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英特爾下一代突破性3D XPoint內存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術,它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算,但是現(xiàn)在傳出這一技術及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度,而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明,而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術和產(chǎn)品
- 關鍵字: 英特爾 3D XPoint
英特爾下一代突破性3D XPoint內存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術,它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算,但是現(xiàn)在傳出這一技術及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度,而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明,而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術和產(chǎn)品
- 關鍵字: 英特爾 3D XPoint
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧
- 摘要:由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導,現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導,預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負責建設,今年3月份12寸晶圓廠正式動工,整個項目預
- 關鍵字: SSD 3D NAND
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導,現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導,預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負責建設,今年3月份12寸晶圓
- 關鍵字: 3D NAND
推動“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”
- 中國重慶渝北區(qū)仙桃數(shù)據(jù)谷近日建立 “ ARM架構集成電路產(chǎn)業(yè)支持平臺”,該平臺將為在重慶渝北區(qū)落戶的IC設計企業(yè)提供ARM IP購買、技術服務、設計工具、培訓等全方位支持。 該平臺的建立將直接推動重慶本地以IC設計為代表的電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項目發(fā)展,凡在重慶仙桃數(shù)據(jù)谷落地的電子與集成電路設計相關企業(yè)今后都能申請此平臺支持,重慶渝北區(qū)政府將對符合條件的項目與企業(yè)提供優(yōu)惠補貼,幫助其迅速并以優(yōu)惠價格獲得ARM IP、設計工具以及相關培訓與技術支持等。該平臺的建立有利于IC設計企業(yè)降
- 關鍵字: ARM IC
可將數(shù)據(jù)轉換器IP成功集成到系統(tǒng)芯片的12種設計技術
- 為了滿足苛刻性能和快速運行要求,今天的系統(tǒng),從通訊接口到高品質圖像視頻和多媒體系統(tǒng),各種消費類應用廣泛采用了數(shù)字信號處理技術。數(shù)據(jù)轉換器成為現(xiàn)實世界模擬信號與數(shù)字域之間的接口。因此,數(shù)據(jù)轉換器是完整信
- 關鍵字: 數(shù)據(jù)轉換器 集成 設計技術 系統(tǒng)芯片
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