600v氮化鎵（gan）功率器件文章最新資訊

GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
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飛兆半導(dǎo)體electronica China 2011展示高能效電子應(yīng)用解決方案

　　全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在3月15至17日于上海新國際博覽中心舉行的electronica China 2011展會(huì)上，展示超過20款用于高能效電子應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案，展臺(tái)編號(hào)為1310。　　
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力源產(chǎn)品目錄--功率器件

力源產(chǎn)品目錄--功率器件
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Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項(xiàng)目

　　Dow Corning正式簽署協(xié)議，加入imec的關(guān)于GaN半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)的多方研發(fā)項(xiàng)目。該項(xiàng)目關(guān)注于下一代GaN功率器件和LED的發(fā)展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術(shù)帶入制造階段。
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無錫集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)新一輪大發(fā)展

　　無錫基地目前已經(jīng)聚集了超過100家的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，企業(yè)產(chǎn)品從原來傳統(tǒng)的工藝向更小線寬、更高復(fù)雜度發(fā)展。　　隨著世界經(jīng)濟(jì)的逐步復(fù)蘇，在國家“促發(fā)展、保增長”和拉動(dòng)內(nèi)需等各項(xiàng)措施激勵(lì)下，無錫集成電路產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)快速回升的勢(shì)頭，企業(yè)數(shù)量、產(chǎn)業(yè)規(guī)模得到了發(fā)展，產(chǎn)品的技術(shù)水平得到了升級(jí)。　　
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COOLMOS器件在開關(guān)電源中的應(yīng)用研究

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2010中國連接器和功率器件市場(chǎng)供求趨勢(shì)調(diào)查

　　據(jù)連接器市場(chǎng)分析公司Bishopand Associates發(fā)布報(bào)告稱，盡管2009年最后兩個(gè)季度連接器銷量連續(xù)增長，但是由于整體市場(chǎng)景氣衰退，全球連接器市場(chǎng)在2009年還是下降了大約25%。其中，來自醫(yī)療和軍事/航天OEM的連接器需求下降了5–7%。此外，連接器的價(jià)格也出現(xiàn)了疲軟，下降了5%。需求量低和生產(chǎn)能力過剩是連接器價(jià)格下降的主要因素。　　不過，由于目前各連接器廠商正在積極調(diào)整庫存，并且，隨著消費(fèi)電子、汽車電子和通信終端市場(chǎng)的快速增長，未來三年，全球連接器市場(chǎng)的發(fā)展?jié)摿σ廊缓艽?/li>
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品

　　Microsemi公司宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會(huì)議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應(yīng)用功率電子學(xué)會(huì)議和展覽會(huì) (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產(chǎn)品，并在2個(gè)技術(shù)交流會(huì)上進(jìn)行演講。　　Microsem所展示的主要產(chǎn)品(展臺(tái) #122)：　　· 應(yīng)用于太陽能逆變器的一組超薄功率模塊。　　· 以太網(wǎng)驅(qū)動(dòng)(PoE)芯片集和模塊，其中包括Microsem公司第四代的IEE
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歐姆龍電子將出展2010慕尼黑上海電子展

　　繼歐姆龍電子部件貿(mào)易(上海)有限公司成功出展“2009慕尼黑上海電子展”之后，又將于2010年3月16～18日在上海新國際博覽中心參加“2010慕尼黑上海電子展”。　　慕尼黑上海電子展立足于電子元器件，快速增長的中國及亞太市場(chǎng)，經(jīng)過8年多的培育，已經(jīng)發(fā)展成為行業(yè)內(nèi)具有重要影響的綜合性專業(yè)電子展覽會(huì)。其針對(duì)重點(diǎn)領(lǐng)域，包括功率器件、被動(dòng)元件、連接器、汽車電子等設(shè)立了專區(qū)，使得綜合性與專業(yè)性得到完美結(jié)合。　　屆時(shí)，我們將問您展示歐姆龍電子部件事業(yè)部包
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IR率先推出氮化鎵集成功率級(jí)器件iP2010和iP2011

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。　　iP2010和iP2011集成了非常先進(jìn)的超快速PowIRtune驅(qū)動(dòng)器IC，并匹配一個(gè)多開關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個(gè)倒裝芯片封裝平臺(tái)上，可帶來比最先進(jìn)的硅集成功率級(jí)器件
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功率半導(dǎo)體：強(qiáng)化設(shè)計(jì)能力尋求中高端突破

　　功率半導(dǎo)體包括功率二極管、功率開關(guān)器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的迅速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展到4C領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車電子)，滲透到國民經(jīng)濟(jì)與國防建設(shè)的各個(gè)方面。我國擁有國際上最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，擁有迅速發(fā)展的半導(dǎo)體代工線及國際上最大規(guī)模的人才培養(yǎng)體系，但中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前封裝強(qiáng)于芯片、芯片強(qiáng)于設(shè)計(jì)的局面。功率半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)加強(qiáng)技術(shù)力量的引進(jìn)和消化吸收，大力發(fā)展設(shè)計(jì)技術(shù)，以市場(chǎng)帶動(dòng)設(shè)計(jì)，以設(shè)計(jì)促進(jìn)芯
關(guān)鍵字：功率器件開關(guān) 功率二極管

能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

　　市場(chǎng)需求逐步恢復(fù) 　　● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮　　● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間　　陳坤和　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識(shí)到，困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個(gè)更精簡(jiǎn)、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內(nèi)容，許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費(fèi)電子市場(chǎng)，中國市場(chǎng)需求增長，推動(dòng)功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長期來看，功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
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