MSP430程序升級方案- 對MSP430系列單片機進行編程的方式有以下3種：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用戶自定義的升級固件。由于利用自定義升級固件進行程序升級的方式比較靈活，且用途廣泛，因此本文將對其作重點介紹。
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MSP430 單片機 功率器件
變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法- 變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅動電路損壞致使1個橋臂上的2個開關器件同一時間導通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節能變頻器等其他變頻設備上常見到的故障，解決這種問題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會再損壞。
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變頻器 逆變器 功率器件
常用的功率半導體器件盤點匯總-電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上）電子器件。
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功率器件
開關電源技術發展歷程的十個關注點- 上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段。
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開關電源 功率器件 電磁兼容性
全球性需求增加也帶動市場增長，但是功率分立器件交貨期開始延長暫時還沒有什么解決辦法。
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功率器件
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業規劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創新研究院“美國電力創新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
未來五年，通信產業向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業現狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
未來幾年，據Yole最新發布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或將增長75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規模將從2016年的15億美元增長至202
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GaN 5G
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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5G GaN
三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會中隆重登場(三菱電機展位號:E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來參觀了解三菱電機最新的技術、產品和優勢。 三菱電機以“創新功率器件構建可持續未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業應用和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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三菱電機 功率器件
什么是MOCVD?
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是LED以及半導體器件的關鍵設備。
根據Technavio統計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規模將從201
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MOCVD GaN
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產品“TPD4207F”，擴大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產品陣容，該產品適用于空調、空氣凈化器的風扇電機和泵等各類產品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實現更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產出貨即日啟動。 該新IPD利用東芝最新MOSFET技術——600V超結MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實現5A額定電流。這一電流足以驅動冰箱的壓縮機電機，這是現有IPD無法做到的，因此新IPD的應用范
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東芝 功率器件
IGBT驅動電路的作用： IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷。 ?
? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
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IGBT 功率器件
隨著無線通信的帶寬、用戶數目以及地理覆蓋范圍擴展，基地臺收發器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優勢，首先，最明顯的好 處是降低運營成本；同時，更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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