得益于人工智能需求激增推動的英偉達營收大增，全球前十大芯片設計廠商在去年的營收超過了1600億美元，英偉達也首次成為年度營收最高的芯片設計廠商。
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芯片 英偉達 IC 高通 博通
了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時，我們經常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
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欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
聯電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用于手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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5G 聯電 RFSOI 3D IC
近日，晶圓代工大廠聯電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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聯電 3D IC
光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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Zivid 3D 機器人
根據Knometa Research的數據顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產能的領先地區(qū)，而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領先優(yōu)勢的芯片制造能力上進行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外，KnometaResearch預計，2024年全球IC晶圓產能年增長率為4.5%，2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個百分點。預計到2025年，中國大陸的產能份額
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IC 晶圓 半導體市場
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業(yè)
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3D DRAM
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
2023年9月27日，在“2023北京微電子國際研討會暨IC WORLD大會”期間，舉辦了一場關于雙碳、可持續(xù)發(fā)展的研討會——“集成電路下的綠水青山”。國家電網能源研究院原副院長、首席能源專家胡兆光教授分享了我國能源行業(yè)的發(fā)展現狀與未來方向。
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202403 雙碳 IC WORLD
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
AbstractTXB0104是應用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC
(嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉換芯片。當系統(tǒng)的軟件資源配置不足，需要電平轉換芯片自己識別信號傳輸方向的時候，需要注意外部硬件設計，不然可能會出現掛載時好時壞的失效情況。問題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為TXB0104工作異常。實測中發(fā)現如圖中線路所示：1.只有D0通道無信號，因為將D0數據線由主芯片（AM3352）側飛線到EMMC，D0開始傳輸數據信號，eMMC掛載正常
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自動檢測 IC TXB0104 電平 轉換端口
美國新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運動控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感技術和功率半導體解決方案的全球領導廠商Allegro MicroSystems（納斯達克股票代碼：ALGM）（以下簡稱Allegro）宣布推出高壓電源產品組合中的第二款產品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅動器?IC 增加了重要的安全功能，同時簡化了電動汽車和清潔能源應用（包括?OBC/DC-DC、太陽能逆變器和數據中心電源）中大功率能源轉換系統(tǒng)的設計。Allegro 副總裁兼
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Allegro Power-Thru IC 隔離柵極驅動器
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