TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產品，該產品擁有5個系列，并針對工業、醫療、智能電網、交通和安全等應用進行了優化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術，該技術具有 176 層存儲單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發的第二代產品，上一代 3D NAND 則是 128 層設計，算是美光的過渡節點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特
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600億甩賣閃存業務 分析師看好Intel：每年省出133億

• 一度把存儲芯片業務視為六大支柱技術之一的Intel，日前突然宣布將閃存業務賣給了SK海力士，讓外界頗感意外，畢竟這幾年都是Intel收購別的芯片業務。根據協議，SK海力士將收購包括IntelNAND SSD業務、NAND部件及晶圓業務，以及Intel在中國大連的NAND閃存制造工廠。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從Intel收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。剩下的20億美元要等到2025年完成最終交割時才會支付，屆時SK海力士將從I
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長江存儲發布閃存子品牌 “致鈦 ?ZHITAI”

• 根據科創板日報的消息，長江存儲剛剛發布子品牌，命名 “致鈦 ?ZHITAI”，面向 3D NAND 閃存產品及解決方案市場。致鈦 ?ZHITAI 官方微博已經上線，這意味著未來長江存儲將會推出致鈦 ?ZHITAI 的 SSD 產品。8 月 20 日，長江存儲在武漢召開 “融合創新 · 長存之道”Xtacking 合作伙伴生態大會，正式宣布 Xtacking 生態聯盟成立。據介紹，Xtacking 生態聯盟旨在建立一個以合作伙伴為基礎，以 Xtacking 品牌為標識，以長江存儲 NAND 為載體的存儲產品
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三星加快部署3D芯片封裝技術 希望明年同臺積電展開競爭

• 據國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術的部署。外媒是援引行業觀察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看，三星的3D芯片封裝技術名為“eXtended-Cube” ，簡稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術來
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三星電子展示3D晶圓封裝技術 可用于5納米和7納米制程

• 據臺灣媒體報道，三星電子成功研發3D晶圓封裝技術“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協助解決次世代應用嚴苛的表現需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術，確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節
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長江存儲128層QLC閃存首次公開亮相

• Q3季度閃存價格又要跌10%，今年6大原廠將會把重點轉向128層堆棧的3D閃存生產上來。國產的長江存儲也趕上來了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會首次亮相。長江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內首個自研量產的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構，單位面積的存儲密度是同類產品中最大的。目前長江存儲的量產主力就是64層TLC閃存，已經隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲展示的另一個重點是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
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閃存價格Q3逆勢大跌10% 海外廠商擔心：中國廠商速度太快了

• Q3季度本來應該是閃存市場的旺季，但是現在閃存價格不僅沒漲，反而逆勢跌了10%，預計Q4季度還會繼續跌，競爭更加激烈。閃存跌價有多方面因素，主要原因無疑是今年全球經濟都會大幅下滑，閃存的主要市場——智能手機行業更是大跌。其他因素還有幾大閃存原廠的96層及128層3D閃存良率增加，產能大增，進一步導致了市場供過于求，價格開始下滑。還有一個因素目前的影響比較小，但是海外廠商一點也不敢輕視，那就是國內的閃存廠商開始崛起，而且速度非常快。目前國內閃存主要是長江存儲在做，它們2016年才由紫光集團整合武漢新芯才成立
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HDD退居二線 西數終極轉型時刻到了：閃存挑大梁

• 西數今天發布了2020財年Q4季度財報，營收42.87億美元，同比增加18%，凈利潤1.48億美元，上一年同期虧損1.97億美元。這次的財報業績確實光鮮了不少，營收大漲，扭虧為盈，非GAAP規則下凈利潤達到了3.69億美元，大漲6.4倍，表現倒是很驚人。不過細看之下，西數這個財季的變化還真不小，HDD硬盤出貨量為2310萬部，創造了歷史新低，與上一年同期的2770萬部相比大幅下滑。HDD硬盤市場的情況也就這樣了，出貨量不斷下滑是可以預期的，唯一的好處就是大容量HDD硬盤還不能少，所以西數的HDD硬盤均價還
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研究機構預計全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%

• 據國外媒體報道，研究機構預計，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長，同比增長率將達到27.2%，銷售額將達到560.07億美元。從研究機構的預計來看，在集成電路的33個產品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長率，將是最高的，是增長最明顯的一類。就預期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會是集成電路中的第二大細分市場，僅次于DRAM，后者的銷售額預計為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機構的預計中，在全球集成電路市場，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
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西數旗下全資子公司 晟碟半導體三期廠房擴建項目開工

• 2020年7月28日上午，晟碟半導體（上海）有限公司舉行了其上海工廠三期廠房擴建項目的開工儀式。作為西部數據公司除深圳工廠之外在華的另一大型工廠，此次晟碟半導體三期廠房擴建項目約為11,800平方米，預計于2021年完工；旨在擴充先進的產品制造設施和以產品為中心的技術研發，以支持潛在產能擴張，并為員工建立溫暖如家的工作環境，提升團隊凝聚力和集體歸屬感。晟碟半導體（上海）有限公司是美國西部數據公司下屬全資子公司，主要從事先進閃存存儲產品的研發、封裝和測試，自2006年落戶紫竹高新區以來，注冊資本從3200萬
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華為、三星、蘋果手機下滑 閃存先遭殃：3個月來跌價20%

• 作為NAND閃存的最大市場，智能手機市場今年還會下滑，蘋果、三星及華為的手機業務都遭受了壓力，閃存市場也應聲而跌，3個月來價格跌了20%，這一個月來就跌了8%。全球每年將近15億臺的智能手機是NAND閃存廠商的最大客戶，如今手機的存儲容量都是64-128GB起了，256GB及512GB也不少見，比很多人的SSD硬盤容量都大，結果這個最大動力今年也熄火了。今年全球經濟都在下滑，第一大品牌三星最近調整了手機出貨量目標，至少砍了15%，全年預期只有2.4億部，接下來要發布的Note 20系列也在砍單，三星要求供
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打破國外壟斷，全國產3D芯片為機器人“點睛”

從原子的物理世界到0和1的數字世界，3D視覺“感知智能”技術是第一座橋梁。我國放量增長的工業級、消" />

• 傳統機器人只有“手”，只能在固定好的點位上完成既定操作，而新一輪人工智能技術大大推動了機器和人的協作，這也對機器人的靈活性有了更高要求。要想像人一樣測量、抓取、移動和避讓物體，機器人首先需要對周邊世界的距離、形狀、厚薄有高精度的感知，而3D視覺芯片可以引導機器人完成上述復雜的自主動作，它相當于機器人的”眼睛”和”大腦”。近日，中科融合感知智能研究院（蘇州工業園區）有限公司（以下簡稱中科融合）的全球首顆高精度3D-AI雙引擎SOC芯片，已經在國內一家芯片代工廠進入最終流片階段。這顆芯片將和中科融合已經進入批
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疫情之下，長江存儲程衛華談閃存產業發展

• 6月27日，SEMICON China 2020大會于上海拉開帷幕。會上，長江存儲聯席首席技術官程衛華發表《探索閃存發展可能，共同迎接未來挑戰》主題演講，談及了疫情下閃存產業發展、長江存儲3D NAND技術進展等內容。程衛華認為，2020年不平凡的一年，這一年經歷了新冠疫情的全球蔓延，國際局勢的變幻莫測，全球產業鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時，疫情給人們的生活方式與半導體技術帶來了改變。程衛華指出，消費市場的變化驅動了SSD的需求，以及云上業務驅動企業級SSD需求增長。從全球市場綜合發展來看，企業級SS
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國產128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

• 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產了64層閃存，今年初還研發成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND
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