根據韓國三星證券初步的預測數據顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達成大規模生產的建議值低了三倍。因訂單量不足關閉代工生產線進入5nm制程時，三星晶圓代工業務就因為無法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單，高通的訂單全給了臺積電，同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿足客戶需求，三星并不堅持使用自家代工廠，即將發布的三星Galaxy 25系列手機全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領域，臺積電拿
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10月20日消息，據北京衛視消息，北京市經濟和信息化局總經濟師唐建國表示，小米公司成功流片國內首款3nm手機系統級芯片。所謂流片，就是像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片，簡單來說就是芯片公司將設計好的方案，交給晶圓制造廠，先生產少量樣品，檢測一下設計的芯片能不能用，根據測試結果決定是否要優化或大規模生產。為了測試集成電路設計是否成功，必須進行流片，這也是芯片設計企業一般都在前期需要投入很大成本的重要原因。此時的小米再次成功流片，距離上次小米澎湃S1發布，相隔了7年多時間。在2017年，小米澎湃S1正式
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IT之家 10 月 15 日消息，小米中國區市場部副總經理、Redmi 品牌總經理王騰今日發文，解釋了今年旗艦手機漲價的原因：一是旗艦處理器升級最新 3nm 制程，工藝成本大幅增加另一方面是內存經過持續一年的漲價，已經到了高點，所以大內存的版本漲幅更大王騰表示：“年底這一波旗艦定價都挺難的，每一款好產品都值得被鼓勵。”IT之家注意到，王騰在這條微博評論區表示：“堅持價格厚道”“耐心等下，一定不讓大家失望”。a10 月 10 日，王騰發文稱：“Redmi 的旗艦新品詳細梳理了一遍，這一代產品定位和
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9月24日消息，今天，聯發科官方宣布將于10月9日舉行新一代MediaTek天璣旗艦芯片新品發布會。本次發布會將發布天璣9400移動平臺，這將是聯發科最強悍的手機芯片，它首次采用臺積電3nm工藝制程，是安卓陣營第一顆3nm芯片。不止于此，天璣9400首發采用Arm Cortex-X925超大核，這次為了突出CPU升級巨大，Arm專門更改了Cortex-X的命名規則，對比上代X4，Cortex-X925超大核性能提升36%，AI性能提升41%。GPU方面，天璣9400搭載最新的Mali-G925-Immor
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三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續重新定義可穿戴技術的極限。這款最新型號承襲了其前身產品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細的技術分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內部結構的深入分析，我們將揭示這款設備在智能手表領域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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7月14日消息，據媒體報道，三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發取得顯著進展。Exynos 2500的工程樣品已經實現了3.20GHz的高頻運行，這一頻率不僅超越了此前的預期，而且比蘋果A15 Bionic更省電，效率表現更為出色。此前，有關三星3nm GAA工藝良率過低的擔憂一度影響了市場對Exynos 2500的信心，特別是在Galaxy S25系列手機的穩定首發方面。不過三星在月初的聲明中，對外界關于3nm工藝良率不足20%的傳聞進行了否認，強調其3nm GAA工藝的良率和性能已經穩定，產
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據外媒報道，臺積電的2nm制程工藝將開始在新竹科學園區的寶山晶圓廠風險試產，生產設備已進駐廠區并安裝完畢，相較市場普遍預期的四季度提前了一個季度。芯片制程工藝的風險試產是為了確保穩定的良品率，進而實現大規模量產，風險試產之后也還需要一段時間才會量產。在近幾個季度的財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家是多次提到在按計劃推進2nm制程工藝在2025年大規模量產。值得一提的是，臺積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術，預計蘋果將包下首批的2nm全部產能。臺積電2nm步入GAA時代作為3n
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7月8日消息，業內人士手機晶片達人爆料，臺積電6nm、7nm產能利用率只有60%，明年1月1日起臺積電會降價10%。與之相反的是，因3nm、5nm先進制程工藝產能供不應求，臺積電明年將漲價5%-10%。業內人士表示，臺積電3nm漲價底氣在于，蘋果、高通、英偉達與AMD等四大廠包攬臺積電3nm家族產能，甚至出現了排隊潮，一路排到2026年。受此影響，采用臺積電3nm制程的高通驍龍8 Gen4價格將會上漲，消息稱驍龍8 Gen4的最終價格將超過200美元，也就是說單一顆芯片的價格在1500元左右，相關終端價格
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《科創板日報》8日訊，聯發科、高通新一波5G手機旗艦芯片將于第四季推出，兩大廠新芯片都以臺積電3nm制程生產，近期進入投片階段。臺積電再添大單，據了解，其3nm家族制程產能客戶排隊潮已一路排到2026年。在臺積電3nm制程加持之下，天璣9400的各面向性能應當會再提升，成為聯發科搶占市場的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8
Gen 4亮相時間與細節，外界認為，該款芯片也是以臺積電3nm制程生產，并于第四季推出。價格可能比當下的驍龍8 Gen
3高25％~30％，每顆報價來到220美元~240
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7月3日消息，三星今天正式發布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設備設計，預計將應用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個Cortex-A78大核心和4個Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實現了3.4倍的提升，在多核性能上更是達到了3.
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IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發布聲明，否認“三星代工業務 3nm 晶圓缺陷”的報道，認為這則傳聞“毫無根據”。此前有消息稱三星代工廠在量產第二代 3nm 工藝過程中發現缺陷，導致 2500 個批次（lots）被報廢，按照 12 英寸晶圓計算，相當于每月 65000 片晶圓，損失超過 1 萬億韓元（IT之家備注：當前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無根據”，仍在評估受影響生產線的產品現狀。業內人士認為，報道中的數字可能被夸大了，并指出三星的
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三星 3nm 晶圓代工
英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發展。英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯發科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor
G5的樣品發送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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6月23日消息，據媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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據外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。據介紹，新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節點既針對英特爾自己的產品，也針對代工客戶，將在未來幾年不斷發展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數據中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協同優化來實現尖端性能。生產節點支持<0.6V低壓以及&g
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