- IGBT是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點。基于技術和功能上的優勢，IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢。IGBT能夠實現節能減排，具有很好的環境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是未來應用發展的必然
- 關鍵字：
功率器件 IGBT
- 三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在參加2014年PCIM亞洲展時，估計功率器件市場在整體經歷了2012年的業績下滑后，市場正在逐漸恢復并升溫，預計到2016年，整體業績可以回復到2011年的歷史高峰。
為了滿足市場需要，三菱電機功率半導體制作所總工程師佐藤克己先生表示，三菱電機持續每年投入產品研發，降低產品的重量、尺寸和損耗，最終實現提升性能和降低成本。現時集中發展第7代IGBT模塊、混合碳化硅產品、工業用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
- 關鍵字：
三菱電機 功率器件
- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。
展示產品簡介:
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
東芝在IGBT的基礎上成功研發出&
- 關鍵字：
東芝 功率器件 光耦
- 通過對眾多公司的訪問，發現數字電源是增長很快的領域;功率器件的效能在提升，封裝是其創新的一個重要部分;電源模塊正面向特定的應用和客戶，提供端到端的解決方案;電源芯片向微納功耗和能量采集領域挺進;電源測試在從單臺儀器向整體解決方案轉型。
- 關鍵字：
電源 功率器件 電源管理 能量采集 201404
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業者無不積極研發經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
- 關鍵字：
Cascode GaN 場效應管
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
- 關鍵字：
GaN.功率元件
- 本文介紹了一種“總體分布、局部集中”式的轎車車門控制器設計方案，即以安森美半導體系統基礎芯片NCV7462和...
- 關鍵字：
前車門控制器 感應電阻器 功率器件
- 雖然電動汽車完全成為主流還需要一定的時間，但一些制造商深信面向大眾市場的零排放汽車時代已經來臨。當談到針對未來交通開發的技術時，電動汽車和電池產業毫無疑問是焦點所在，當前研發工作重點放在提高電池存儲容量和加快電池充電時間。通過與汽車和電池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在為這一新興市場領域開發新的技術和解決方案。
下圖顯示了PPTC技術如何應用于混合動力汽車和電動汽車電池模塊中的過溫檢測。該例使用了一個熱敏傳感器陣列來監視單節電池故障。由于給PPTC器件加熱會使器件電阻迅速非
- 關鍵字：
電動汽車 電源 功率器件
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關鍵字：
SiC GaN
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關鍵字：
GaN 功率半導體
- 日前，電子發燒友網攜手飛兆半導體等業界五大知名廠商，成功舉辦“2013電源管理技術研討會”，200多位技術研發工 ...
- 關鍵字：
綠色電源 高性能 功率器件
- 發光二極體(LED)的發光效率遠高于傳統光源，耗電量僅約同亮度傳統光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
- 關鍵字：
GaN on GaN LED
- GaN和SiC將區分使用 2015年，市場上或許就可以穩定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
- 關鍵字：
功率 半導體 SiC GaN
- 中國科學院近日發布的一份報告稱，中國研究人員利用應變工程已將150mA的電流注入了530nm發光的二極管（LED），光的...
- 關鍵字：
LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南...
- 關鍵字：
Si基 GaN 功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
