3d 閃存 文章 最新資訊
走近英特爾Lakefield——采用備受贊譽的Foveros 3D封裝技術(shù)
- 這款指甲大小的英特爾芯片是首款采用了Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。英特爾院士、芯片工程事業(yè)部成員?Wilfred Gomes，手執(zhí)一枚采用Foveros先進封裝技術(shù)打造而成的處理器。該處理器將獨特的3D堆疊與一種混合計算架構(gòu)結(jié)合在一起，這種架構(gòu)混搭了多種類型、功能各異的內(nèi)核。（圖片來源：Walden Kirsch/英特爾公司）Foveros封裝技術(shù)改變了以往將不同IP模塊放置在同一2D平面上的做法，改為3D立體式堆疊，讓處理器有了全新的構(gòu)建模式。試想一下，全新設(shè)計的芯片就像一個設(shè)計成1毫米厚的夾心蛋
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手機廠商大行3D 視覺技術(shù)，屏下指紋識別解鎖或成“覆面系”福音？
- 自iPhoneX在智能手機中首次搭載3DSensing以來,其2018年發(fā)布的iPhoneXR、iPhoneXS、iPhoneXSMax均采用3Dsensing。3Dimaging&sensing市場規(guī)模將從2016年的13億美元增長至2022年的90億美元,CAGR達到37.3%,2022年3D成像設(shè)備有望超過10億個。誠然,消費者的需求已經(jīng)非常明顯,他們不但想要差異化強個性化足的產(chǎn)品,而且還希望擁有提升體驗效率的表現(xiàn)。圖片來源:http://software.it168.com如何解決“覆面系
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憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進一步增強其存儲領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢
- 西部數(shù)據(jù)公司近日宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級增長的當(dāng)下，BiCS5成為了理想的選擇。基于512 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費級產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預(yù)計到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括
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國內(nèi)內(nèi)存、閃存工廠生產(chǎn)正常Q1合約價小幅上漲
- 集邦科技旗下下半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報告,稱國內(nèi)的內(nèi)存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產(chǎn)的跡象,生產(chǎn)情況正常,而且Q1季度的合約價已經(jīng)談完了,預(yù)計會小幅上漲。國內(nèi)的存儲芯片工廠主要分為海外投資及自主國產(chǎn)兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士內(nèi)存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠離武漢,正常生產(chǎn)沒有受到影響。國產(chǎn)的存儲芯片工廠中,合肥長鑫的內(nèi)存工廠、福建晉華的內(nèi)存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長江存儲是在武漢的,不過
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長江存儲：保障員工健康第一 國產(chǎn)閃存生產(chǎn)有序進行
- 武漢的疫情不僅影響了很多人的正常生活，也對武漢的一些企業(yè)帶來考驗，國內(nèi)有60多家上市公司位于武漢，小米、京東方、天馬等公司都在武漢有生產(chǎn)基地。關(guān)心國產(chǎn)閃存的玩家也應(yīng)該知道長江存儲總部也在武漢，該公司日前回應(yīng)稱國產(chǎn)閃存生產(chǎn)有序進行，公司會將員工健康作為第一事項考慮。長江存儲表示，始終堅持“人員安全第一”原則，嚴格按照政府規(guī)定保障員工的安全，延緩?fù)獾貑T工的返崗時間，并在條件允許的情況下鼓勵遠程辦公，對在崗員工做好防疫宣傳，發(fā)放口罩，體溫檢測，加強消毒，動線隔離等工作。對于原材料供應(yīng)和物流方面，目前長江存儲公司
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豪威科技和光程研創(chuàng)簽署合作意向書,聚焦近紅外線3D傳感及數(shù)碼成像產(chǎn)品
- 行業(yè)領(lǐng)先的先進數(shù)碼成像解決方案的開發(fā)商豪威科技（OmniVision Technologies, Inc.）和鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者光程研創(chuàng)（Artilux Inc.）于近日聯(lián)合宣布簽署合作意向書，雙方經(jīng)過正式的商業(yè)交流及技術(shù)評估后，將在CMOS影像傳感器及鍺硅3D傳感技術(shù)上展開合作。此合作項目的主要目的為結(jié)合豪威科技在CMOS數(shù)碼成像的先進技術(shù)及市場地位，及光程研創(chuàng)的鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)，以完整的解決方案加速導(dǎo)入手機市場。雙方亦期望能藉此合作基礎(chǔ)，為終端客戶提供更為多元彈性的產(chǎn)品選擇，進而實現(xiàn)各項
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內(nèi)存閃存漲價預(yù)警 微軟索尼新主機用上16GB內(nèi)存、TB級SSD
- 最近一段時間來，內(nèi)存、閃存漲價的消息搞的玩家心慌慌，2020年5G智能手機、數(shù)據(jù)中心、AI等市場對存儲芯片的要求更高了。值得注意的是，今年微軟、索尼還會推出新一代主機PS5、Xbox Series X，它們也會用上16GB內(nèi)存及TB級SSD，也會爭搶內(nèi)存閃存份額。微軟的Xbox One X、索尼的PS4系列主機用的還是8GB內(nèi)存，硬盤倒是HDD機械盤，但是今年推出的PS5、Xbox Series X主機配置就會全面升級了，PS5的內(nèi)存是16GB，Xbox Series X有兩個版本，少則12GB，多則16
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SK海力士展示高端新SSD：128層4D閃存
- 去年8月份，閃存巨頭SK海力士重返消費級SSD市場，首發(fā)產(chǎn)品Gold S31只是個試水之作，常規(guī)的2.5英寸SATA形態(tài)，最大容量1TB。CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自己家的4D TLC NAND閃存。其實這里所謂的4D閃存，本質(zhì)上還是3D堆疊閃存，依然基于3D CTF(電荷捕獲閃存)設(shè)計、PUC(Peri. Unde，只不過SK海力士在存儲單元陣列之下增加了一個電路層。SK海力士已在半年前開始量產(chǎn)這
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中微中標9臺長江存儲蝕刻機 國產(chǎn)閃存用上國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備
- 紫光旗下的長江存儲在2019年9月份正式量產(chǎn)了國內(nèi)首個64層堆棧的3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，2020年長江存儲還會進一步提升產(chǎn)能，年底將達到每月6萬片晶圓的水平，是初期產(chǎn)能的10倍。擴大產(chǎn)能就意味著要購買更多的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，其中光刻機還只能依賴進口，但是其他設(shè)備有望加大國產(chǎn)采購力度。1月2日，上海中微半導(dǎo)體宣布中標了9臺蝕刻機，而2019全年他們中標的也不過13臺。蝕刻機是芯片制造中的一種設(shè)備，與光刻機、MOCVD并稱為三大關(guān)鍵性半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，它主要用來在芯片上進行微觀雕刻，每個線條和深孔
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2020年3D閃存全面升級到1XX層堆棧 國產(chǎn)閃存全速追趕中
- 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進100多層的閃存。3D閃存到底能堆棧多少層？就好像摩天大樓也不能無限堆高一樣，3D閃存的層數(shù)也是有限制的，之前廠商的研究顯示最多能堆棧到500多層，不過這是極限值，實際上并沒有這么高。根據(jù)Techinsights最新的NAND閃存路線圖，相比此前幾年動不動就翻倍的堆棧層數(shù)，2022年大部分閃存廠商在
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三星內(nèi)存閃存工廠剛著火 鎧俠閃存廠又傳火警：損失還在統(tǒng)計中
- 2020年伊始，三星位于韓國華城的多座晶圓廠遭遇意外斷電，在UPS電源的支持下只停了三分鐘，已經(jīng)夠讓存儲芯片行業(yè)擔(dān)心受怕了。現(xiàn)在第二大閃存廠鎧俠工廠又出事了，這次又是火災(zāi)，官方表示損失情況還在統(tǒng)計中。據(jù)報道，1月7日，鎧俠位于日本四日市的Fab 6晶圓廠傳出火警，著火地點是在工廠的無塵室，火災(zāi)被迅速撲滅，但是存在無塵室暫時無法運行的可能，這也會導(dǎo)致東芝的閃存生產(chǎn)受到影響。鎧俠官方已經(jīng)證實了這次火災(zāi)，昨天發(fā)表公告稱火災(zāi)導(dǎo)致的損害情況還在統(tǒng)計中，對于客戶的供貨情況還在統(tǒng)計中。這次出事的Fab 6晶圓廠在201
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)
- 本周三，三星電子對外確認，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因為當(dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲芯片制造上，會否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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