5nm 工藝文章最新資訊

4~5nm良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單增加？三星回應(yīng)

據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》報(bào)道，針對(duì)“因4~5納米先進(jìn)制程良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單正逐漸增加，稼動(dòng)率也相應(yīng)反彈，12英寸稼動(dòng)率回升至九成。”這一市場(chǎng)消息，三星半導(dǎo)體對(duì)其進(jìn)行了回應(yīng)。報(bào)道指出，三星半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人回應(yīng)表示，“暫無法透露最新良率或者客戶情況。正如我們?cè)?022年4月的財(cái)務(wù)電話會(huì)議上所提及，5nm制程良率自去年年初以來已穩(wěn)定下來，而4nm制程良率也已得到了提升，自2022年第一季度以來一直在預(yù)期的軌道上。自此4~5nm制程良率已經(jīng)穩(wěn)定了。”據(jù)韓國媒體BusinessKorea報(bào)道，三星4納米制程良率相較之前
關(guān)鍵字： 5nm 良率晶圓代工三星

傳聞稱蘋果M3芯片預(yù)計(jì)采用臺(tái)積電N3E工藝制造

最新消息稱，除了蘋果iPhone 15系列所搭載的A17之外，蘋果新款MacBook Air、iPad Air/Pro預(yù)計(jì)將采用臺(tái)積電的N3E工藝制造的M3芯片，這些搭載新芯片的產(chǎn)品可能會(huì)分別在今年下半年和明年上半年陸續(xù)推出。此前，有報(bào)道稱新款15英寸MacBook Air將采用與2022年13英寸MacBook Pro一起推出的M2芯片。然而，據(jù)爆料稱蘋果新款MacBook Air可能會(huì)搭載M3處理器性能，相比于M2 Max提升24%（單核）和6%（多核），但可能無緣在6月6日的蘋果WWDC開發(fā)者大會(huì)上
關(guān)鍵字：蘋果 M3 芯片臺(tái)積電 N3E 工藝

AMD 推出首款 5nm 基于 ASIC 的媒體加速器卡，開啟大規(guī)模交互式流媒體服務(wù)新時(shí)代

2023 年 4 月 6 日，加利福尼亞州圣克拉拉 — AMD （超威，納斯達(dá)克股票代碼：AMD）今日宣布推出 AMD Alveo? MA35D 媒體加速器，該卡具備兩個(gè) 5 納米基于 ASIC 的、支持 AV1 壓縮標(biāo)準(zhǔn)的視頻處理單元（ VPU ），專為推動(dòng)大規(guī)模直播互動(dòng)流媒體服務(wù)新時(shí)代而打造。隨著全球視頻市場(chǎng)超 70% 的份額由直播內(nèi)容主導(dǎo)1，一類新型的低時(shí)延、大容量交互式流媒體應(yīng)用正在涌現(xiàn)，例如連線觀賞、直播購物、在線拍賣和社交流媒體。?AMD Alveo MA35D 媒體加速器Alveo
關(guān)鍵字： AMD 5nm ASIC 媒體加速器卡大規(guī)模交互式流媒體服務(wù)

Intel官宣144核心全新至強(qiáng)！3、18A工藝呼嘯而至

3月29日晚，Intel舉辦了一場(chǎng)數(shù)據(jù)中心與人工智能事業(yè)部投資者網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，公布了2023-2025年的至強(qiáng)平臺(tái)路線圖，包括四款新品的重磅消息。首先來看整體路線圖。今年初，Intel發(fā)布了代號(hào)Sapphire Rapids的第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)。今年第四季度，Intel將發(fā)布Emerald Rapids，首次確認(rèn)將隸屬于第五代產(chǎn)品。2024年就精彩了，上半年首先推出首款純小核、Intel 3工藝的Sierra Forest，緊隨其后就是同樣Intel 3工藝、但采用純P大核的Granite Rapids，
關(guān)鍵字：英特爾人工智能至強(qiáng) 工藝

臺(tái)積電回應(yīng)晶圓代工成熟制程折價(jià)一至兩成換取客戶訂單

3月6日，據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工成熟制程殺價(jià)風(fēng)暴擴(kuò)大，業(yè)界傳出，由于產(chǎn)能利用率拉升狀況不如預(yù)期，聯(lián)電、力積電、世界先進(jìn)等晶圓代工廠祭出“只要來投片，價(jià)格都可以談”策略，客戶若愿意多下單，價(jià)格折讓幅度可達(dá)一至兩成，比先前降價(jià)幅度更大。對(duì)于晶圓代工成熟制程折價(jià)10%至20%換取客戶訂單，臺(tái)積電表示，不評(píng)論任何客戶業(yè)務(wù)或市場(chǎng)傳聞；聯(lián)電、力積電、世界先進(jìn)也不回應(yīng)價(jià)格議題。
關(guān)鍵字：臺(tái)積電晶圓制程工藝降價(jià)

支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC

四年五個(gè)CPU工藝 Intel：確信2025年重回領(lǐng)先

中國是全球最大的科技產(chǎn)品市場(chǎng)，沒有之一，Intel最大市場(chǎng)也是這里，來自Intel的消息稱國內(nèi)市場(chǎng)占了他們營收的25%到30%左右，還會(huì)跟國內(nèi)客戶聯(lián)合打造尖端方案。Intel公司高級(jí)副總裁、中國區(qū)董事長(zhǎng)王銳日前在接受采訪時(shí)表示，中國占全球從25%到接近30%的份額。王銳稱，作為Intel來說，這個(gè)市場(chǎng)給Intel的反饋，對(duì)我們的路線圖，對(duì)我們的產(chǎn)品，對(duì)我們的解決方案，我們要把這個(gè)機(jī)制建立起來，能夠在Intel全球整個(gè)規(guī)劃層面里，變成一個(gè)不可或缺的一份子。王銳表示，現(xiàn)在開始要把中國區(qū)的需求做進(jìn)Intel長(zhǎng)期
關(guān)鍵字：英特爾 cpu 工藝

淘汰FinFET 升級(jí)革命性GAA晶體管：臺(tái)積電重申2025量產(chǎn)2nm

在今天的說法會(huì)上，臺(tái)積電透露了新一代工藝的進(jìn)展，3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)，2023年放量，有多家客戶下單，再下一代的是2nm工藝，臺(tái)積電CEO重申會(huì)在2025年量產(chǎn)。與3nm工藝相比，臺(tái)積電2nm工藝會(huì)有重大技術(shù)改進(jìn)，放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管，后者是面向2nm甚至1nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，可以進(jìn)一步縮小尺寸。相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不過2nm工藝的晶體管密度可能會(huì)擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，
關(guān)鍵字：臺(tái)積電工藝 2nm

第三大CPU架構(gòu)RISC-V沖向5nm 192核國產(chǎn)版也要來了：?jiǎn)魏诵阅苡畜@喜

作為僅次于x86、ARM的第三大CPU架構(gòu)，RISC-V憑借開源、免費(fèi)的優(yōu)勢(shì)迅速發(fā)展，之前主要用于低功耗市場(chǎng)，但是現(xiàn)在也開始沖擊高性能領(lǐng)域，Ventana公司日前已經(jīng)做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前發(fā)布了第一款產(chǎn)品Veyron V1，該公司研發(fā)了一種高性能RISC-V架構(gòu)，每個(gè)CPU模塊中有16個(gè)RISC-V內(nèi)核，頻率3.6GHz，整合48MB緩存，整個(gè)處理器可以集成12個(gè)CPU模塊，做到192核，臺(tái)積電5nm工藝生產(chǎn)制造，還有自己開發(fā)的高性能IO核心，延遲低至7ns，接近原生核心性能
關(guān)鍵字： RISC-V 5nm 192核

臺(tái)灣要求：臺(tái)積電美國廠工藝要落后臺(tái)灣一代

據(jù)tomshardware報(bào)道，臺(tái)灣官員在新聞發(fā)布會(huì)上表示，隨著臺(tái)積電向美國擴(kuò)張，他們將部署一個(gè)特別小組來保護(hù)臺(tái)積電的技術(shù)和商業(yè)機(jī)密。據(jù)DigiTimes報(bào)道，知情人士透露該公司在美國的晶圓廠將永遠(yuǎn)比臺(tái)灣的晶圓廠落后一代。據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣科學(xué)技術(shù)委員會(huì)部長(zhǎng)吳宗聰（音譯）表示，臺(tái)灣將部署一個(gè)團(tuán)隊(duì)來監(jiān)控臺(tái)積電的關(guān)鍵技術(shù)，因?yàn)樗鼈兪桥_(tái)灣利益的重要組成部分。目前尚不清楚該團(tuán)隊(duì)將如何運(yùn)作，以及臺(tái)灣是否會(huì)要求臺(tái)積電部署加強(qiáng)安全措施，甚至試圖限制向美國出口某些工藝技術(shù)或?qū)Ｓ屑夹g(shù)，但臺(tái)灣相關(guān)部長(zhǎng)明確表示，希望臺(tái)灣繼續(xù)保持臺(tái)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電美國工藝

持續(xù)突破，概倫電子NanoSpice?通過三星代工廠5nm工藝技術(shù)認(rèn)證

概倫電子宣布其高性能并行SPICE仿真器NanoSpice?通過三星代工廠5nm工藝技術(shù)認(rèn)證，滿足雙方共同客戶對(duì)高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。三星5nm工藝可以提高良率、降低功耗并改善性能，這就需要更高精度的電路仿真和驗(yàn)證工具來實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的先進(jìn)IC設(shè)計(jì)。NanoSpice?的認(rèn)證屬于三星代工廠的EDA認(rèn)證項(xiàng)目，該仿真器可支持最新版的OMI接口（開放模型接口），在模擬IP的大規(guī)模后仿網(wǎng)表仿真中表現(xiàn)出良好的仿真收斂性和準(zhǔn)確性，幫助雙方共同客戶充滿信心地設(shè)計(jì)，縮短設(shè)計(jì)周期的同時(shí)確保更高精度。作為新一
關(guān)鍵字：概倫電子 NanoSpice? 5nm

3納米芯片量產(chǎn)再度延后？臺(tái)積電：制程發(fā)展符合預(yù)期、良率高

　　日前韓媒報(bào)道稱，臺(tái)積電再度將3納米芯片量產(chǎn)時(shí)程延后三個(gè)月。對(duì)此，臺(tái)積電表示，3納米制程的發(fā)展符合預(yù)期，良率高，將在第4季稍后量產(chǎn)。　　據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，業(yè)界人士指出，韓媒之所以用“再度延后”的字眼，應(yīng)與臺(tái)積電最初釋出“3納米預(yù)計(jì)2022年下半年量產(chǎn)”的說法有關(guān)，韓媒可能認(rèn)為“2022年下半年”指的是7月。　　此前臺(tái)積電總裁魏哲家在第三季度法說會(huì)上表示，客戶對(duì)3納米的需求超越臺(tái)積電的供應(yīng)量，明年將滿載生產(chǎn)。臺(tái)積電正與設(shè)備供應(yīng)商緊密合作，為3納米制程準(zhǔn)備更多產(chǎn)能，以支持客戶在明年、2024年及未來的
關(guān)鍵字：臺(tái)積電芯片工藝

預(yù)計(jì)蘋果新款MacBook Pro與iPad Pro無緣3nm制程工藝芯片

據(jù)國外媒體報(bào)道，蘋果在今年下半年將舉行兩場(chǎng)新品發(fā)布會(huì)，第一場(chǎng)在9月份舉行，重點(diǎn)是iPhone 14系列智能手機(jī)以及新款A(yù)pple Watch；第二場(chǎng)則將在10月份舉行，以Mac和iPad為主。之前預(yù)測(cè)對(duì)于下半年的第二場(chǎng)新品發(fā)布會(huì)，蘋果將推出的新品預(yù)計(jì)會(huì)有MacBook Pro和iPad Pro，其中MacBook Pro搭載的，預(yù)計(jì)是蘋果自研、由臺(tái)積電代工采用3nm制程工藝的芯片。但在蘋果產(chǎn)品預(yù)測(cè)方面有很高準(zhǔn)確性的分析師郭明錤，近日給出了讓外界失望的預(yù)期，蘋果即將發(fā)布的14/16英寸MacBook Pro
關(guān)鍵字：蘋果 MacBook Pro iPad Pro 3nm 制程工藝芯片

Credo正式推出基于臺(tái)積電5nm及4nm先進(jìn)制程工藝的全系列112G SerDes IP產(chǎn)品

?Credo Technology（納斯達(dá)克股票代碼：CRDO）近日正式宣布推出其基于臺(tái)積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產(chǎn)品，該系列能夠全面覆蓋客戶在高性能計(jì)算、交換芯片、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、安全及光通信等領(lǐng)域的廣泛需求，包括：超長(zhǎng)距（LR+）、長(zhǎng)距（LR）、中距（MR）、超極短距（XSR+）以及極短距（XSR）。?Credo IP產(chǎn)品業(yè)務(wù)開發(fā)助理副總裁Jim Bartenslager表示， “Credo先進(jìn)的混合信號(hào)以及數(shù)字信號(hào)處理（DSP）1
關(guān)鍵字： Credo 臺(tái)積電 5nm 4nm SerDes IP

KLA談5G對(duì)半導(dǎo)體及制造工藝的挑戰(zhàn)

1. 5G發(fā)展會(huì)帶來的影響和好處有哪些？ 5G 的發(fā)展會(huì)為半導(dǎo)體行業(yè)帶來哪些挑戰(zhàn)？5G，即第五代無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，為移動(dòng)電話帶來超高速率（數(shù)據(jù)傳輸比 4G LTE 快 100-200 倍），在流媒體應(yīng)用上響應(yīng)更快、延遲更少，并為人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí) (VR)、混合現(xiàn)實(shí)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、自動(dòng)駕駛、精密的云應(yīng)用程序服務(wù)、機(jī)器間連接、醫(yī)療保健服務(wù)等領(lǐng)域的發(fā)展鋪平了道路。然而，為了充分實(shí)現(xiàn) 5G 的潛在應(yīng)用場(chǎng)景，我們需要許多其他的組件來支持該全新的基礎(chǔ)設(shè)施，其中半導(dǎo)體設(shè)備的比重也不斷增加。其包括高容量
關(guān)鍵字： KLA 5G 半導(dǎo)體制造工藝