靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）文章最新資訊

利用永久性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)智能汽車功能的全面調(diào)用

　　假設(shè)8個(gè)月前你駕車駛上了一個(gè)帶急轉(zhuǎn)彎的高速公路坡道。由于轉(zhuǎn)彎時(shí)速度太快，汽車自動(dòng)采取了主動(dòng)安全和懸掛措施來避免駛離道路。　　主動(dòng)安全措施包括汽車制動(dòng)、電子穩(wěn)定控制和安全帶的預(yù)拉。智能汽車可以記憶曾采取的主動(dòng)安全措施以及當(dāng)時(shí)的速度、GPS位置和軸承的情況。　　現(xiàn)在假設(shè)你的配偶正在前述坡道上駕車行駛，但這次是在下雨天。通過調(diào)用8個(gè)月前記憶的坡道位置和車輛軸承情況，以及了解當(dāng)前路況的濕滑程度，智能汽車能提前采取正確措施來防止汽車滑出坡道并撞上迎面而來的卡車。　　上述事例展示了全面調(diào)用(total
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器智能汽車 SRAM 導(dǎo)航電子穩(wěn)定控制

飛思卡爾與意法聯(lián)合開發(fā)車載微控制器

　　美國(guó)飛思卡爾半導(dǎo)體（FreescaleSemiconductor）上市了配備Power架構(gòu)CPU內(nèi)核“e200z0”的車用32bit微控制器的三個(gè)系列“MPC560xP”、“MPC560xS”及“MPC560xB”（英文發(fā)布資料）。這些產(chǎn)品均為與意法合資的意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）聯(lián)合開發(fā)。采用了90nm工藝技術(shù)制造。　　MPC560xP系列適用于汽車的底盤及安全控制。主要用
關(guān)鍵字：飛思卡爾意法半導(dǎo)體 MPC560xS SRAM CPU

高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲(chǔ)與傳輸控制邏輯設(shè)計(jì)

　　隨著信息科學(xué)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)采集和存儲(chǔ)技術(shù)廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信、遙測(cè)遙感等領(lǐng)域。在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，由ADC轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，再進(jìn)行相應(yīng)的處理，保證快速準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)傳輸處理是實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集的一個(gè)關(guān)鍵。由于高速ADC的轉(zhuǎn)換率很高，而大容量RAM相對(duì)ADC輸出速度較慢，保持高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過程的可靠性、實(shí)時(shí)性是一個(gè)比較棘手的問題。對(duì)于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的大容量高速度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、傳輸，本文提出一種基于FPGA的多片RAM實(shí) 現(xiàn)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和傳輸?shù)姆桨福?yīng)用于1GS/s數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)了以低
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ) 傳輸 ADC SRAM RAM FIFO

瑞薩科技發(fā)布采用1MB片上SRAM的微控制器

　　近日，瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產(chǎn)品型號(hào)，這些集成了1M字節(jié)片上SRAM的器件適用于數(shù)字音頻和圖形儀表盤應(yīng)用。樣品將從2008年8月開始在日本交付。　　作為SuperH*1 系列32位RISC微控制器/微處理器的組成部分，SH7262和SH7264屬于針對(duì)數(shù)字音頻應(yīng)用的SH7260系列微控制器。芯片上集成的1M字節(jié)SRAM，可以用來取代外部SDRAM。這將有助于實(shí)現(xiàn)主要采用單芯片的圖形儀表盤系統(tǒng)強(qiáng)大的
關(guān)鍵字：瑞薩科技 SRAM 微控制器數(shù)字音頻圖形儀表盤芯片

基于SRAM的可重配置電路

基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者動(dòng)態(tài)改變運(yùn)行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能，改變這些數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。
關(guān)鍵字： SRAM 可重配置電路

基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)

分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結(jié)構(gòu)，通過CPLD來設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)大容量FIFO的方法。
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ATmegal28擴(kuò)展512KB掉電保護(hù)SRAM方案

　　如今，電子技術(shù)發(fā)展迅猛，尤其是單片機(jī)已廣泛地應(yīng)用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機(jī)器人制作等領(lǐng)域，產(chǎn)品功能、精度和質(zhì)量均有大幅度提高，且電路簡(jiǎn)單，故障率低，可靠性高，價(jià)格低廉。在單片機(jī)的某些應(yīng)用中，如果不對(duì)系統(tǒng)的外部SRAM進(jìn)行擴(kuò)展，就不能滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。因此如何擴(kuò)展、擴(kuò)展什么類型的芯片、擴(kuò)展的容量多大就成為值得考慮的問題。這個(gè)問題解決的好與壞直接關(guān)系到項(xiàng)目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展掉電數(shù)據(jù)不丟失的512 KB SRAM的方案。　　1 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu) 　
關(guān)鍵字： ATmegal28 SRAM

TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設(shè)計(jì)

　　基于SRAM結(jié)構(gòu)的FPGA容量大，可重復(fù)操作，應(yīng)用相當(dāng)廣泛;但其結(jié)構(gòu)類似于SRAM，掉電后數(shù)據(jù)丟失，因此每次上電時(shí)都需重新加載。　　目前實(shí)現(xiàn)加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進(jìn)行數(shù)據(jù)加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機(jī)上運(yùn)行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內(nèi)，所以掉電數(shù)據(jù)仍然會(huì)丟失，只適用于FPGA調(diào)試階段而不能應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的數(shù)據(jù)加載。　　后者雖然可以解決數(shù)據(jù)丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(zhǎng)(一般大于2個(gè)月)，使F
關(guān)鍵字： SRAM TMS320C61416 FPGA

鐵電存儲(chǔ)器1T單元C-V特性的計(jì)算機(jī)模擬

　　鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)具備可存儲(chǔ)大量資料的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)與高速運(yùn)作的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會(huì)消失，亦具備快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲(chǔ)器(NVM)中，鐵電存儲(chǔ)器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲(chǔ)器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現(xiàn)多值存儲(chǔ)，在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲(chǔ)容量，因而在提高性價(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢(shì)。　　為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲(chǔ)器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)、依據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 SRAM NVM 存儲(chǔ)器

基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計(jì)

針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計(jì)。與一般布局的存儲(chǔ)器相比，采用這兩種技術(shù)使存儲(chǔ)器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。
關(guān)鍵字： DBL 嵌入式系統(tǒng) SRAM 低功耗嵌入式

從過去到未來

如果你認(rèn)為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯(cuò)了，因?yàn)闆]有過去就不會(huì)有現(xiàn)在，沒有現(xiàn)在當(dāng)然就不會(huì)有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡(jiǎn)單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現(xiàn)在卻可以一步步去計(jì)劃、設(shè)想與實(shí)踐
關(guān)鍵字： NVM SRAM DRAM

基于SRAM編程技術(shù)的PLD核心可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

本文針對(duì) CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu)：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設(shè)計(jì)了功能相近的基于SRAM編程技術(shù)的可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)。
關(guān)鍵字： SRAM PLD 編程技術(shù) 核心

用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

　　摘要：首先對(duì)采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析，然后提出一種實(shí)用的采用單片機(jī)產(chǎn)生長(zhǎng)偽隨機(jī)碼實(shí)現(xiàn)加密的方法，并詳細(xì)介紹具體的電路和程序。關(guān)鍵詞：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）加密　　在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆
關(guān)鍵字：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）加密 MCU和嵌入式微處理器

單片機(jī)SRAM工藝的FPGA加密應(yīng)用

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題通常，采用SRAM工藝的
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) SRAM FPGA 加密嵌入式

2007年6月12日，瑞薩開發(fā)出32納米及以上工藝片上SOI SRAM前瞻技術(shù)

　　2007年6月12日，瑞薩開發(fā)出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實(shí)現(xiàn)SRAM的技術(shù)，以用于集成在微處理器或SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)中的片上SRAM。
關(guān)鍵字：瑞薩 SRAM Renesas

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靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）介紹

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