高性能 文章 最新資訊
一種高性能CMOS電荷泵的設(shè)計(jì)
- 摘要: 設(shè)計(jì)了一種用于電荷泵鎖相環(huán)的CMOS電荷泵電路。電路中采用3對自偏置高擺幅共源共柵電流鏡進(jìn)行泵電流鏡像,增大了低電壓下電荷泵的輸出電阻,實(shí)現(xiàn)了上下兩個電荷泵的匹配。為消除單端電荷泵存在的電荷共享問題
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多內(nèi)核處理器開發(fā)趨勢下的高性能視頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 多內(nèi)核處理器開發(fā)趨勢下的高性能視頻系統(tǒng)設(shè)計(jì),時(shí)鐘頻率的提高帶來的高功耗、深亞微米半導(dǎo)體制造工藝漏電流產(chǎn)生的高功耗以及更多的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)促使處理器設(shè)計(jì)制造商開始將思路轉(zhuǎn)向到多內(nèi)核集成的解決方案上來。多核處理器技術(shù)是提高處理器性能的有效方法,因?yàn)樘幚砥?/li>
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一種嵌入式高性能比較器
- 一種嵌入式高性能比較器,針對一款嵌入式10位逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器,我們設(shè)計(jì)出一種低功耗高精度的比較器。該比較器采用多級結(jié)構(gòu),其中前三級是帶有正反饋的差分放大器,而后三級則是簡單的反相器。此外,我們在電路中引入輸入失調(diào)校準(zhǔn)和輸出失調(diào)校準(zhǔn)的混合技術(shù),以及實(shí)現(xiàn)自清零的電路技術(shù)。該比較器還采用SMIC0.25μmCMOS工藝模型,在2.5V電源電壓下,我們使用HSPICE仿真的結(jié)果表明:其比較精度可達(dá)到0.2mV、速度為20MHz,而功耗僅為8μW。
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如何實(shí)現(xiàn)高性能的DSP處理
- 如何實(shí)現(xiàn)高性能的DSP處理, 應(yīng)用開發(fā)通常開始于在個人電腦或工作站編寫的C原型代碼,然后將代碼移植到嵌入式處理器中,并加以優(yōu)化。本系列文章則將這種層面的優(yōu)化在系統(tǒng)級擴(kuò)展到包括以下三方面的技術(shù):內(nèi)存管理,DMA管理,系統(tǒng)中斷管理。這些
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高性能電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流技術(shù)
- 為滿足這些需求,在上世紀(jì)90年代晚期開關(guān)電源設(shè)計(jì)師開始采用同步整流(SR)技術(shù)――使用MOSFET來替代常用二極管實(shí)現(xiàn)的整流功能。SR提高了效率、熱性能、功率密度、可制造性和可靠性,并可降低整個系統(tǒng)的電源系統(tǒng)成本。本文將介紹SR的優(yōu)點(diǎn),并討論在其實(shí)現(xiàn)中遇到的挑戰(zhàn)。
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高性能V/f控制在中壓變頻器中的實(shí)現(xiàn)
- 引言
控制調(diào)速系統(tǒng)是中壓變頻器裝置的核心。轉(zhuǎn)速開環(huán)的恒壓頻比(V/f控制是最簡單的控制方式,適用于無高動態(tài)性能要求的一般交流調(diào)速場合,例如風(fēng)機(jī)、水泵等。
目前已成熟應(yīng)用的通用變頻器有矢量控制和直接 - 關(guān)鍵字: 實(shí)現(xiàn) 變頻器 控制 高性能
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