英飛凌科技股份公司與?Flex?進一步深化合作，共同加速軟件定義汽車（SDV）的開發進程。在2026年國際消費電子展（CES 2026）上，雙方將聯合推出一款區域控制器開發套件——這是一種為區域控制單元（ZCU）設計的模塊化方案，旨在加速面向軟件定義汽車（SDV-Ready）的電子/電氣架構的開發。這款新套件采用可擴展式設計，并基于可復用的技術資產進行構建，集成了約30個功能獨立的構建模塊。這種設計使開發人員能夠在非常短的開發周期內靈活配置各種?ZCU?方案，同時提
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英飛凌 Flex CES 2026 軟件定義汽車 區域控制器 ZCU
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）憑借其硅基功率?MOSFET?技術?CoolMOS?，正在推動服務器電源管理領域的創新，助力打造能夠滿足數據中心嚴苛要求的高性能電源解決方案。英飛凌的600V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET?產品系列，助力長城電源技術有限公司在更高功率等級的電源中實現更高的功率密度與更卓越的性價比。英飛凌的?MOSFET?產品聚焦高性能
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英飛凌 CoolMOS 長城電源 電源技術
英飛凌科技股份公司與HL Klemove簽署了諒解備忘錄（MOU），合作開發軟件定義車輛（SDV）汽車平臺。根據該諒解備忘錄，公司將聚焦三個關鍵領域：下一代分區控制單元基于以太網的車輛ADAS和攝像頭下一代雷達技術分區控制單元根據該諒解備忘錄，HL Klemove將主導SDV區域控制單元的應用開發，英飛凌則提供微控制器和功率半導體。其目標是通過原型開發增強SDV電子架構的競爭力。ADAS與攝像機兩家公司將開發采用英飛凌以太網技術的前置攝像頭模塊和高性能計算模塊。HL Klemove將負責系統開發和產品開發
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CES 2026 英飛凌 HL Klemove SDV合作
英飛凌和Flex將在CES上發布一款適用于軟件定義車輛的區域控制器開發套件。“開發套件采用可擴展的方法，基于可重復使用的資產，結合了大約30個構建模塊。英飛凌表示，這使得開發者能夠靈活配置不同的區域控制單元實現，并為串聯實現提供了一條路徑。 它配備雙微控制器實現故障安全作，最高支持 2 個 6,810Dmips 的實時性能，配備最多 2 個 10Mbyte 內存和 2 個 21Mbyte 非易失性內存。這些模塊可插拔，可以用單個MCU替換。內部硬件加速器可用于網絡安全，包括空中軟件更新。以太網接
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CES 2026 軟件定義車輛 分區控制器 開發套件 英飛凌 Flex
最新研究顯示，金融科技與支付領域的頂尖專家預測，2030年針對金融機構的數字欺詐將從2025年的230億美元攀升至583億美元，激增153% 1。為應對電商和網銀領域日益增長的欺詐風險，提高交易的安全性，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其 SECORA? Pay 產品系列。新推出的 SECORA? Pay M 平臺進一步拓展了即插即用的 SECORA? Pay 解決方案的諸多創新功能，可支持更多應用場景以及 FIDO（線上快速身份驗證）認證。英飛凌開創性的 SECORA?
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英飛凌 SECORA 支付 FIDO
簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質量標準： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。與 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在許多應用中提供額外的性能，其中包括光伏逆變器、熱量存儲系統、電動汽車充電、電源、電機驅動、牽引逆變器、板載充電器、DC 對 DC 轉換器等。碳化硅器件必備要素 —— 立足當下布局，引領未來市場豐富的 CoolSi
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英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 功率轉換
基于英飛凌2EP130R系列頻率和占空比可調的驅動電源IC，晶川電子推出兩款評估板，EVAL-2EP130R-J和EVAL-1ED3142MC12H -2EP130R-J。評估板可以免費申領！無論您是從事太陽能、電動汽車充電、儲能系統（ESS）、逆變焊機、UPS還是電機驅動應用，你都可以選擇這兩款評估板，作為新穎驅動電源設計的入門，升級你的驅動設計，減小PCB面積，降低成本。評估板亮點搶先看EVAL-2EP130R-J功率半導體驅動用電源板：主要用于評估和測量驅動器IC-2EP130R，該評估板為全橋變壓
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英飛凌 全橋變壓器 驅動器 評估板
歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創新產品與前沿技術，為行業發展注入強勁動力，成為行業矚目的焦點。小編貼心地按照產品發布和技術發布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產品發布：多元布局，精準覆蓋多領域需求1CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級，滿足多樣化應用場景11.8CoolSiC? MOSFET G2 1200V單管CoolSiC? MOSFET G2 1400V
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英飛凌 碳化硅
由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產品的表貼頂部散熱產品，其安裝方式有所不同，所以針對其安裝方式做一些詳細的介紹。如下圖，英飛凌針對600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK, TOLT, 及QDPAK) 。如下圖列出了該系列已發布的封裝型號及其關鍵參數信息。所有封裝均具有統一的2.3mm標準本體厚度，這一特性使得不同分立器件（如650V碳化硅二極管、高壓/低壓MOSFET等）可以混合安裝在同一散熱板上。該設計優化了組裝流程：所有功率器件在PCB上的安裝位置到散熱板頂面的距離保持一致，
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英飛凌 頂部散熱封裝 QDPAK
QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產品。相對于傳統表貼產品只能從底部進行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應用，如AI服務器電源和車載充電器等應用。而英飛凌不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產的封裝中最大尺寸的頂部散熱產品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiC MOSFET產品和部分電壓的IGBT產品。如下表為QDPAK 1200V SiC MOSFET單管產品列表：QDPAK目前已成功注冊為JEDEC標準，封裝尺寸
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英飛凌 QDPAK 散熱封裝
簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術，通過廣泛的產品組合設定了新的行業基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務器和太陽能等高頻開關應用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進也體現了其在電池管理系統 (BMS) 中的優勢。關鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
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英飛凌 OptiMOS 6 MOSFET 電信 電池管理系統
隨著針對安全漏洞的網絡攻擊在各行業日益頻發，安全認證已成為保護數字身份安全的關鍵環節。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司憑借在?SECORA? ID V2平臺上推出的全球首個?FIDO CTAP2.1身份驗證器3+級認證，進一步鞏固了其在先進安全解決方案領域的領導地位。英飛凌?FIDO applet?是英飛凌應用庫中的可選應用，運行于?SECORA? ID V2平臺，Eviden?公司近期獲得的?Level 3+認
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英飛凌 FIDO 3+ 身份驗證
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布，AMD?已測試英飛凌?64MB HYPERRAM??存儲芯片和?HYPERRAM??控制器?IP?在?AMD Spartan? UltraScale+??FPGA SCU35?評估套件上的使用情況，結果證明其可作為?AMD MicroBlaze? V?軟核?RISC-V?處理器經濟高效的高帶寬存儲解決方
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英飛凌 HYPERRM 存儲芯片 AMD FPGA
英飛凌科技股份公司近日推出了一款面向電動汽車（xEV）高壓鋰離子電池管理系統的先進微控制器 PSOC? 4 HVPA-SPM 1.0。這款微控制器具備高精度、安全性與靈活編程的能力，可支持區域架構及其向軟件定義汽車（SDV）的轉型。為充分發揮其影響力，英飛凌與創新電池管理軟件解決方案領導者 Munich Electrification 共同合作推出先進且高性價比的電池管理系統（BMS）解決方案，加速開發并降低成本。PSOC? HVPA-SPM 1.0采用高度集成設計，具備智能化、安全性和高效性，為電池管理
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英飛凌 PSOC 汽車電池管理系統 BMS
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