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3d ic 集成 文章 最新資訊

3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

  •   DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。   3D NAND Flash依存儲元件儲存機(jī)制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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后摩爾定律時代 電子制造產(chǎn)業(yè)鏈走勢分析

  • 在后摩爾定律時代,加速電子產(chǎn)業(yè)鏈上下游的整合勢在必行,這也是從業(yè)者在后摩爾時代所應(yīng)該看到和追隨的。
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【E課堂】IC產(chǎn)業(yè)專業(yè)名詞及產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)系

  •   我敢保證,這將會是你最容易看懂的 IC 產(chǎn)業(yè)介紹之一。        到底 IC 芯片是怎么被設(shè)計出來的呀?且制造完后又是誰要負(fù)責(zé)賣這些芯片呢?換個說法,這或許也該解讀成,到底是誰委托晶圓代工廠代工做這些芯片呢?聽說… Intel 的經(jīng)營模式屬于 IDM 廠商、高通和聯(lián)發(fā)科叫 Fabless,而他們兩種模式都會賣 IC 芯片?! 但臺積電不賣芯片?! 這些 IC 產(chǎn)業(yè)新聞一天到晚出現(xiàn)的專業(yè)術(shù)語到底是什么意思呢?   藉由理解這幾家廠商不同的定位與利基點(diǎn),我們將能進(jìn)一
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知識產(chǎn)權(quán)成為制約我國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一

  •   在第17屆信息技術(shù)領(lǐng)域?qū)@麘B(tài)勢發(fā)布會暨知識產(chǎn)權(quán)發(fā)展論壇上,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武表示,知識產(chǎn)權(quán)逐漸成為制約我國集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一。   事實(shí)上,近年來集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的并購等資本運(yùn)作頻發(fā),知識產(chǎn)權(quán)(IP)在并購中的地位也日益凸顯,充分表明產(chǎn)業(yè)、資本與知識產(chǎn)權(quán)的結(jié)合正在成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個趨勢,也是知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)和運(yùn)用的一個新趨勢。   丁文武認(rèn)為,經(jīng)過近兩年的努力,我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)u趨合理均衡,2016年設(shè)計、制造、封測的銷售額分別達(dá)到1644.3億元、11
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2015年大陸貢獻(xiàn)全球IC需求29%,供給僅4%

  •   2013年,中國從海外進(jìn)口了2,330億美元的半導(dǎo)體,進(jìn)口金額首度超越石油,也促成了中國「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn),并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年,半導(dǎo)體的進(jìn)口金額維持2,307億美元的高檔,大約貢獻(xiàn)了全球29%的半導(dǎo)體需求量,但中國能自己供應(yīng)的比重僅有4%。   中國政府希望到2020年為止,能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾,中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言,我們可以用「自建工廠」,發(fā)展3D Flash,也同步發(fā)展材料設(shè)備業(yè)等幾個字
  • 關(guān)鍵字: IC  DRAM  

并購路不好走 中國半導(dǎo)體人才引進(jìn)要加速

  •   近日,拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新研究指出,由于中國本土晶圓廠的擴(kuò)張及先進(jìn)制程的推進(jìn)使人才需求迫切,近兩年中國引進(jìn)IC人才的力度越來越大,人才引進(jìn)已成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中的熱點(diǎn),且因多數(shù)新建廠的投片計劃集中在2018年下半年,預(yù)估2017年人才引進(jìn)將更趨白熱化,是人才爭奪戰(zhàn)的關(guān)鍵年。   拓墣認(rèn)為,從紫光海外并購屢屢受阻、福建宏芯基金收購德國愛思強(qiáng)也因美國政府態(tài)度而暫緩等事件觀察,顯示在國際普遍關(guān)注下,中國未來想借著并購獲取技術(shù)及市場等資源將愈加困難,然而技術(shù)是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心競爭力,如果并購的路不好走,人
  • 關(guān)鍵字: 晶圓  IC  

帶上背面隔離罩的IC有更安全?

  •   法國能源署電子暨信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室(LETI)提出了一種低成本的芯片保護(hù)方法,能夠讓芯片免于來自芯片背面的侵入式和半侵入式攻擊。        芯片可能遭受攻擊的形式包括利用紅外線、化學(xué)延遲和掃描聚焦離子束等方式,其目的在于除去芯片上的材料,并進(jìn)一步存取IC。接著還可能利用這種IC存取方式取得設(shè)計信息,以及潛在的數(shù)據(jù)。   Leti安全營銷經(jīng)理Alain Merle說:“建置多種硬件和軟件對策,能夠讓IC更加安全,但芯片的背面仍然存在易于受到實(shí)體攻擊的風(fēng)險。”
  • 關(guān)鍵字: IC  封裝  

三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)

  •   三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。   三星新芯片廠于 2015 年動土,共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。   新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤,并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲存設(shè)備。   市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出,三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
  • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND   

發(fā)展3D NAND閃存的意義

  • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開,長江存儲集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法,及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  

常見的IC芯片解密方法與原理解析!

  •   其實(shí)了解芯片解密方法之前先要知道什么是芯片解密,網(wǎng)絡(luò)上對芯片解密的定義很多,其實(shí)芯片解密就是通過半導(dǎo)體反向開發(fā)技術(shù)手段,將已加密的芯片變?yōu)椴患用艿男酒M(jìn)而使用編程器讀取程序出來。  芯片解密所要具備的條件是:  第一、你有一定的知識,懂得如何將一個已加密的芯片變?yōu)椴患用堋! 〉诙⒈仨氂凶x取程序的工具,可能有人就會說,無非就是一個編程器。是的,就是一個編程器,但并非所有的編程器是具備可以讀的功能。這也是就為什么我們有時候?yàn)榱私饷芤粋€芯片而會去開發(fā)一個可讀編程器的原因。具備有一個可讀的編程器,那我們就
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扭轉(zhuǎn)“兩頭在外”處境 中國IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)亟需調(diào)整

  • IC設(shè)計行業(yè)正在發(fā)生變化,未來真正的“中國芯”——以中國制造為主、供應(yīng)內(nèi)需市場將是大勢所趨。
  • 關(guān)鍵字: IC  晶圓  

預(yù)計今年全球IC市場規(guī)模年增5%

  •   調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示,有別于2010年之前,現(xiàn)今全球IC產(chǎn)業(yè)成長深受全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展?fàn)顩r影響。諸如利率、石油價格、財政激勵等外在經(jīng)濟(jì)環(huán)境因素都會成為影響IC市場規(guī)模成長的重要因素。   該機(jī)構(gòu)表示,在2010年之前,IC產(chǎn)業(yè)市場周期主要是受到如業(yè)者資本支出、IC產(chǎn)能,以及產(chǎn)品價格等因素影響。   根據(jù)1992年以來全球生產(chǎn)毛額(GDP)年增率與IC市場規(guī)模年增率資料,在1992~2010年期間,全球GDP年增率與IC市場規(guī)模年增率呈現(xiàn)出不規(guī)則變化,并且彼此間也沒有顯現(xiàn)出相關(guān)性。   然
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臺媒:大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵

  •   中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場,但自給自足率卻明顯偏低,必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計劃,目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo),到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為,這項(xiàng)目標(biāo)恐難達(dá)成,而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。   國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思   根據(jù)IC Insights報導(dǎo)指出,現(xiàn)實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
  • 關(guān)鍵字: IC  DRAM  

中國最大半導(dǎo)體并購案:建廣資產(chǎn)收購NXP標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)完成交割

  • 雖然收購恩智浦的標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)讓建廣資本聲名鶴立,但絕不是一戰(zhàn)成名。鮮為人知的是,建廣資本已經(jīng)在一系列產(chǎn)業(yè)投資與跨國并購中取得了斐然的成績。
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迎需求熱潮!三星或追投西安3D NAND廠43億美元

  •   據(jù)海外媒體報道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。   Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出,三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進(jìn)行商議,2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資,皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。   三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
  • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  
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