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英飛凌 xmc7000 文章 最新資訊

第三代半導體與硅器件未來將長期共存

  • 目前全球能源需求的三分之一左右是用電需求,能源需求的日益增長,化石燃料資源的日漸耗竭,以及氣候變化等問題,要求我們去尋找更智慧、更高效的能源生產、傳輸、配送、儲存和使用方式。在整個能源轉換鏈中,第三代半導體技術的節能潛力可為實現長期的全球節能目標做出很大貢獻。除此之外,寬禁帶產品和解決方案有利于提高效率、提高功率密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在交通、新能源發電、儲能、數據中心、智能樓宇、家電、個人電子設備等極為廣泛的應用場景中為能效提升做出貢獻。除高速之外,碳化硅還具有高熱導率、高擊穿場強、
  • 關鍵字: 202207  第三代半導體  英飛凌  

英飛凌針對NFC無源鎖等應用推出集成了半橋驅動IC的單芯片解決方案NAC1080

  • 2020年,全球智能鎖市場規模為13.8億美元 ,市場需求量達到了890萬套。預計從2021至2028年,智能鎖的市場需求量將以21.4%的復合年均增長率(CAGR)快速增長1。通過集成半橋驅動IC和能量采集模塊,即可利用單芯片解決方案打造智能執行終端,且所需的組件數量很少。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)已經開發出了基于ARM? Cortex?-M0內核的32位可編程微控制器(MCU),其內置NFC無線通訊模塊,可助力客戶經濟高效地開發智能執行終端,如無源鎖
  • 關鍵字: 英飛凌  NFC無源鎖  半橋驅動IC  

英飛凌將推出利用手機進行無線充電的智能鎖解決方案

  • 未來,鑰匙在人們日常生活中的許多領域都將成為歷史。英飛凌科技股份公司將面向市場推出一款可以通過手機開啟和關閉的智能鎖解決方案。該智能鎖無需電池,能夠利用手機進行無線充電,這就是所謂的“能量采集”技術。?英飛凌——免電池智能鎖解決方案?英飛凌科技電源與傳感系統事業部總裁Adam White表示:“英飛凌憑借全新的解決方案,為智能鎖取代鑰匙、走進千家萬戶鋪平了道路。我們的智能鎖解決方案無需更換電池,率先提供了一種可靠、免維護和安全的方式來開啟和關閉智能鎖?!?英飛凌指出,該公司還
  • 關鍵字: 英飛凌  無線充電  智能鎖  

汽車感性負載安全退磁能量計算和分析

  • 隨著汽車電子技術的發展,輕量化與智能化的需求也帶動了英飛凌智能功率器件 (IPD)在車身負載驅動的大規模應用。對于感量較大的負載,如雨刮、鼓風機、風扇、繼電器等,需要考慮負載關斷時產生的能量對系統的沖擊,同時驅動器件不能被該能量擊穿。本文提供了評估測量感性能量的方法和工具,在一個明確定義的應用場景中,瞬間關斷時的產生的箝位能量(ECL),與高壓側器件本身的能量能力進行對比,保證IPD器件長期可靠工作。1 簡介退磁過程介紹汽車應用越來越需要具備驅動大電流、大感量執行器的能力,在變速箱控制模塊(TCU)應用中
  • 關鍵字: 英飛凌  

IGBT安全工作區(SOA)知多少

  • 失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深層原因與整機的應用環境和系統設計是密切相關的。作為電力電子研發工程師,最不想見到的畫面之一一定有下面這樣的圖片,完了,BBQ了……圖1.IGBT單管和模塊的典型失效圖片失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深層原因與整機的應用環境和系統設計是密切
  • 關鍵字: 英飛凌  

英飛凌推出新款高能效IPOL DC-DC降壓穩壓電源模塊

  • 當前,服務器、通信和網絡存儲應用都在盡最大努力降低功耗和縮減解決方案的尺寸。與此同時,瞬息萬變的市場也要求系統解決方案提供商比以往更快地滿足市場需求。有鑒于此,英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出了高效、可靠的DC-DC降壓轉換器模塊,進一步壯大其POL(負載電源)模塊的產品陣容。這些模塊對于希望借助緊湊、完全集成和易于設計的POL產品來幫助他們加快新產品上市的系統設計師而言,是理想的選擇。它們主要面向空間和散熱條件受限的應用,例如電信和數據通信應用、服務器以及
  • 關鍵字: 英飛凌  DC-DC  降壓  電源模塊  

第三代半導體與硅器件將長期共存

  • 受訪人:英飛凌科技1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據其不同的特性,分別適用在哪些應用領域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品?  相似之處:相較于傳統的硅材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料,具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐高壓、低導通電阻、寄生參數小等優異特性。  不同之處及分別適用于哪些應用:碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導體材料之間也存在著諸多差異?!?/li>
  • 關鍵字: 英飛凌  第三代半導體    

英飛凌與Oxford Ionics攜手開發先進的離子阱量子處理器

  • 英飛凌科技股份公司和Oxford Ionics宣布雙方將攜手打造完全集成的高性能量子處理器(QPU)。Oxford Ionics獨特的電子量子比特控制(EQC)技術與英飛凌全球領先的工程、制造能力以及在量子科技方面的技術專長相結合,將為在未來五年內實現數百量子比特的量子處理器的工業化生產奠定基礎。雙方的合作旨在讓量子計算技術從實驗室走向應用場,轉化為真正的工業級解決方案。 Infineon ion trap許多行業正在尋求從根本上改進其流程和能力,量子計算將為它們開啟算力新時代。而實現這一目標,
  • 關鍵字: 英飛凌  離子阱量子處理器  

哪吒汽車與英飛凌宣布就電動汽車電池管理整體解決方案進行技術合作

  • 7月8日,全球首屈一指的汽車半導體供應商英飛凌科技與合眾新能源旗下的哪吒汽車在中國桐鄉,共同舉辦哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術合作發布儀式。來自哪吒汽車和英飛凌科技(中國)有限公司的嘉賓共同參與了該發布儀式。?哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術合作發布儀式BMS電池管理系統是電池的“大腦”,也是新能源汽車產業的核心技術之一。雙方合作開發的BMS系統級解決方案,包括了哪吒汽車自研的天工電池,及英飛凌 AURIX?微控制器、12通道AFE、電源管理芯片等產品,滿足ASIL D的系
  • 關鍵字: 英飛凌  電動汽車  電池管理  

英飛凌與臺達雙強連手:以寬帶隙技術搶攻高端服務器及電競電源市場

  • 數字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術特性,能夠助力電源產品優化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠,長期致力于創新的半導體和電力電子領域,今日宣布深化其合作,強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產品上的應用,為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
  • 關鍵字: 英飛凌  寬帶隙  電源  

英飛凌推出高度集成的MOTIX?電機控制器和三相柵極驅動器

  • 憑借其眾多優點,三相無刷直流(BLDC)電機正在成為設計現代化電池供電型電機產品的首要選擇。然而,為了讓產品符合人體工學設計并延長電池的使用壽命,需要縮小產品的尺寸并減輕重量,這給產品設計帶來了巨大挑戰。為了幫助設計師滿足終端市場的需求,英飛凌科技股份公司推出了完全可編程的電機控制器MOTIX? IMD700A和IMD701A。它們采用9 x 9 mm2 64引腳VQFN封裝,能夠讓無線電動工具、園藝用品、無人機、電動自行車以及自動導引車擁有更高的集成度以及功率密度,從而滿足用戶需求。?MOTI
  • 關鍵字: 英飛凌  電機控制器  柵極驅動器  

英飛凌與Aqara綠米攜手推出搭載毫米波雷達的智能家居解決方案

  • 人體存在感知是智能家居中極其重要的一項應用技術,智能家居設備通過精準地感知人體存在和狀態,做出相應的響應或互動。但長期以來,人體傳感器卻普遍存在不夠精準、無法對靜態人體進行監測等問題。 針對這一問題,全球半導體解決方案領導者英飛凌科技(簡稱英飛凌)與全屋智能領域的領軍企業Aqara綠米合作,推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人體存在解決方案,即Aqara人體存在傳感器FP1。該產品已在Aqara電商及線下Aqara Home智能家居體驗館正式上市。它搭載了英飛凌高度精準的XENSIV?毫
  • 關鍵字: 英飛凌  毫米波雷達  智能家居  

仿真看世界之SiC單管并聯中的寄生導通問題

  • 這篇微信文章,其實構思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發布了兩篇基礎篇。2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯中的寄生導通問題。這篇微信文章,其實構思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發布了兩篇基礎篇:●    2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導通現象》●    2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯均流特性》2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯中的寄生導通問題。特別提醒:仿真只是工具,仿真無法替代實驗,仿真只供參考。在展開
  • 關鍵字: 英飛凌  SiC  

采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例

  • 變頻器在設計上不斷的推陳出新,為了提高功率密度并降低成本,工程師更是絞盡腦汁。IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)在變頻器里屬于關鍵器件,其選型和損耗直接關系散熱器的大小,也直接影響著系統的性能、成本和尺寸。本文從變頻器的應用特點出發,結合第七代IGBT的低飽和壓降和最大運行結溫等特點,介紹了第七代IGBT如何助力變頻器應用。本文通過分析變頻器的損耗組成,并通過熱仿真對比第四代IGBT和第七代IGBT的性能,最后通過實驗來驗證結論。相同工況下IGBT7損耗和結溫明顯低于IGBT4,這樣可以減小變頻器的體積或是
  • 關鍵字: 英飛凌  

分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究

  • 米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應,硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是,這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎?引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動電路的關鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術,設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓,從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面,柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET,從而簡化柵極驅動電路。為此,本文介紹了
  • 關鍵字: 英飛凌   MOSFET  
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英飛凌 xmc7000介紹

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