今天，小米集團董事長雷軍微博宣布小米自主研發設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1已開始大規模量產，搭載小米玄戒O1兩款旗艦，小米手機15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米將成為繼蘋果、高通、聯發科后，全球第四家發布自主研發設計3nm制程手機處理器芯片的企業。今年2月，聯發科技CEO蔡力行第四季度財報會議上表示，小米自研手機SoC芯片或將外掛聯發科基帶芯片。根據他的透露，ARM和小米正在促成一項AP芯片的研發項目，聯發科也有參與，并提供調制解調器芯片。此前據外媒WCCFtech報道，
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小米 自研 3nm 芯片
小米最近在宣布其自主開發的智能手機 SoC 芯片 XRING 01 后引起了廣泛關注。據中國媒體《明報》報道，小米首席執行官雷軍 5 月 19 日在微博上透露，該芯片采用 3nm 工藝制造，這標志著中國公司首次成功實現 3nm 芯片設計的突破。這家中國科技巨頭正在加大其芯片開發力度。據《華爾街日報》報道，小米計劃在至少 10 年內投資近 70 億美元用于芯片設計。創始人兼首席執行官雷軍周一在微博上發文透露了這一投資數字。報告指出，小米發言人補充說，這項 500 億元人民幣（相當于 69.4 億美元）的投資
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小米 3nm SoC
5月20日消息，雷軍之前已經宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個代號，最終的成品或許會有多個版本。如果熟悉芯片設計的朋友應該都清楚，廠商在規劃一款芯片設計時，必然會有多款相關版本的衍生，所以這更像是一個大類，而非具體到一個型號。有網友發現，Geekbench 6.1.0上出現了小米新機的跑分成績，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績還要高一些，可以說表現亮眼。跑分頁面還顯示，該處理器的C
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小米 自研芯 10核 3nm 超驍龍8 Gen 3
5月19日，雷軍微博宣布小米自主研發設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1即將亮相。小米將成為繼蘋果、高通、聯發科后，全球第四家發布自主研發設計3nm制程手機處理器芯片的企業。回顧了小米第一代自研手機SoC“澎湃S1”的失敗經歷，從2014年9月立項，到2017年正式發布，“因為種種原因，遭遇挫折”，暫停了SoC大芯片的研發，轉向了“小芯片”路線。包含了快充芯片、電池管理芯片、影像芯片、天線增強芯片等“小芯片”，在不同技術賽道中慢慢積累經驗和能力。直到2021年初，小米宣布造車的同時，還在內部重啟“大芯片
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小米 玄戒 3nm SoC 芯片
瑞薩電子將設計印度首款3nm 芯片
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據外媒wccftech報道，高通計劃在2025年9月舉辦的年度驍龍技術論壇上推出新一代旗艦處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。這款處理器預計采用臺積電第三代3納米節點制程N3P打造，相較于前代產品，其性能將有顯著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2將配備全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的處理速度預計達到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的兩倍以上。性能提升的部分原因在于暫存內存容量增加至16MB，使
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高通 驍龍 3nm
4月26日消息，在近日舉辦的北美技術論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數據，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環繞晶體管，目前距離大規模量產還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優于N7/N6、N3/N3P。從試產到量產半年的時間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產開始就低得多了，
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去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
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3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地，預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中，臺積電已經做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠同步投產之后，月產能將攀升至5萬片晶圓，最大設計產能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創造301億美元的營收，這一數字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
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據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節點，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產，2025年產能將全面轉至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯電合作開發12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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快科技3月25日消息，據悉，中國科學院成功研發除了突破性的固態DUV(深紫外)激光，可發射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導體工藝推進至3nm。據悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機都采用了氟化氙(ArF)準分子激光技術，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193nm波長的光子，然后以高能量的短脈沖形式發射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過光學系統調整，用于光刻設備。中科院的固態DUV激光技術完全基于固態設計，由自制的Yb:YAG晶體放大器
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DUV光刻機 3nm
3月21日消息，投資公司GF Securities在報告中稱，iPhone 18系列搭載的A20芯片將會采用臺積電第三代3nm工藝N3P制造，對此，分析師Jeff Pu予以反駁，稱A20芯片基于臺積電2nm制程打造，蘋果使用3nm的消息可以被忽略了。據悉，臺積電已經開始了2nm工藝的試產工作，該項目在新竹寶山工廠進行，初期良率是60%，預計在2025年下半年開始進行批量生產階段。之前摩根士丹利發布報告稱，2025年臺積電2nm月產能將從今年的1萬片試產規模，增加至5萬片左右的量產規模。由于產能爬坡以及良率
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對于iPhone 17系列將搭載的芯片將是由臺積電第三代3nm制程工藝，也就是由N3P制程工藝代工的A19和A19 Pro，iPhone 17和iPhone 17 Air搭載A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max搭載A19 Pro芯片。這也意味著iPhone 17系列無緣臺積電最新的2nm工藝制程，蘋果最快會在iPhone 18系列上引入臺積電2nm制程。資料顯示，臺積電2nm（N2）工藝最快會在2025年推出，臺積電CEO魏哲家在近幾個季度的財報分析師電話會議上表示2
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11月19日消息，分析師Jeff Pu在報告中提到，iPhone 17、iPhone 17
Air首發搭載A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max首發搭載A19
Pro芯片，這兩顆芯片都是基于臺積電第三代3nm制程（N3P）打造。據悉，iPhone 15 Pro系列首發的A17 Pro基于臺積電第一代3nm制程（N3B）打造，iPhone 16系列的A18和A18 Pro基于臺積電第二代3nm制程（N3E）打造。相比N3E，采用N3P工藝打造的芯片擁有更高的晶體管
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臺積電的 5nm 和 3nm
工藝是該公司在市場上"最熱門"的產品之一，據報道，這家臺灣巨頭的利用率達到了
100%。眾所周知，臺積電是迄今為止半導體行業中最具主導地位的公司之一，原因很簡單，因為英特爾代工廠和三星等競爭對手在產品供應方面有所懈怠，這就使得這家臺灣巨頭可以充分利用不斷涌現的需求。根據Ctee的報道，臺積電預計到明年5納米生產線的利用率將達到100%，理由是人工智能行業的需求將大幅上升。 這一進展充分顯示了臺積電在現代市場中的主導地位，不給競爭對手任何空間。臺積電
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