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3d x-dram 文章 最新資訊

TrendForce：第三季DRAM價格預估下跌3～8％

  • 據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產品別如PC與智能型手機領域恐出現(xiàn)超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產業(yè)仍處于供過于求，因此即便
  • 關鍵字： TrendForce  DRAM  

imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級

  • 比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
  • 關鍵字： imec  晶背供電  邏輯IC  布線  3D IC  

英飛凌推出全球首款符合ISO26262標準的高分辨率車用3D圖像傳感器

  • 3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評級要求，以及實現(xiàn)自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統(tǒng)領域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。         
  • 關鍵字： 3D  圖像傳感器  

英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應用

  • 增強現(xiàn)實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業(yè)領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復雜的流程，并支持員工進行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
  • 關鍵字： 3D  s深度傳感  

SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開發(fā)成功到量產僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現(xiàn)加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存
  • 關鍵字： SK海力士  英偉達  HBM3  DRAM   

3D DRAM技術是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
  • 關鍵字： DRAM  3D DRAM  華為  三星  美光  制程  納米  

利基型DRAM持續(xù)擴產 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙

  • 內存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產，為長遠發(fā)展奠定良好的基礎與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
  • 關鍵字： DRAM  華邦電  AIoT  元宇宙  

三星推出512GB 內存擴展器CXL DRAM

  • 2022年5月10日 ，作為先進內存技術的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務器擴展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
  • 關鍵字： 三星  內存擴展器  CXL DRAM  

NVIDIA透過人工智能 將2D平面照片轉變?yōu)?D立體場景

  • 當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過來，亦即在幾秒鐘內將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
  • 關鍵字： 3D  CPU  GPU  NVIDIA  

第二季度DRAM跌幅估縮小

  • 根據(jù)市調預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
  • 關鍵字： DRAM  集幫咨詢  

適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應傳感器的評估模塊

  • TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個 3D 打印旋轉和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
  • 關鍵字： 精密數(shù)模轉換器  霍爾效應傳感器  3D  

三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用

  • 今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
  • 關鍵字： 三星  LPDDR5X  DRAM  高通  驍龍  

摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù)：3D堆疊技術或許是答案

  • 按照摩爾定律進一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來越大，半導體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數(shù)級攀升，因此，業(yè)界開始向更多方向進行探索。
  • 關鍵字： 摩爾定律  3D  堆疊技術  

雙目立體賦能3D機器視覺，銀牛攜芯片模組登陸中國市場

  • 1? ?幾種3D深度感知技術比較3D深度感知主要有3個技術方向：雙目立體，結構光，飛行時間（ToF），結構光起步比較早，但是技術的局限性較大，而雙目立體的發(fā)展速度較快，勢頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結構光二者都用了三角測距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產生特征點，來計算對象物深度的數(shù)據(jù)。結構光需要有一個發(fā)射光的發(fā)射源，帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結構光的弱點是在室外時，結構光發(fā)射帶編碼的光經常受到環(huán)境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
  • 關鍵字： 3D  雙目  深度  

微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

  • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DR
  • 關鍵字： DRAM  微結構  
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3d x-dram介紹

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