子
在軟件定義車輛(SDV)時代,汽車正迅速變成移動數據中心,集中式軟件取代了過于僵硬、無法無線更新的碎片化硬件。為了應對軟件復雜性,汽車制造商正在將硬件重新布線為“區域架構”。這里,曾經針對特定領域設計的控制器——例如動力系統、信息娛樂系統或安全系統——現在基于位置,減少了它們之間的布線和延遲。區域控制器控制傳感器、執行器及區域內的其他外設,作為網關,連接其他區域和中央車輛計算機。通過用更強大且可編程的CPU替換大量單功能MCU,區域控制器可以整合車輛內的許多電子控制單元(ECU),從而簡化電力和信號傳輸。
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英飛凌 Flex FlexZoneX 域架構 區域架構
簡介英飛凌推出XENSIV TLE4960x磁傳感器系列。該系列開關嚴格按照ISO 26262標準開發,集成了診斷功能,可支持最高達到ASIL B級要求的功能安全應用,是市面上唯一達到ASIL B級標準,可廣泛用于各種汽車應用的開關產品,包括車窗調節器、天窗執行器、座椅調節系統等。該系列還達到AEC-Q100標準和Grade 0認證要求,即便在惡劣環境下也能保證可靠的性能。TLE4960x專為測量與印刷電路板垂直的Z方向磁場設計,并且擁有可提供速度信息的開漏輸出。該系列還集成了過流和過溫保護功能,并采用標
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英飛凌 XENSIV TLE4960x 磁傳感器 汽車 ASIL B 功能安全
為助力家用、工業和商用市場互聯設備的持續增長,全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出全新AIROC? ACW741x產品系列,提供三頻無線技術,將Wi-Fi 7、支持信道探測的Bluetooth? LE 6.0和IEEE 802.15.4 Thread集成到一臺設備中,同時支持Matter生態系統。該產品系列是業界首款面向物聯網的20 MHz Wi-Fi 7設備,通過提供適用于物聯網的Wi-Fi 7 Multi-Link功能,提高了網絡擁堵環境中的穩定性,并具有業界最低的Wi-F
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英飛凌 Wi-Fi 7 20 MHz三頻無線設備
簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規級晶體管,并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品,包括CoolGaN高壓(HV)車規級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業不斷變化的需求而持續提供創新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車載信息娛樂系統的新型100V GaN晶體管,到面向未來車載充電器和牽引逆變器的高壓產品解決方案。 產品特色AEC-Q101 獲得資格100 V e模功率晶體管雙側冷卻封裝無反向回收裝藥超低功績 產品優點同級最佳功率密
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英飛凌 CoolGaN 100V G1系列 晶體管 汽車 氮化鎵 綠色
【2026年1月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列,旨在為汽車和工業電源應用提供超高系統效率和功率密度。該系列現提供 Q-DPAK、D2PAK 等多種封裝,產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RDS(on))值60 mΩ。CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創新的頂部散熱 Q-DPAK 封裝,該封裝可
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英飛凌 CoolSiC
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