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3d-nand 文章 最新資訊

CES 2019：英特爾推出5G芯片 躋身無線基站

  • CES 2019展會上，英特爾宣布了因應5G時代的“Snow Ridge”。此外，該公司還同時發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動處理器Ice Lake、服務器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
  • 關鍵字： CES2019  5G芯片  Snow Ridge  Foveros 3D  

2018年三大手機創(chuàng)新技術：屏下指紋/前后雙屏/3D ToF

  • 2018年，手機廠商在圍繞提升屏占比、充電速度、拍照素質等方面上都有不少突破和嘗試。衍生出滑蓋屏、水滴屏、打孔屏的設計，充電速度最高也提升到了50W、拍照則出現(xiàn)各種“超級夜景”，這些設計與創(chuàng)新為消費者提供了更多的選擇，但這些創(chuàng)新相比上述三種，它們出現(xiàn)并沒有讓消費者對手機的使用體驗有著超預期的提升，實用但并不令人心生向往。
  • 關鍵字： 屏下指紋  3D ToF  

中天弘宇：攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

  • 閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術的快速演進，NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
  • 關鍵字： NOR  NAND  存儲器  

半導體設備廠商競爭格局生變？

  • 　　半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉，排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危。　　自1990年以來，應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄。　　2016年，應用材料公司的市場份額比Lam
  • 關鍵字： ASML  NAND  

突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構

  • 2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學術界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值，變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
  • 關鍵字： 數(shù)據(jù)  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌

  • 　　全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫。　　1　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內(nèi)存漲價超過9個季度之后，內(nèi)存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%，預計2019年還會繼續(xù)跌20%。　　受此影響，全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

存儲領域競爭加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

  • 　　3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補這一問題，這必然會提高成本，以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢。　　　　3D NAND將思路從提高制造工藝轉
  • 關鍵字： 存儲  NAND  

晉華事件透視：存儲器壟斷暴利之痛如何終結？

  • 壟斷加劇供求失衡，導致價格上漲，壟斷導致的暴利，是目前全球存儲器行業(yè)面臨的最大問題。
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價優(yōu)勢不再，Q4風光難續(xù)

  • 　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢。　　存儲器原廠Q3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動”　　2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用，導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

產(chǎn)業(yè)高點已過，2019年閃存價格恐跌40%

  • 　　CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
  • 關鍵字： 閃存  3D-NAND  

兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領域通力合作

  • 　　日前，業(yè)界領先的半導體供應商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過Digi-Key實現(xiàn)全球即時發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價格上更貼近客戶需求。　　兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
  • 關鍵字： 兆易創(chuàng)新  NAND   

3D NAND技術發(fā)展迅速，SSD取代HDD硬盤明年可待

  • 　　NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價后，在2018年價格開始大幅下滑，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，截止到10月底，2018年NAND Flash綜合價格指數(shù)已累積下滑高達63%，其中主流SSD價格跌幅也高達約50%。　　Flash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇，使得SSD價格更加親民，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket最新價格，消費類零售品牌SSD 240GB容量價格已下滑至31美金，480GB容量價格下探至58美金。低端白牌SSD產(chǎn)品的市場報價更是分別低至25美金(24
  • 關鍵字： NAND  HDD  

e絡盟3D打印產(chǎn)品線再添新供應商MakerGear

  • 　　全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商e絡盟宣布新增MakerGear系列 3D 打印機，進一步擴充其 3D 打印產(chǎn)品陣列。MakerGear是 3D 打印系統(tǒng)技術和市場領航者，其打印機旨在加速終端應用部件和設備的原型設計及生產(chǎn)。　　“MakerGear打印機的設計、構建、制造和檢驗均符合業(yè)界標準，確保為專業(yè)人士和創(chuàng)客提供最優(yōu)性能。” Premier Farnell 和 e絡盟全球測試和工具主管 James McGregor表示，“作為開發(fā)服務分銷商，我們致力于為客戶進行創(chuàng)新設計、加快產(chǎn)品研發(fā)上市速度提供技術
  • 關鍵字： e絡盟   3D 打印  

基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇

  • 　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。　　本屆高峰論壇和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業(yè)領袖同臺論劍，給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導體產(chǎn)業(yè)的盛宴。　　立足國際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
  • 關鍵字： 基本半導體  3D SiC JBS二極管  4H 碳化硅PIN二極管  第三代半導體  中歐論壇  

賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

  • 　　全球領先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達克代碼：CY)日前宣布，與海力士半導體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中，合資公司將生產(chǎn)及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品，并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設立在香港，海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份。　　賽普拉斯總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示：“合資公司將會長期為客戶提
  • 關鍵字： 海力士  NAND  
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3d-nand介紹

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