摘要/反激拓撲廣泛應用于中小功率開關電源中，為了提高反激拓撲的轉換效率，本文提出了一種全輸入電壓及負載范圍內可以實現原邊MOSFET零電壓開通（ZVS）的控制策略，從而提高了轉換效率。本文通過理論分析給出其中所涉及的參數的計算方法，并通過仿真與實際電源的測試驗證了該策略的有效性。01 背景 反激（Flyback）拓撲因其結構簡潔，控制策略簡單，適合多路輸出，可靠性高，成本低等特點廣泛應用于家電，充電器，輔助電源等領域。對于輸出電流較大的應用（例如快速充電器），輸出側往往采用
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英飛凌 電源控制策略
摘要功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC高功率密度設計的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識和測試的基本技能，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章已經比較系統地講解熱設計基礎知識、相關標準和工程測量方法，本篇的話題是《使用熱成像儀測溫度的注意事項》。用熱成像儀測溫度，在電力電子系統設計和驗證中，是一個簡單有效的非接觸式測溫度的方法，非常受工程師的歡迎，但工程應用中的一些疑問和誤區需要梳理一下。你有沒有想過，熱成像儀為何能“看見”溫度？
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英飛凌 功率器件熱設計 熱成像儀
作者簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自朱子鈺的投稿。1前言想象一下，你是一個偵探，正在追蹤一個神秘的竊賊。這個竊賊不是偷走你的財物，而是偷走你的電力。但別擔心，我們有非侵入式負荷監測（NILM）技術，它就像一個智能偵探，能夠追蹤每一個電器的電力消耗，讓你的電力使用變得透明和可控。1家庭用戶：智能家庭的“管家”在家庭環境中，電力消耗就像是一個復雜的謎團。你可能會好奇，為什么電費賬單總是那么高？是不是有電器在你不知情的情況下偷偷耗電？非侵入式負荷監測技術可以幫助你解開這個謎團。2.1家庭節能
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內容摘要400V SiC MOSFET技術可以實現更低的開關損耗和導通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務器應用的電源(PSU)中對其優勢進行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3.3kW的功率。該設備采用三電平飛跨電容圖騰柱PFC。文中討論了啟動期間對飛跨電容充電的注意事項。PSU的尺寸為72mmx40mmx192mm，在230VAC輸入電壓下，PSU總峰值效率超過97.6%，功率密度大于100W/in3。簡介服務器和電信應用的發展趨勢是功率密度不斷提高。例如，開
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作者簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自清華大學的梁露露投稿。綠皮火車轟隆隆一路向西駛去，窗外的景色由綠色逐漸變得荒涼，鱗次櫛比的太陽能光伏板形成一片“藍色的海洋”，在陽光的照耀下熠熠生輝。這是今日中國西部廣袤荒野中的一道獨特風景，也是中國光伏產業蓬勃發展的生動寫照。當今，能源問題如同高懸于人類頭頂的達摩克利斯之劍，光伏發電正以其清潔、可再生的獨特優勢，成為了最具潛力的能源解決方案之一。在此過程中，電力電子技術恰似一位神奇的魔法師，為光伏產業的推進注入了強大的動力。現在，讓我們一同踏上這場
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在散熱器上安裝的IGBT 模塊并非密封設計，盡管芯片上方有一層硅膠，但是水汽仍然可以通過外殼間隙以及硅膠進入器件芯片內部。因此，器件在使用和存儲過程中，必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數IGBT 模塊允許工作的溫濕度以及氣候條件遵循IEC60721-3-3規定,為使客戶更加了解IGBT 的使用環境條件，本文主要介紹溫度以及濕度運行條件。IEC 60721-3-3標準把氣候條件分成5類:3K20:溫度濕度連續可控，而且經常有人維護，比如用于室內產品。3K21:溫度可控，濕度不連續可控。 比如機房，數據中
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英飛凌 IGBT
ANPC（Active Neutral Point Clamped）拓撲即有源中點鉗位技術，是基于NPC型三電平拓撲改進而來，最早提出是用來克服NPC三電平拓撲損耗分布不均勻和中點電位問題。從結構上看，ANPC是將NPC1的鉗位二極管替換為IGBT與二極管反并聯鉗位的結構，與NPC1一樣可以實現三電平輸出以降低諧波，且器件耐壓和NPC1相同。通過增加兩個IGBT，新增兩條零電平換流路徑，有益于改善損耗分布，具有更多的控制策略。ANPC拓撲目前廣泛應用在風電變流器，光伏發電，電池儲能等領域。 ?三
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英飛凌 ANPC拓撲 ANPC 拓撲調制策略
上篇（ANPC拓撲調制策略特點及損耗分析 (上)）我們討論了ANPC的基本原理，換流路徑及調制策略，本文通過PLECS仿真工具來分析在不同的調制方式和工況下ANPC各位置芯片的開關狀態和損耗分布情況。ANPC-PWM1設計實例由于不同特性和規格的芯片各自靜態和動態參數不同，使用相規格的芯片便于分析損耗分布，在這里選用Econodual3半橋模塊FF900R12ME7構建ANPC拓撲，先使用ANPC-PWM1算法進行調制，如下圖以典型2.5MW PCS工況為例得到相應的損耗數據。表1 2.5MW儲能變流器仿
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英飛凌 ANPC拓撲
●? ?2025財年第四季度：營收為39.43億歐元，利潤為7.17億歐元，利潤率 18.2%。●? ?2025財年：營收為146.62億歐元，同比下降2%；利潤為25.6億歐元；利潤率為17.5%；調整后每股收益為1.39歐元；由于收購Marvell公司汽車以太網業務，自由現金流為負10.51億歐元；調整后的自由現金流為正18.03億歐元。●? ?2026財年第一季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.15，預計營收約為36億歐元。在此基礎上，利
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英飛凌 2025財年第四季度
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出全新集成開發環境（IDE）——AURIX??Configuration Studio（ACS），旨在簡化采用AURIX? TC3x系列器件的應用開發流程，加快產品上市并降低開發成本。ACS基于成熟的DAVE?（數字應用虛擬工程師）技術構建，整合了基于Eclipse的編輯器、GNU C編譯器和開源調試器。它具備多項先進功能，例如直觀的圖形用戶界面（GUI）、自動化資源管理與代碼生成。英飛凌科技汽車微控制器技術營銷副總裁Christia
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英飛凌 軟件開發集成工具 AURIX
●? ?英飛凌攜手SolarEdge，推動面向人工智能（AI）及超大規模數據中心的新一代高效固態變壓器（SST）技術發展。●? ?全新的固態變壓器（SST）專為實現在中壓至800–1500伏直流電（DC）轉換而設計，其轉換效率超過99%，同時減小設備體積、降低重量，并有效減少了碳排放足跡。●? ?此次合作將SolarEdge在直流電（DC）領域的專業技術與英飛凌的半導體創新相結合，不僅助力構建可持續、可擴展的電力基礎設施，還進一步推動AI數據中心
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英飛凌 SolarEdge AI數據中心 電力基礎設施
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代高度集成化60 GHz CMOS雷達傳感器——XENSIV? BGT60CUTR13AIP。該傳感器專為超低功耗物聯網（IoT）解決方案設計，將成為提升智能家居與物聯網設備智能化水平的重要物理AI傳感器。這款全新雷達傳感器配合英飛凌軟硬件、第三方模塊及可轉移FCC認證的全面支持，有助于產品快速上市。全新XENSIV? 60 GHz CMOS雷達系列搭載硬件加速器實現片上處理，使客戶能
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英飛凌 低功耗物聯網 CMOS雷達 雷達
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出48V智能eFuse系列產品，以及適用于人工智能（AI）數據中心400V與800V電源架構的熱插拔控制器參考板，使開發者能夠設計出可靠、穩健且可擴展的電力監測和保護解決方案。英飛凌通過擴展其電源保護產品組合，滿足了當前及未來高功率AI服務器生態系統對電源路徑保護解決方案日益增長的需求，其電壓范圍覆蓋從48V至±400V及800V。英飛凌智能eFuse及熱插拔控制器技術是在高性能計算環境中實
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英飛凌 電源路徑保護 AI數據中心架構
工業領域中的快速直流電動汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統，以及不間斷電源設備，往往需要在嚴苛環境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩定的功率循環能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了EasyPACK? C?系列產品?——EasyPACK??封裝家族的新一代產品。該全新封裝系列的首款產品為碳化硅（SiC）功率模塊，集成了英飛凌
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英飛凌 碳化硅功率模塊
隨著云服務，尤其是人工智能（AI）相關服務的快速增長，數據中心的能耗目前已占到全球總能耗的2%以上。該數字預計將進一步攀升，在2023至2030年間將實現165%的指數級增長。因此，持續提升從電網到核心的功率轉換過程中的效率、功率密度及信號完整性對于在提升計算性能的同時降低總體擁有成本（TCO）至關重要。為滿足這一需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了TDM22545T雙相功率模塊。這是業界首款針對高性能AI數據中心設計的
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