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3d 閃存
3d 閃存 文章 最新資訊
長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)
- 近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿(mǎn)足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng),將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán),都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國(guó)廠商只花了6年
- 近日,有消息稱(chēng),國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。可見(jiàn),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷
- 中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國(guó)三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)
- 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案 推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)
- 比利時(shí)微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結(jié)構(gòu),將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)透過(guò)這些埋入式電源軌(BPR)實(shí)現(xiàn)互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器
- 3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用,有助于打造創(chuàng)新的汽車(chē)智能座艙,支持新服務(wù)的無(wú)縫接入,并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿(mǎn)足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求,以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與專(zhuān)注3D ToF(飛行時(shí)間)系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德(pmd)合作,開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器,該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn),具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù),賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用
- 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟?lèi)的生活和工作方式。預(yù)計(jì)今年下半年,AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì),將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì),擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力,能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作,幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程,并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎?
- 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個(gè)問(wèn)題之前,我
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西部數(shù)據(jù)推出模塊化高性能存儲(chǔ)解決方案,助力創(chuàng)作者創(chuàng)意呈現(xiàn)
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上發(fā)布了旗下閃迪?及閃迪大師品牌的創(chuàng)新產(chǎn)品,包括模塊化固態(tài)硬盤(pán)系統(tǒng)以及全新升級(jí)的UHS-I SD?和microSD?存儲(chǔ)卡,旨在為世界各地的內(nèi)容創(chuàng)作者和專(zhuān)業(yè)人士提供更好的支持。無(wú)論是在工作室內(nèi)創(chuàng)作影視大片,還是在戶(hù)外現(xiàn)場(chǎng)拍攝素材片段,全新發(fā)布的解決方案將為內(nèi)容創(chuàng)作者帶來(lái)高性能、可擴(kuò)展且極具可靠性的解決方案,助力他們實(shí)現(xiàn)無(wú)限可能。西部數(shù)據(jù)消費(fèi)者解決方案高級(jí)副總裁Jim Welsh表示:“閃迪大師品牌致力于為追尋理想不斷前行的人提供高品質(zhì)的存儲(chǔ)解
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西部數(shù)據(jù)擴(kuò)充旗下WD_BLACK SSD產(chǎn)品組合,滿(mǎn)足各類(lèi)游戲玩家的多樣化需求
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上宣布:旗下專(zhuān)為游戲玩家打造的WD_BLACK品牌再度擴(kuò)充產(chǎn)品組合,推出WD_BLACK? SN850X NVMe? SSD和WD_BLACK P40 游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)兩款新品,旨在進(jìn)一步提升玩家游戲體驗(yàn),為玩家升級(jí)PC和主機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)提供更多選項(xiàng)。AMD(超威半導(dǎo)體)企業(yè)科研理事兼計(jì)算與圖形首席技術(shù)官Joe Macri表示:“AMD很高興能與西部數(shù)據(jù)持續(xù)開(kāi)展深度合作,為玩家提供卓越的游戲體驗(yàn)。隨著游戲變得更加讓人身臨其境,玩家們也越來(lái)越青睞
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西部數(shù)據(jù)全新定制化SSD產(chǎn)品,助力混合工作模式,發(fā)掘數(shù)據(jù)價(jià)值
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上推出了全新的西部數(shù)據(jù)?PC SN740 NVMe? SSD,旨在滿(mǎn)足當(dāng)今混合辦公趨勢(shì)的獨(dú)特需求,為用戶(hù)帶來(lái)更佳的計(jì)算體驗(yàn)。西部數(shù)據(jù)公司閃存業(yè)務(wù)部門(mén)消費(fèi)級(jí)及企業(yè)級(jí)SSD副總裁Eric Spanneut表示:“過(guò)去幾年,混合和遠(yuǎn)程辦公模式已成為企業(yè)的‘新常態(tài)’,這也推動(dòng)了PC出貨量的顯著增長(zhǎng)。工作習(xí)慣和辦公場(chǎng)所的改變,為我們帶來(lái)了巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。我們致力于為企業(yè)級(jí)和商用PC 的OEM廠商提供輕薄的存儲(chǔ)解決方案,在保證低能效的前提下,提供強(qiáng)大的性
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西部數(shù)據(jù)公司推出全新大容量SSD產(chǎn)品 支持大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心的高性能表現(xiàn)
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上宣布:公司新款Ultrastar? NVMe? PCIe? 4.0 SSD正在向部分超大規(guī)模客戶(hù)交付樣品。基于西部數(shù)據(jù)強(qiáng)大的垂直整合優(yōu)勢(shì),新款SSD旨在提供大規(guī)模的高性能產(chǎn)品支持,同時(shí)降低公有云部署的TCO。如今,云基礎(chǔ)設(shè)施逐漸往分布式架構(gòu)發(fā)展,為不斷增長(zhǎng)的 “即服務(wù)“ 產(chǎn)品提供了彈性、可擴(kuò)展性和可預(yù)測(cè)性。將存儲(chǔ)與計(jì)算分離,使大容量數(shù)據(jù)中心NVMe SSD 成為熱門(mén)的細(xì)分品類(lèi)——可提高存儲(chǔ)利用率,增加數(shù)據(jù)中心機(jī)柜密度,以適應(yīng)虛擬化和多租戶(hù)環(huán)
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西部數(shù)據(jù)推出22TB CMR和26TB ULTRASMR HDD,賦能云市場(chǎng)蓬勃發(fā)展新時(shí)代
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上宣布正在向部分超大規(guī)模云服務(wù)商合作伙伴提供22TB1和26TB UltraSMR HDD樣品,通過(guò)進(jìn)一步擴(kuò)大其在面密度技術(shù)上的優(yōu)勢(shì),幫助客戶(hù)降低總體擁有成本(TCO),實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)價(jià)值。西部數(shù)據(jù)擁有豐富的HDD產(chǎn)品組合以及在面密度技術(shù)領(lǐng)域的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),一直處于存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展革新的核心位置。借助創(chuàng)新的OptiNAND?技術(shù)、能量輔助磁記錄 (ePMR)、三階尋軌定位系統(tǒng) (TSA)、氦氣封裝(HelioSeal?)以及全新的UltraSMR技術(shù),西部
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西部數(shù)據(jù)積極實(shí)踐“發(fā)掘數(shù)據(jù)價(jià)值”使命
- 西部數(shù)據(jù)公司本月在舊金山舉行的 “What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上,宣布將推進(jìn)其“發(fā)掘數(shù)據(jù)價(jià)值“ 的使命,滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)于數(shù)據(jù)的多樣化需求。 活動(dòng)上,數(shù)位西部數(shù)據(jù)公司的領(lǐng)導(dǎo)人發(fā)表了系列主題演講,帶來(lái)多個(gè)突破性的HDD和閃存創(chuàng)新成果。這些成果皆基于對(duì)企業(yè)及用戶(hù)使用數(shù)據(jù)的深刻理解,旨在幫助他們以數(shù)造輝煌。西部數(shù)據(jù)公司首席執(zhí)行官David Goeckeler在開(kāi)幕致辭中對(duì)由現(xiàn)代計(jì)算技術(shù)引發(fā)的市場(chǎng)快速擴(kuò)張形勢(shì)進(jìn)行了解讀。云計(jì)算的發(fā)展、智能網(wǎng)聯(lián)設(shè)備的爆炸性增長(zhǎng),以及全球每天因使用這些設(shè)備所產(chǎn)生的數(shù)字信息日益增多
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3d 閃存介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d 閃存的理解,并與今后在此搜索3d 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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