明年下半年DRAM供給可能會供不應求，韓媒指出，存儲器廠商轉進20納米制程的產能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。
BusinessKorea 12日報道，半導體和投資銀行的業界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產量將減少2萬組，從當前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉換造成產能減少。不僅如此，產程轉換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。
據了解，明年上半年是淡季，DRA
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DRAM 美光
美光公司日前開始量產其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產品的連續讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍，據稱也更加耐用。
Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發現有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認的
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美光 3D NAND
明年下半年DRAM供給可能會供不應求，韓媒指出，存儲器廠商轉進20納米制程的產能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。
BusinessKorea 12日報道，半導體和投資銀行的業界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產量將減少2萬組，從當前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉換造成產能減少。不僅如此，產程轉換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。
據了解，明年上半年是淡季，DRA
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DRAM 美光
武漢東湖新技術開發區管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數據型閃存(3D NAND Flash)技術開發及產業化”項目可行性專家評審會，業內專家對
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3D NAND
南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業務組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業群分開各自營運，事業群自行加強競爭力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 根據記憶體營收部分發布 2012年記憶體模組廠排名調查，該年度全球模組市場總銷售金額為
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記憶體儲存 金士頓 DRAM
三星最新的產品是一種面向企業級應用、高可靠的固態盤存儲--V-NAND固態盤。最新用于固態盤V-NAND技術帶來性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固態盤
現在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存儲技術
隨著DRAM和NAND技術持續邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路，IC Insights密切觀察有關DRAM和NAND供應商的最新動態，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發展
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NAND DRAM
近來DRAM 價格晶片大宗訂單的價格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應給日益成長的智慧手機市場，令人擔心個人電腦(PC)未來的供應。預料
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DRAM 晶片 智能手機
RAMRAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關。RAM的速度比較快，但其保
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SRAM DRAM SDRAM 比較
DRAMeXchange表示，由于DRAM產業寡占市場格局確立，加上各大DRAM供應商按照原先規劃減少標準型存儲器部位影響下，主流模塊4GB均價在第2季上揚16%，由23.5
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存儲器 DRAM 三星
由于閃存比傳統媒介有著更為明顯的優勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產品之間的區別。在本文中，我
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NFS PCIe NAS DRAM 閃存
根據TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，DRAM產業的減產效應已正在逐步發酵當中，在跌無可跌的前提之下，短時間內現貨價格有機會帶動一波價格的上
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DRAM 現貨價 短期看漲
行業專家認為，對于一個典型的大型數據中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數據中心服務器，高功率密度的
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存儲器 子系統效率 DRAM
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